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新型二维半导体材料与器件的研究

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新型二维半导体材料与器件的研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-16页
第1章 绪论第16-41页
  1.1 引言第16-17页
  1.2 典型二维材料简介第17-27页
    1.2.1 石墨烯第17-19页
    1.2.2 硅烯第19-21页
    1.2.3 石墨炔第21-22页
    1.2.4 二维过渡金属硫属化物第22-27页
  1.3 二维半导体材料的电子结构和带阶第27-31页
  1.4 二维材料的大规模生长第31-35页
    1.4.1 机械剥离法第32页
    1.4.2 水热法第32-33页
    1.4.3 溶液剥离法第33-34页
    1.4.4 电化学法及超声法第34页
    1.4.5 化学气相沉积法第34-35页
  1.5 材料的表征方法第35-38页
    1.5.1 X射线衍射法第35-36页
    1.5.2 扫描电子显微术第36页
    1.5.3 原子力显微术第36-37页
    1.5.4 光致发光谱第37页
    1.5.5 拉曼散射光谱第37-38页
    1.5.6 透射电子显微镜第38页
  1.6 研究目的第38-41页
    1.6.1 研究目的与意义第38-39页
    1.6.2 研究内容第39-41页
第2章 二维WO_3纳米薄膜的合成及光电性质的研究第41-51页
  2.1 研究动机与意义第41-43页
  2.2 二维WO_3纳米薄膜的合成第43页
    2.2.1 实验耗材与设备第43页
    2.2.2 二维WO_3纳米薄膜的合成第43页
  2.3 二维WO_3纳米薄膜材料表征第43-44页
  2.4 二维WO_3纳米薄膜紫外光电传感器的制备及测试第44-47页
  2.5 二维WO_3纳米薄膜气敏响应特性第47-50页
    2.5.1 测试系统的建立第47-48页
    2.5.2 WO_3纳米薄膜的电阻温度关系(R-T曲线)第48-49页
    2.5.3 WO_3纳米薄膜对氧化性气体NO_2的气敏效应第49页
    2.5.4 WO_3纳米薄膜对还原性气体H_2的气敏效应第49-50页
  2.6 本章小结第50-51页
第3章 二维VS_2纳米片的合成及锂电池阳极材料第51-61页
  3.1 研究动机与意义第51-52页
  3.2 花状VS_2纳米片结构的合成第52页
  3.3 样品表征第52-53页
  3.4 CR2025型纽扣电池的制备与电化学测试第53页
  3.5 花状VS_2纳米片材料表征第53-56页
  3.6 花状VS_2纳米片材料锂电池阳极材料电化学性能测试第56-58页
  3.7 VS_2纳米片和纳米花磁性的研究第58-60页
  3.8 本章小结第60-61页
第4章 二维SnS_2纳米薄膜的合成及场晶体效应管第61-69页
  4.1 研究动机与意义第61-62页
  4.2 二维SnS_2纳米薄膜的合成第62页
  4.3 二维SnS_2纳米薄膜材料表征第62-63页
  4.4 二维SnS_2纳米薄膜材料能带结构计算第63-65页
  4.5 二维SnS_2纳米薄膜光敏场效应晶体管器件制备及表征第65-68页
  4.6 本章小结第68-69页
第5章 AlN纳米薄膜图形化蓝宝石衬底的制备及LED芯片第69-83页
  5.1 研究动机与意义第69-70页
  5.2 图形化蓝宝石衬底的制备第70-73页
    5.2.1 LED图形化蓝宝石制备流程第70页
    5.2.2 干刻蚀模式及原理第70-73页
  5.3 图形化蓝宝石衬底的表征第73-77页
    5.3.1 ICP功率对刻蚀速率和选择比的影响第74-75页
    5.3.2 Bias功率对刻蚀速率和选择比的影响第75页
    5.3.3 BTM温度对刻蚀速率和选择比的影响第75页
    5.3.4 BC13气体流量对刻蚀速率和选择比的影响第75-76页
    5.3.5 参数优化后的不同形貌图形化衬底第76-77页
  5.4 不同显微形貌的衬底外延芯片后实验结果第77-79页
    5.4.1 类蒙古包形衬底外延后第78页
    5.4.2 类圆锥形衬底外延后第78-79页
  5.5 PSS基AlN薄膜制备方法第79-80页
  5.6 PSS基AlN薄膜表征及性能测试第80-82页
  5.7 本章小结第82-83页
结论与展望第83-86页
参考文献第86-99页
致谢第99-100页
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录第100-101页
附录B 攻读学位期间所申请的专利第101页

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