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氧化铝、碳化硅及Al2O3/SiC复相陶瓷高应变率形变研究

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氧化铝、碳化硅及Al2O3/SiC复相陶瓷高应变率形变研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-13页
第一章 绪论第13-41页
  · 陶瓷装甲材料的发展和研究概况第13-16页
  · 氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 纳米复相材料及其研究概况第16-21页
    · 氧化铝陶瓷材料第16-18页
    · Al_2O_3/SiC 纳米复相陶瓷材料第18-20页
    · 碳化硅陶瓷材料第20-21页
  · 陶瓷材料准静态压痕的裂纹类型与塑性变形区域第21-25页
    · 陶瓷材料准静态压痕的裂纹类型第21-23页
    · 陶瓷材料准静态压痕的塑性变形区域第23-24页
    · 压痕模型第24-25页
  · 陶瓷材料高应变率形变测试技术发展与研究概况第25-29页
    · 侵彻深度测试技术第26-27页
    · 盘撞击测试技术第27页
    · 动态压痕测试技术第27-28页
    · 分离式霍普金森压杆测试技术第28页
    · 泰勒撞击实验第28-29页
  · 陶瓷材料残余应力与塑性变形程度测试第29-35页
    · X 射线衍射法第29-30页
    · 中子衍射法第30-31页
    · 荧光光谱法第31-33页
    · 拉曼光谱法第33-35页
  · 分离式霍普金森压杆实验技术的发展与研究概况第35-38页
    · 分离式霍普金森压杆实验技术的发展和研究现状第35-37页
    · 分离式霍普金森压杆实验技术的应用第37-38页
  · 本文的研究目的、意义及主要研究内容第38-41页
    · 研究目的和意义第38-39页
    · 主要研究内容第39-41页
第二章 氧化铝、碳化硅及 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷材料制备和性能第41-56页
  · 氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷的制备第41-45页
    · 实验原料与试样种类第41-42页
    · 陶瓷试样制备工艺流程第42-45页
  · 氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷的显微结构第45-49页
    · 试样的切割、磨平与抛光第45-47页
    · 晶粒尺寸第47-49页
  · 氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 的性能测试第49-54页
    · 体积密度第49-50页
    · 弯曲强度第50-51页
    · 杨氏模量第51-52页
    · 维氏硬度第52-53页
    · 断裂韧性第53-54页
  · 本章小结第54-56页
第三章 高速子弹冲击实验装置设计与陶瓷靶材测试第56-73页
  · 陶瓷靶材与碳化钨子弹的制备与检测第56-60页
    · 陶瓷靶材的制备第56-57页
    · 碳化钨子弹的制备与检测第57-60页
  · 高速子弹冲击实验装置与冲击力测试设备的设置第60-63页
    · 实验装置设计与装配第60-61页
    · 子弹冲击力测试装置第61-63页
  · 陶瓷靶材击打过程的高速照相记录和受力情况对比第63-71页
    · 氧化铝陶瓷冲击实验第63-65页
    · Al_2O_3/SiC 纳米复相陶瓷冲击实验第65-68页
    · 碳化硅陶瓷冲击实验第68-70页
    · 靶材厚度对陶瓷靶材冲击力的影响第70-71页
  · 本章小结第71-73页
第四章 高速子弹冲击陶瓷靶材的表面弹坑形貌与应力应变研究第73-102页
  · 陶瓷靶材表面弹坑的光学显微形貌与 3D 扫描第73-85页
    · 氧化铝陶瓷第75-77页
    · Al_2O_3/SiC 复相陶瓷第77-80页
    · 碳化硅陶瓷第80-82页
    · B4C/Al8B4C7复相陶瓷第82-85页
