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电子元器件辐射退化灵敏表征方法研究

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电子元器件辐射退化灵敏表征方法研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-24页
  · 研究背景和意义第12-18页
    · 空间辐射环境第12-13页
    · 半导体器件辐射效应传统表征方法第13-16页
    · 传统表征方法的局限性第16页
    · 灵敏无损表征方法的意义第16-18页
  · 国内外研究概况以及主要问题第18-21页
    · 研究概况第18-20页
    · 主要问题第20-21页
  · 论文的主要内容第21-24页
    · 论文的目的第21页
    · 章节安排第21-24页
第二章 半导体器件辐射退化灵敏表征方法第24-54页
  · 半导体器件的辐射效应第24-29页
    · 电离辐射效应第25页
    · 位移辐射效应第25-26页
    · 总剂量效应第26-27页
    · 单粒子效应第27-29页
  · 辐射效应导致的材料损伤与器件性能退化第29-36页
    · 材料损伤第29-35页
    · 器件性能退化第35-36页
  · 传统表征方法第36-38页
    · 器件性能退化与参量表征第36-37页
    · 传统参量表征的局限性第37-38页
  · 半导体器件辐射退化的灵敏表征方法第38-40页
    · 辐射作用下器件噪声参量的变化第38-39页
    · 器件噪声参量变化与材料损伤的关系第39-40页
  · 测试与分析技术基础第40-53页
    · 电学参量测试基础第41-42页
    · 噪声参量测试基础第42-48页
    · 噪声参量分析基础第48-52页
    · 灵敏表征参量优选原则第52-53页
  · 小结第53-54页
第三章 双极器件辐射退化灵敏表征方法第54-82页
  · 引言第54-55页
  · 双极器件内部材料辐射损伤的微观机理第55-58页
    · 电离辐射损伤的微观机理第55-57页
    · 位移辐射损伤的微观机理第57-58页
  · 双极器件辐射退化的噪声表征模型第58-67页
    · 电离辐射效应的噪声表征模型第59-62页
    · 位移辐射效应的噪声表征模型第62-65页
    · 两种辐射效应的区分第65-67页
  · 实验结果分析及灵敏表征第67-80页
    · 实验样品以及实验环境第67-68页
    · 测试平台第68-70页
    · 两种效应的电学参量表征第70-73页
    · 双极器件辐射退化的噪声表征第73-77页
    · 灵敏表征模型的验证第77-80页
  · 结论第80-82页
第四章 MOS 器件潜在缺陷与电离总剂量效应的灵敏表征方法第82-128页
  · 引言第82-83页
  · 辐射对 MOS 器件的作用第83-95页
    · MOS 器件的潜在缺陷第84-87页
    · 辐射作用引起的微观损伤第87-89页
    · 辐射作用导致器件的参数退化第89-95页
  · MOS 器件潜在缺陷的 1/f 噪声表征模型第95-102页
    · MOS 器件的 1/f 噪声产生模型第96-100页
    · MOS 器件辐射退化的噪声预测模型第100-102页
  · MOS 器件电离辐射退化模型第102-106页
    · 辐射诱导氧化层陷阱电荷模型第103-104页
    · 辐射诱导界面陷阱电荷模型第104-105页
    · 两种陷阱电荷之间的关系第105-106页
  · 实验结果及灵敏表征模型的验证第106-127页
    · 实验条件及测试平台第106-110页
    · 实验结果及灵敏表征第110-121页
    · 基于辐射前 1/f 噪声的表征模型验证第121-127页
  · 小结第127-128页
第五章 超深亚微米器件单粒子翻转新效应的机理与表征研究第128-182页
  · 引言第128-130页
  · 超深亚微米器件的电荷共享第130-150页
    · 单个器件的电荷收集特性第130-132页
    · 超深亚微米器件电荷共享效应第132-134页
    · 电荷共享的物理机理第134-135页
    · 超深亚微米器件电荷收集模型第135-150页
  · 计算机模拟验证第150-167页
    · 模拟方案第150-155页
    · 模拟结果与分析第155-159页
    · 不同因素对电荷收集情况的影响第159-167页
  · 超深亚微米器件的多位翻转第167-180页
    · 超深亚微米器件的单粒子多位翻转第167-169页
    · 多位翻转机理研究第169-174页
    · 超深亚微米器件多位翻转的表征第174-180页
  · 小结第180-182页
第六章 结论第182-186页
附录 英文缩略词列表第186-188页
致谢第188-190页
参考文献第190-208页
研究成果第208-210 页

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