论文目录 | |
| 摘要 | 第1-8
页 |
| Abstract | 第8-16
页 |
| 第一章 绪论 | 第16-66
页 |
| · 集成电路(integrated circuit，IC)简介 | 第16-20
页 |
| · 集成电路的历史 | 第16-17
页 |
| · 集成电路技术发展趋势 | 第17-20
页 |
| · IC的制程简介 | 第20-23
页 |
| · IC的前段制程(FEOL): MOSFET晶体管 | 第20-21
页 |
| · IC的后段制程(BEOL):互连线系统 | 第21-23
页 |
| · 国际半导体技术发展路线图 | 第23
页 |
| · 集成电路的微小化 | 第23-25
页 |
| · MOSFET闸极尺寸(特征尺寸)减小带来的挑战 | 第23-24
页 |
| · 金属互连线系统的挑战 | 第24-25
页 |
| · RC延迟(resistance-capacitance delay，RC Delay) | 第25-32
页 |
| · 互连线结构改变降低RC延迟 | 第28-29
页 |
| · 互连线材料改变降低RC延迟 | 第29-32
页 |
| · 铜互连线技术 | 第32-35
页 |
| · 金属化技术 | 第33-34
页 |
| · ULSI对金属化技术的需求 | 第34-35
页 |
| · 金属导线失效机制—致电迁移 | 第35-36
页 |
| · 互连线金属化材料的选择 | 第36-38
页 |
| · 铜金属化的问题 | 第38-44
页 |
| · 铜的刻蚀问题 | 第38-40
页 |
| · 铜与现有材料兼容的问题: | 第40-42
页 |
| · 扩散阻挡层 | 第42-44
页 |
| · 铜薄膜的沉积方法 | 第44-53
页 |
| · 物理气相沉积 | 第44-45
页 |
| · 电镀法 | 第45-46
页 |
| · 化学气相沉积 | 第46-53
页 |
| · 自组装单分子膜简介 | 第53-55
页 |
| · 自组装单分子膜做为扩散阻挡层 | 第55
页 |
| · 本论文的工作 | 第55-57
页 |
| 参考文献 | 第57-66
页 |
| 第二章 硅基材上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第66-89
页 |
| · 前言 | 第66-69
页 |
| · 实验准备 | 第69-72
页 |
| · 实验药品与材料 | 第69-70
页 |
| · 实验仪器 | 第70-72
页 |
| · 分析仪器 | 第72
页 |
| · 实验步骤 | 第72-74
页 |
| · 基材处理 | 第72-73
页 |
| · CVD铜薄膜进程 | 第73-74
页 |
| · 反应条件 | 第74
页 |
| · 结果与讨论 | 第74-85
页 |
| · 载气对CVD铜薄膜的影响 | 第74-78
页 |
| · 硅基材上CVD铜薄膜的沉积速率 | 第78-80
页 |
| · CVD铜在Si(100)和SiO_2基材表面成核行为研究 | 第80-85
页 |
| · 本章小结 | 第85-86
页 |
| 参考文献 | 第86-89
页 |
| 第三章 巯基为端基自组装单分子层上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第89-120
页 |
| · 前言 | 第89-92
页 |
| · 实验准备 | 第92-94
页 |
| · 实验药品与材料 | 第92-93
页 |
| · 实验仪器 | 第93
页 |
| · 分析仪器 | 第93-94
页 |
| · 实验步骤 | 第94-97
页 |
| · 自组装单分子膜的成长 | 第94-95
页 |
| · 铜薄膜的成长 | 第95-97
页 |
| · 实验结果与讨论 | 第97-115
页 |
| · MPTMS自组装单分子膜表面水接触角 | 第97-99
页 |
| · MPTMS自组装单分子膜厚度 | 第99-104
页 |
| · MPTMS自组装单分子膜的XPS表征 | 第104-105
页 |
| · MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的化学和结构特征 | 第105
页 |
| · MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的沉积速率 | 第105-108
页 |
| · MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的表面形貌演变 | 第108-112
页 |
| · MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的电性质 | 第112
页 |
| · I-V曲线 | 第112-114
页 |
| · CVD铜与MPTMS-SAMs的相互作用 | 第114-115
页 |
| · 本章小结 | 第115-116
页 |
| 参考文献 | 第116-120
页 |
| 第四章 氨基为端基自组装单分子层上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第120-148
页 |
| · 前言 | 第120-121
页 |
| · 实验准备 | 第121-123
页 |
| · 实验药品与材料 | 第121-122
页 |
| · 实验仪器 | 第122
页 |
| · 分析仪器 | 第122-123
页 |
| · 实验步骤 | 第123-124
页 |
| · 自组装单分子膜的成长 | 第123
页 |
| · CVD铜薄膜进程 | 第123-124
页 |
| · 实验结果与讨论 | 第124-145
页 |
| · APTMS-SAMs的厚度 | 第124-129
页 |
| · APTMS-SAMs的接触角 | 第129-134
页 |
| · APTMS自组装单分子膜的XPS表征 | 第134-135
页 |
| · 温度对APTMS-SAMs改性基材上CVD铜薄膜的影响 | 第135-137
页 |
| · APTMS-SAMs上CVD铜薄膜表面粗糙度与温度的关系 | 第137-138
页 |
| · APTMS-SAMs改性基材上CVD铜薄膜结构 | 第138-140
页 |
| · APTMS-SAMs改性前后基材表面上铜成核行为比较 | 第140-143
页 |
| · CVD铜与APTMS-SAMs的相互作用 | 第143-144
页 |
| · APMTS-SAMs的阻挡层作用 | 第144-145
页 |
| · 本章小结 | 第145-146
页 |
| 参考文献 | 第146-148
页 |
| 第五章 自组装单分子层上选择性化学气相沉积研究 | 第148-173
页 |
| · 前言 | 第148-150
页 |
| · 实验准备 | 第150-151
页 |
| · 实验药品与材料 | 第150-151
页 |
| · 实验仪器 | 第151
页 |
| · 分析仪器 | 第151
页 |
| · 实验步骤 | 第151-152
页 |
| · 自组装单分子膜的成长 | 第151-152
页 |
| · SAMs的改性 | 第152
页 |
| · 铜薄膜的沉积 | 第152
页 |
| · 自组装单分子膜的表征 | 第152-154
页 |
| · 接触角的测量 | 第152-153
页 |
| · X射线光电子能谱 | 第153-154
页 |
| · 自组装单分子膜上选择性化学气相沉积 | 第154-163
页 |
| · 铜图案化的实现 | 第163-170
页 |
| · 本章小结 | 第170-171
页 |
| 参考文献 | 第171-173
页 |
| 第六章 总结与展望 | 第173-175
页 |
| 总结 | 第173-174
页 |
| 展望 | 第174-175
页 |
| 博士期间发表论文 | 第175-176
页 |
| 致谢 | 第176
页 |
