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InP基HBT及单片集成光接收机前端的理论与实验研究

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InP基HBT及单片集成光接收机前端的理论与实验研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-20页
  · 光电集成(OEIC)的应用价值与意义第12-13页
  · 单片OEIC光接收器件的研究与发展现状第13-15页
  · InP基PIN-PD+HBT集成光接收机前端的提出第15-16页
  · 论文的结构安排第16-18页
  参考文献第18-20页
第二章 HBT器件概述第20-32页
  · HBT发展概况第20-21页
  · HBT的原理机制及优越性第21-24页
    · BJT的工作原理第21页
    · HBT的工作原理第21-22页
    · HBT的电流组成原理第22-24页
    · HBT的优越性总结第24页
  · HBT器件所运用的材料体系第24-26页
    · GeSi材料系第24-25页
    · GaAs材料系第25-26页
    · InP材料系第26页
  · HBT材料的主要生长技术第26-27页
  · HBT器件的性能参数第27-28页
    · 截止频率f_r和最高振荡频率f_(max)第27页
    · 电流增益β第27页
    · 开启电压第27-28页
    · 击穿电压第28页
  · HBT器件常用制备工艺第28-30页
    · 自对准工艺第29页
    · 空气桥工艺第29页
    · 聚酰亚胺平坦化工艺第29-30页
  参考文献第30-32页
第三章 SHBT器件的理论模型及优化设计第32-57页
  · InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系第32-34页
  · HBT理论模型中相关物理参量的计算第34-44页
  · HBT的优化设计第44-50页
    · 各物理参量对HBT性能的影响第44-48页
    · HBT优化设计方案第48-50页
  · 影响HBT性能的重要效应第50-55页
    · Kirk效应第51-54页
    · 发射极拥挤效应第54-55页
  参考文献第55-57页
第四章 复合集电区双异质结HBT的研究第57-73页
  · DHBT物理模型第58-65页
    · 突变异质结能带分析第58-60页
    · 突变同型异质结的能带图第60-64页
    · 载流子的输运特性分析第64-65页
  · 复合集电区DHBT的研究第65-70页
  · 采用复合集电区DHBT的优点总结第70-72页
  参考文献第72-73页
第五章 分立器件的制备与测试第73-92页
  · InP基HBT的制备:第73-78页
    · 版图设计第73-75页
    · 外延结构第75-76页
    · 采用堆叠型外延片制备的HBT第76-78页
    · 共享型外延片结构第78页
  · InP基HBT的实验制备工艺流程第78-83页
  · 制备工艺研究及难点:第83-85页
    · 欧姆接触:第83-84页
    · 金属电极的剥离第84页
    · 选择性腐蚀液的研究第84-85页
    · 聚酰亚胺平坦化工艺第85页
  · 分HBT的测试第85-89页
    · 直流特性测试第85-87页
    · 高频特性测试第87-89页
  · 探测器的制备第89-90页
  · NiCr电阻的制备第90-92页
第六章 HBT与探测器的参数提取第92-114页
  · SPICE参数列表第92-94页
  · Gummel-Poon模型的建立第94-97页
    · Gummel-Poon大信号模型第95-96页
    · Gummel-Poon小信号模型第96-97页
  · HBT的SPICE参数提取第97-108页
  · HBT器件SPICE模型仿真结果第108-110页
  · PIN探测器的参数提取第110-113页
  参考文献第113-114页
第七章 单片集成光前端的分析与设计第114-124页
  · 单片集成光前端的设计要求第114页
  · HBT用于放大电路的三种组态第114-116页
  · 单片集成光前端的电路设计第116-123页
    · 前端电路的基本反馈形式第116-117页
    · 无输出缓冲的单级共射放大电路第117-118页
    · 单级共射加输出缓冲的放大电路第118-119页
    · 跨阻反馈单级共射加输出缓冲电路第119-120页
    · 跨阻反馈两级输出缓冲电路第120-121页
    · 共基负反馈宽带放大电路第121-123页
  参考文献第123-124页
第八章 单片集成光接收机前端的制备与测试第124-133页
  · PIN-PD+HBT单片集成光前端的外延片结构第124-125页
  · PIN-PD+HBT单片集成光前端的版图第125-126页
  · PIN-PD+HBT单片集成光前端的制备与测试第126-127页
  · RCE-PD+HBT形式的单片集成光前端的初步尝试第127-132页
  参考文献第132-133页
附录1 常用半导体材料参数第133-134页
附录2 散射参数与其它参数之间的转化第134-136页
附录3 单片集成光接收机前端工艺制备步骤第136-138页
致谢第138-140页
攻读博士学位期间发表的学术论文第140-141页

本篇论文共141页,点击这进入下载页面
 
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