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高k电介质薄膜制备研究与集成薄膜电容探讨
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高k电介质薄膜制备研究与集成薄膜电容探讨
论文目录
 
摘要第1-5 页
Abstract第5-14 页
第1章 绪论第14-42 页
　　· 高K电介质薄膜第14-28 页
　　　　· 提高电介质介电常数的背景第14-15 页
　　　　· MOS管栅介质理论基础第15-19 页
　　　　· 高k栅介质的性能要求第19-24 页
　　　　· 高k电介质材料第24-25 页
　　　　· 层叠结构高k栅介质第25-27 页
　　　　· 本文的High-k电介质薄膜研究第27-28 页
　　· 集成薄膜电容第28-36 页
　　　　· 电容的性能要求第28-29 页
　　　　· 无源集成第29-31 页
　　　　· 集成薄膜电容第31 页
　　　　· MIM结构薄膜电容第31-35 页
　　　　· 共面电极结构平面电容第35-36 页
　　· 薄膜沉积工艺与检测设备第36-39 页
　　　　· 薄膜沉积工艺第36-37 页
　　　　· 薄膜检测设备第37-39 页
　　· 论文研究内容与章节安排第39-42 页
　　　　· 论文主要研究内容第39-41 页
　　　　· 论文的章节安排第41-42 页
第2章 高K电介质薄膜制备及其性能研究第42-69 页
　　· 反应溅射的理论研究第42-48 页
　　　　· 反应溅射机理第42-43 页
　　　　· 基本反应溅射模型第43-45 页
　　　　· 双路反应气体溅射模型研究第45-48 页
　　· 反应溅射制备SIO_XN_Y薄膜第48-54 页
　　　　· 实验条件第49 页
　　　　· 反应溅射模型的实证第49-51 页
　　　　· SiO_xN_y薄膜反应溅射方案的确立第51-54 页
　　· TIO_2薄膜制备研究第54-59 页
　　　　· 实验条件第54-55 页
　　　　· 溅射参数对TiO_2薄膜晶格结构的影响第55-57 页
　　　　· 沉积后退火对TiO_2薄膜晶格结构的影响第57-59 页
　　· MOS电容的制备第59-60 页
　　· 高K栅介质电容-电压特性研究第60-63 页
　　　　· 积累态电容第60-61 页
　　　　· C-V曲线的漂移第61-62 页
　　　　· 界面电学特性第62-63 页
　　· 高K栅介质漏电特性研究第63-66 页
　　· 高K栅介质电学性能讨论第66-67 页
　　· 本章小结第67-69 页
第3章 MIM结构集成薄膜电容制备研究第69-80 页
　　· 薄膜电容的制备第69-70 页
　　　　· 实验条件第69 页
　　　　· 陶瓷基片上集成薄膜电容的实现形式第69-70 页
　　· 介质膜沉积后退火对电容性能的影响第70-74 页
　　　　· 不同退火条件下的介质膜表面形貌第71-73 页
　　　　· 沉积后退火对薄膜电容电学性能的影响第73-74 页
　　· 偏压溅射对薄膜电容电学性能的影响第74-78 页
　　　　· 实验条件第74 页
　　　　· 偏压溅射后的绝缘强度第74-76 页
　　　　· 偏压溅射后的介电性能第76-78 页
　　· 本章小结第78-80 页
第4章 平面电容研究第80-99 页
　　· 叉指形平面电容的静态参数提取研究第80-86 页
　　　　· 经典的叉指电容静态参数提取方法第80-81 页
　　　　· 基于保角变换的解析方法第81-83 页
　　　　· 基于解析模型的叉指平面电容计算第83-86 页
　　· 分形平面电容研究第86-88 页
　　　　· 分形电容简介第86-87 页
　　　　· 分形化叉指平面电容设计第87-88 页
　　· 平面电容的高频分布参数研究第88-89 页
　　· 平面电容仿真分析第89-91 页
　　· 平面电容的制备和去耦测试第91-94 页
　　　　· 陶瓷基底上平面电容的制备第91-92 页
　　　　· 平面电容的去耦测试模型第92-94 页
　　· 平面电容等效电路参数提取第94-97 页
　　· 主要结论:第97-99 页
第5章 总结第99-102 页
参考文献第102-112 页
已发表的相关学术论文第112-113 页
致谢第113 页

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