1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作

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1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作

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1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作

论文目录
中文摘要	第1-6 页
英文摘要	第6-10 页
第一章导论	第10-13 页
· 半导体激光器的发展历程与现状	第10-11 页
· 半导体光放大器的发展历程与现状	第11-12 页
· 本论文解决的问题	第12-13 页
第二章量子阱激光器的主要特性分析	第13-25 页
· 量子阱的能量量子化	第13-16 页
· 量子阱的态密度	第16-17 页
· 量子阱激光器的透明载流子密度	第17-19 页
· 量子阱激光器的峰值增益系数	第19-22 页
· 量子阱激光器的微分增益系数	第22-24 页
· 总结	第24-25 页
第三章窄条形低阈值InGaAsP／InP量子阱激光器的结构优化	第25-36 页
· 引言	第25 页
· 条宽的优化	第25-27 页
· 腔长的优化	第27-32 页
· 阱数的优化	第32-35 页
· 结论	第35-36 页
第四章 1.3μm InGaAsP／InP量子阱激光器温度特性研究	第36-50 页
· 引言	第36-37 页
· 阈值电流特征温度模型	第37-40 页
· 阱数效应实验研究	第40-41 页
· 激光器结构生长及材料测试	第41-44 页
· 脊形波导结构激光器的制备	第44-45 页
· 阈值电流的温度特性	第45-48 页
· 功率代价的实验结果	第48-49 页
· 结论	第49-50 页
第五章 AlInAs电子阻挡层对激光器高温特性的改善	第50-59 页
· 引言	第50-51 页
· 器件结构与制作	第51-52 页
· 器件性能	第52-55 页
· 高温功率代价的理论研究	第55-58 页
· 结论	第58-59 页
第六章 1.34μm张应变量子阱激光器结构的优化	第59-67 页
· 引言	第59 页
· 张应变量子阱的生长和材料表征	第59-64 页
· 外延生长和材料结构	第59-60 页
6.2.2 应变阱宽垒层厚度生长温度对材料特性的影响	第60-62 页
· 阱数和垒层高度的影响	第62-64 页
· 器件特性	第64-66 页
· 结论	第66-67 页
第七章 1.31μm量子半导体阱光放大器的优化制作与性能分析	第67-79 页
· 引言	第67-68 页
· 结构设计	第68-69 页
· SOA的生长与制作	第69-70 页
· SOA的性能评估	第70-78 页
· 偏振分辨的ASE功率特性	第70-73 页
· CW信号增益的偏振特性	第73-75 页
· SOA组件的饱和输出功率	第75-76 页
· SOA组件的噪声指数	第76-78 页
· 结论	第78-79 页
第八章总结	第79-80 页
博士期间发表的论文	第80-81 页
参考文献	第81-94 页
致谢	第94 页

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