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基于混合键合和后硅通孔的晶圆级三维芯片堆叠技术研究

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基于混合键合和后硅通孔的晶圆级三维芯片堆叠技术研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-7页
主要符号表第20-21页
主要英文缩写词表第21-22页
1 绪论第22-47页
    1.1 研究背景与意义第22-33页
        1.1.1 3D IC研究背景第22-28页
        1.1.2 3D IC集成方式第28-30页
        1.1.3 3D IC集成关键技术第30-33页
    1.2 键合技术研究进展第33-45页
        1.2.1 低温键合技术第33-37页
        1.2.2 3D IC集成在堆叠时所遇到的挑战第37-38页
        1.2.3 混合键合技术第38-45页
    1.3 本文主要研究思路第45-47页
2 样品制备与实验方法第47-55页
    2.1 微凸点的制备第47-48页
    2.2 粘结剂的涂覆和光刻第48-49页
        2.2.1 PI和DF粘结剂的涂覆第48-49页
        2.2.2 PI和DF粘结剂的光刻第49页
    2.3 键合第49-51页
        2.3.1 粘结剂键合第49-50页
        2.3.2 混合键合第50-51页
    2.4 键合结果的无损检测第51-53页
        2.4.1 X-ray检测第51页
        2.4.2 C-SAM检测第51-53页
    2.5 力学性能研究第53页
    2.6 可靠性测试第53-54页
    2.7 微凸点和界面微结构形貌分析第54-55页
3 用于晶圆级混合键合的粘结剂材料研究第55-69页
    3.1 引言第55页
    3.2 粘结剂键合研究第55-60页
        3.2.1 粘结剂键合的结构设计第55-56页
        3.2.2 粘结剂键合结果和讨论第56-58页
        3.2.3 粘结剂键合的可靠性研究第58-60页
    3.3 应用PI和DF粘结剂材料的混合键合研究第60-67页
        3.3.1 混合键合的结构设计第60-62页
        3.3.2 混合键合结果和讨论第62-67页
    3.4 本章小结第67-69页
4 基于Cu/SnAg微凸点和DF粘结剂的晶圆级混合键合研究第69-89页
    4.1 引言第69页
    4.2 混合键合结构设计和集成步骤研究第69-73页
        4.2.1 Cu/SnAg微凸点和DF粘结剂混合键合的结构设计第69-71页
        4.2.2 Cu/SnAg微凸点高度设计第71-73页
    4.3 流程优化结果第73-75页
    4.4 键合后偏移的影响因素及偏移机理研究第75-80页
    4.5 微凸点高度和键合压力对混合键合效果的影响第80-88页
        4.5.1 微凸点高度和键合压力对混合键合效果的影响结果第80-86页
        4.5.2 力学性能分析第86-88页
    4.6 本章小结第88-89页
5 基于插入式微凸点/DF粘结剂混合键合和后孔TSV的晶圆级三维芯片堆叠研究第89-130页
    5.1 引言第89页
    5.2 结构设计和集成步骤研究第89-97页
        5.2.1 插入式微凸点和DF粘结剂混合键合的结构设计第89-92页
        5.2.2 相同微凸点和插入式微凸点混合键合比较第92-93页
        5.2.3 粘结剂先键合和微凸点先键合的混合键合方法第93-95页
        5.2.4 后孔TSV的集成设计第95-97页
    5.3 集成优化结果和讨论第97-117页
        5.3.1 混合键合结果第97-105页
        5.3.2 后孔TSV集成结果第105-109页
        5.3.3 基于混合键合和后孔TSV的堆叠芯片集成结果第109-113页
        5.3.4 Cu/Ni/SnAg和Cu/Ni-P/Au微凸点界面反应研究第113-116页
        5.3.5 力学性能分析第116-117页
    5.4 可靠性研究第117-128页
        5.4.1 电性能研究第117-119页
        5.4.2 可靠性测试中界面IMC组织结构演变研究第119-128页
    5.5 本章小结第128-130页
6 结论与展望第130-133页
    6.1 结论第130-131页
    6.2 创新点第131-132页
    6.3 展望第132-133页
参考文献第133-146页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第146-148页
致谢第148-149页
作者简介第149页

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