论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
主要符号表 | 第20-21页 |
主要英文缩写词表 | 第21-22页 |
1 绪论 | 第22-47页 |
1.1 研究背景与意义 | 第22-33页 |
1.1.1 3D IC研究背景 | 第22-28页 |
1.1.2 3D IC集成方式 | 第28-30页 |
1.1.3 3D IC集成关键技术 | 第30-33页 |
1.2 键合技术研究进展 | 第33-45页 |
1.2.1 低温键合技术 | 第33-37页 |
1.2.2 3D IC集成在堆叠时所遇到的挑战 | 第37-38页 |
1.2.3 混合键合技术 | 第38-45页 |
1.3 本文主要研究思路 | 第45-47页 |
2 样品制备与实验方法 | 第47-55页 |
2.1 微凸点的制备 | 第47-48页 |
2.2 粘结剂的涂覆和光刻 | 第48-49页 |
2.2.1 PI和DF粘结剂的涂覆 | 第48-49页 |
2.2.2 PI和DF粘结剂的光刻 | 第49页 |
2.3 键合 | 第49-51页 |
2.3.1 粘结剂键合 | 第49-50页 |
2.3.2 混合键合 | 第50-51页 |
2.4 键合结果的无损检测 | 第51-53页 |
2.4.1 X-ray检测 | 第51页 |
2.4.2 C-SAM检测 | 第51-53页 |
2.5 力学性能研究 | 第53页 |
2.6 可靠性测试 | 第53-54页 |
2.7 微凸点和界面微结构形貌分析 | 第54-55页 |
3 用于晶圆级混合键合的粘结剂材料研究 | 第55-69页 |
3.1 引言 | 第55页 |
3.2 粘结剂键合研究 | 第55-60页 |
3.2.1 粘结剂键合的结构设计 | 第55-56页 |
3.2.2 粘结剂键合结果和讨论 | 第56-58页 |
3.2.3 粘结剂键合的可靠性研究 | 第58-60页 |
3.3 应用PI和DF粘结剂材料的混合键合研究 | 第60-67页 |
3.3.1 混合键合的结构设计 | 第60-62页 |
3.3.2 混合键合结果和讨论 | 第62-67页 |
3.4 本章小结 | 第67-69页 |
4 基于Cu/SnAg微凸点和DF粘结剂的晶圆级混合键合研究 | 第69-89页 |
4.1 引言 | 第69页 |
4.2 混合键合结构设计和集成步骤研究 | 第69-73页 |
4.2.1 Cu/SnAg微凸点和DF粘结剂混合键合的结构设计 | 第69-71页 |
4.2.2 Cu/SnAg微凸点高度设计 | 第71-73页 |
4.3 流程优化结果 | 第73-75页 |
4.4 键合后偏移的影响因素及偏移机理研究 | 第75-80页 |
4.5 微凸点高度和键合压力对混合键合效果的影响 | 第80-88页 |
4.5.1 微凸点高度和键合压力对混合键合效果的影响结果 | 第80-86页 |
4.5.2 力学性能分析 | 第86-88页 |
4.6 本章小结 | 第88-89页 |
5 基于插入式微凸点/DF粘结剂混合键合和后孔TSV的晶圆级三维芯片堆叠研究 | 第89-130页 |
5.1 引言 | 第89页 |
5.2 结构设计和集成步骤研究 | 第89-97页 |
5.2.1 插入式微凸点和DF粘结剂混合键合的结构设计 | 第89-92页 |
5.2.2 相同微凸点和插入式微凸点混合键合比较 | 第92-93页 |
5.2.3 粘结剂先键合和微凸点先键合的混合键合方法 | 第93-95页 |
5.2.4 后孔TSV的集成设计 | 第95-97页 |
5.3 集成优化结果和讨论 | 第97-117页 |
5.3.1 混合键合结果 | 第97-105页 |
5.3.2 后孔TSV集成结果 | 第105-109页 |
5.3.3 基于混合键合和后孔TSV的堆叠芯片集成结果 | 第109-113页 |
5.3.4 Cu/Ni/SnAg和Cu/Ni-P/Au微凸点界面反应研究 | 第113-116页 |
5.3.5 力学性能分析 | 第116-117页 |
5.4 可靠性研究 | 第117-128页 |
5.4.1 电性能研究 | 第117-119页 |
5.4.2 可靠性测试中界面IMC组织结构演变研究 | 第119-128页 |
5.5 本章小结 | 第128-130页 |
6 结论与展望 | 第130-133页 |
6.1 结论 | 第130-131页 |
6.2 创新点 | 第131-132页 |
6.3 展望 | 第132-133页 |
参考文献 | 第133-146页 |
攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第146-148页 |
致谢 | 第148-149页 |
作者简介 | 第149页 |