  · Cr~(3+)荧光/SiC 拉曼光谱测试前期工作第85-92页
    · 峰拟合方法分析第86-88页
    · Z 轴分辨率测试第88-90页
    · 氧化铝和碳化硅的压谱系数计算第90-91页
    · Cr~(3+)荧光/SiC 拉曼光谱参考值计算第91-92页
  · 靶材试样残余应力和塑性变形分布情况第92-98页
    · 氧化铝陶瓷第93-95页
    · Al_2O_3/SiC 复相陶瓷第95-96页
    · 碳化硅陶瓷第96-98页
  · 靶材表面弹坑微观结构分析第98-100页
  · 本章小结第100-102页
第五章 高速子弹冲击陶瓷靶材的弹坑剖面裂纹特征与应力应变研究第102-121页
  · 陶瓷靶材剖面裂纹类型与 SEM 显微形貌分析第102-109页
    · 剖面试样的制备第102-103页
    · 氧化铝陶瓷靶材剖面的裂纹类型与 SEM 显微形貌第103-104页
    · Al_2O_3/SiC 复相陶瓷靶材剖面的裂纹类型与 SEM 显微形貌第104-107页
    · 碳化硅陶瓷靶材剖面的裂纹类型与 SEM 显微形貌第107-109页
  · 陶瓷靶材剖面残余应力与塑性变形分布情况研究第109-114页
    · 氧化铝陶瓷第109-111页
    · Al_2O_3/SiC 复相陶瓷第111-113页
    · 碳化硅陶瓷第113-114页
  · 陶瓷靶材弹性区域(非塑性区)的 Yoffe’s 模型模拟分析第114-119页
  · 本章小结第119-121页
第六章 陶瓷材料准静态压痕的显微结构与应力应变研究第121-142页
  · 陶瓷材料的准静态子弹压痕实验第121-123页
    · 准静态子弹压痕实验准备工作第121-122页
    · 准静态子弹压痕实验的压力位移曲线分析第122-123页
  · 陶瓷材料准静态子弹压痕表面形貌与应力应变分析对比第123-133页
    · 氧化铝陶瓷第123-127页
    · Al_2O_3/SiC 复相陶瓷第127-130页
    · 碳化硅陶瓷第130-133页
  · 准静态子弹压痕剖面形貌与应力应变分析对比第133-137页
    · 氧化铝陶瓷第133-135页
    · Al_2O_3/SiC 复相陶瓷第135-136页
    · 碳化硅陶瓷第136-137页
  · 不同应变速率下碳化钨子弹的形变分析第137-140页
  · 陶瓷试样应力应变与材料结构性能的关系第140-141页
  · 本章小结第141-142页
第七章 陶瓷材料的分离式霍普金森压杆压缩强度性能研究第142-173页
  · 陶瓷材料的分离式霍普金森压杆实验前提条件与原理第142-149页
    · 分离式霍普金森压杆技术原理简介第142-144页
    · 试样的应力平衡第144-146页
    · 霍普金森长杆的设计原理第146-147页
    · 入射波整形理论第147-149页
  · 陶瓷试样的设计原则以及端面摩擦效应第149-153页
    · 试样的设计与制备第149-152页
    · 试样端面的摩擦效应第152-153页
  · 分离式霍普金森压杆实验装置第153-157页
  · 分离式霍普金森压杆实验的测试条件优化选择第157-164页
    · 入射波整形器的选择第157-159页
    · “试样整形”技术的影响第159-160页
    · 陶瓷试样接触端面表面质量的影响第160-161页
    · 碳化钨垫块形状的选择第161-162页
    · 哑铃状试样测试第162-164页
  · 氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷的 SHPB 测试第164-168页
    · 氧化铝陶瓷第164-165页
    · Al_2O_3/SiC 复相陶瓷第165-166页
    · 碳化硅陶瓷第166-167页
    · SHPB 测试后碳化钨垫块的端面平面度第167-168页
  · 陶瓷材料 SHPB 高应变率形变过程中的失效机理第168-172页
  · 本章小结第172-173页
第八章 结论第173-175页
创新点第175-176页
致谢第176-178页
参考文献第178-188页
附录第188-189 页

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