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缺陷和外电场对碳纳米管电导和态密度调制的理论研究

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缺陷和外电场对碳纳米管电导和态密度调制的理论研究
论文目录
 
中文摘要第1-4 页
Abstract(英文摘要)第4-8 页
第一章 引言第8-30 页
  § · 碳纳米管的研究进展第8-17 页
  § · 关于碳纳米管电子结构和输运性质的一些理论模型和方法第17-27 页
    § · 计算单壁碳纳米管能带结构的一些模型和方法第17-21 页
    § · 计算单壁碳纳米管输运性质的一些模型和方法第21-25 页
    § · π 电子紧束缚模型下的实空间和 k 空间的格林函数方法第25-27 页
  § · 本论文的目标和概貌第27-30 页
第二章 碳纳米管中缺陷的对称性效应第30-52 页
  § · 研究背景第30-32 页
  § · 模型与计算方法第32-40 页
    § · π电子紧束缚模型下的哈密顿量第32-34 页
    § · 计算电导和态密度第34-40 页
  § · 单个缺陷的对称性效应第40-43 页
  § · 两个缺陷的对称性效应第43-50 页
  § · 小结第50-52 页
第三章 非磁性杂质引起的量子干涉效应第52-69 页
  § · 研究背景第52-55 页
  § · 模型与计算方法第55-58 页
  § · 硼杂质诱发的量子干涉效应第58-67 页
    § · 破坏镜面对称性的硼杂质第60-64 页
    § · 保持镜面对称性的硼杂质第64-67 页
  § · 小结第67-69 页
第四章 外电场对碳纳米管的电导和态密度的调制作用第69-91 页
  § · 研究背景第69-72 页
  § · 模型与计算方法第72-76 页
  § · 外电场对理想碳纳米管的电导和态密度的调制作用第76-82 页
  § · 外电场对含缺陷碳纳米管的电导和态密度的调制作用第82-90 页
  § · 小结第90-91 页
第五章 结论第91-94 页
附录 π 电子紧束缚模型下的 k 空间格林函数方法第94-99 页
参考文献第99-107 页
致谢第107 页
声 明第107-108 页
个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文第108页

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