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3D封装工艺及可靠性研究

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3D封装工艺及可靠性研究

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-11页
1 绪论	第11-22页
1.1 引言	第11-12页
1.2 三维封装发展状况	第12-20页
1.2.1 3D封装技术的起源与发展	第12-15页
1.2.2 三维封装的主流技术	第15-19页
1.2.3 三维封装面临的技术问题及研究思路	第19-20页
1.3 课题来源、研究内容和论文组织结构	第20-22页
2 机械减薄工艺研究	第22-38页
2.1 引言	第22页
2.2 机械减薄工艺建模	第22-30页
2.2.1 机械磨削物理过程及亚表面损伤机理	第22-24页
2.2.2 有限元模型建立	第24-27页
2.2.3 仿真结果与分析	第27-30页
2.3 机械减薄工艺实验	第30-36页
本章小结	第36-38页
3 集成超薄TSV晶圆减薄工艺	第38-71页
3.1 引言	第38页
3.2 基于干法刻蚀的集成晶圆减薄工艺	第38-44页
3.3 基于湿法腐蚀的集成晶圆减薄工艺	第44-53页
3.3.1 集成各向同性湿法腐蚀的晶圆减薄工艺	第44-49页
3.3.2 基于各项异性湿法腐蚀的集成减薄工艺	第49-53页
3.4 超薄晶圆临时键合方法及拿持夹具	第53-64页
3.4.1 超薄晶圆临时键合方法	第53-61页
3.4.2 超薄晶圆拿持夹具	第61-64页
3.5 与TSV工艺兼容的晶圆减薄工艺	第64-69页
3.6 本章小结	第69-71页
4 芯片堆叠工艺仿真及实验	第71-96页
4.1 引言	第71-72页
4.2 铜-锡微凸块键合工艺	第72-81页
4.2.1 铜锡微凸块键合	第72-74页
4.2.2 高分子胶铜锡微凸块混杂键合	第74-78页
4.2.3 键合结构改良的铜锡微凸块键合	第78-81页
4.3 芯片键合模块热机械可靠性	第81-89页
4.3.1 BCB胶粘弹性(Visco-Elastic)测量	第81-83页
4.3.2 铜锡微凸块/BCB混杂键合芯片模块热机械可靠性	第83-87页
4.3.3 改良键合结构的铜锡微凸块键合芯片模块热机械可靠性	第87-89页
4.4 基于改良键合结构的铜-锡微凸块芯片堆叠	第89-95页
4.4.1 盲孔刻蚀与电镀	第89-90页
4.4.2 正反面铜锡凸块制作	第90-93页
4.4.3 划片及堆叠	第93-95页
4.5 本章小结	第95-96页
5 多孔纳米铜锡芯片堆叠工艺	第96-120页
5.1 引言	第96-97页
5.2 纳米多孔铜-锡微凸块键合	第97-104页
5.2.1 键合芯片样品制备	第97-99页
5.2.2 纳米多孔铜-锡微凸块制备	第99-102页
5.2.3 纳米多孔铜-锡键合模块力学性能	第102-104页
5.3 新型芯片堆叠方法	第104-110页
5.3.1 传统三维堆叠方法	第104-105页
5.3.2 基于硅通孔技术的三维堆叠方法	第105-108页
5.3.3 基于微通孔技术的新型三维堆叠方法	第108-110页
5.4 芯片堆叠模块可靠性研究	第110-119页
5.4.1 21层芯片堆叠模块	第111-115页
5.4.2 力学可靠性	第115-116页
5.4.3 热机械可靠性	第116-118页
5.4.4 电学性能测试	第118-119页
5.5 本章小结	第119-120页
6 全文总结与工作展望	第120-123页
6.1 本文工作总结	第120-121页
6.2 下一步工作展望	第121-123页
致谢	第123-124页
参考文献	第124-133页
附录	第133-135页
附录1 攻读学位期间发表学术论文目录	第133-135页
附录2 攻读学位期间申请专利目录	第135页

本篇论文共135页，点击这进入下载页面。

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