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活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与非金属基板低温活性焊接机理的研究

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活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与非金属基板低温活性焊接机理的研究
论文目录
 
摘要第1-8页
ABSTRACT第8-16页
第一章 绪论第16-40页
  1.1 微电子封装技术第16-27页
    1.1.1 基板材料第17-21页
    1.1.2 晶片键合技术第21-26页
    1.1.3 存在的问题与发展趋势第26-27页
  1.2 活性焊接的研究进展第27-37页
    1.2.1 高温活性焊接的研究第27-28页
    1.2.2 中温活性焊接的研究第28-30页
    1.2.3 低温活性焊接的研究第30-31页
    1.2.4 活性焊接机理的研究第31-37页
  1.3 研究内容及创新点第37-40页
    1.3.1 研究内容第37-38页
    1.3.2 创新点第38-40页
第二章 实验材料与研究方法第40-53页
  2.1 引言第40页
  2.2 研究方法与技术路线第40-42页
  2.3 实验材料第42-46页
    2.3.1 活性焊料第42-44页
    2.3.2 基板材料第44-46页
  2.4 焊接与分析方法第46-52页
    2.4.1 基板的焊接第46-47页
    2.4.2 分析方法第47-50页
    2.4.3 剪切实验第50-52页
  2.5 本章小结第52-53页
第三章 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)活性焊接的热力学分析第53-70页
  3.1 引言第53页
  3.2 金属与陶瓷的吸附能第53-58页
  3.3 固-液界面的热力学分析第58-64页
    3.3.1 经典润湿热力学第58-59页
    3.3.2 活性吸附时的热力学分析第59-62页
    3.3.3 润湿驱动力第62-64页
  3.4 界面反应的热力学分析第64-68页
    3.4.1 标准反应热效应计算第64-66页
    3.4.2 热力学简化计算方法第66-68页
  3.5 本章小结第68-70页
第四章 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Al_2O_3基板的低温活性焊接机理研究第70-87页
  4.1 引言第70页
  4.2 焊接界面的微观结构第70-76页
    4.2.1 界面微观结构和元素分布第70-76页
    4.2.2 焊接界面反应物的观察和分析第76页
  4.3 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Al_2O_3基板低温活性焊接机理分析第76-80页
    4.3.1 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Al_2O_3基板的反应热力学分析第76-77页
    4.3.2 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Al_2O_3基板的焊接动力学过程分析第77-79页
    4.3.3 Ti元素与Al_2O_3基板的活性吸附第79-80页
  4.4 焊接强度和断裂机制分析第80-86页
    4.4.1 焊接时间对焊接强度的影响第80-82页
    4.4.2 断裂机制分析第82-86页
  4.5 本章小结第86-87页
第五章 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Si基板的低温活性焊接机理研究第87-112页
  5.1 引言第87页
  5.2 焊接界面的微观结构第87-96页
    5.2.1 不同焊接时间的界面微观结构第87-91页
    5.2.2 焊接界面Ti元素的吸附行为第91-93页
    5.2.3 焊接界面反应物的观察和分析第93-96页
  5.3 恒温时效对Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/Si焊接界面形态演化的影响第96-102页
    5.3.1 焊接界面微观结构的演化第96-97页
    5.3.2 活性元素Ti在焊接界面分布的演化第97-100页
    5.3.3 焊接界面反应生成物的演化第100-102页
  5.4 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Si基板的低温活性焊接机理分析第102-105页
    5.4.1 Ti与Si基板的活性吸附第102页
    5.4.2 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Si基板的反应热力学分析第102-103页
    5.4.3 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与Si基板的焊接界面模型第103-104页
    5.4.4 恒温时效时Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/Si焊接界面形态演化机理第104-105页
  5.5 焊接强度和断裂机制分析第105-110页
    5.5.1 断裂机制分析第105-108页
    5.5.2 焊接时间对焊接强度的影响第108-109页
    5.5.3 恒温时效对焊接强度的影响第109-110页
  5.6 本章小结第110-112页
第六章 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的低温活性焊接机理研究第112-139页
  6.1 引言第112页
  6.2 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板焊接界面微观分析第112-120页
    6.2.1 不同焊接时间的焊接界面微观结构第112-115页
    6.2.2 焊接界面Ti元素的分布第115-116页
    6.2.3 焊接界面反应物的观察和分析第116-120页
  6.3 恒温时效对Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/SiO_2焊接界面形态演化的影响第120-124页
    6.3.1 焊接界面微观结构的演化第120-122页
    6.3.2 活性元素Ti在焊接界面分布的演化第122-124页
  6.4 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的低温活性焊接机理分析第124-128页
    6.4.1 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的反应热力学分析第124页
    6.4.2 Ti元素的活性吸附第124-126页
    6.4.3 Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的焊接动力学过程分析第126页
    6.4.4 恒温时效时Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/SiO_2焊接界面形态演化机理第126-128页
  6.5 焊接强度和断裂机制分析第128-133页
    6.5.1 断裂机制分析第128-131页
    6.5.2 焊接时间对焊接强度的影响第131-133页
    6.5.3 恒温时效对焊接强度的影响第133页
  6.6 不同基板材料对活性焊接的影响第133-137页
    6.6.1 不同基板的焊接强度分析第133-135页
    6.6.2 不同基板的焊接强度与焊接时间的关系第135-136页
    6.6.3 不同基板的焊接动力学规律第136-137页
  6.7 本章小结第137-139页
结论与展望第139-142页
参考文献第142-155页
攻读博士学位期间取得的研究成果第155-157页
致谢第157-158页
答辩委员会对论文的评定意见第158页

本篇论文共158页,点击这进入下载页面
 
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