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集成电路新型ESD防护器件研究

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集成电路新型ESD防护器件研究

论文目录
致谢	第1-7页
摘要	第7-9页
ABSTRACT	第9-11页
缩略词表	第11-17页
1 绪论	第17-39页
1.1 课题背景及意义	第17-19页
1.2 ESD模型及测试方法	第19-31页
1.2.1 组件级模型及测试	第19-24页
1.2.2 系统级模型及测试	第24-28页
1.2.3 传输线脉冲模型及测试	第28-30页
1.2.4 小结	第30-31页
1.3 ESD防护设计概述	第31-34页
1.3.1 防护窗口的概念	第32-34页
1.3.2 设计流程和工具	第34页
1.4 国内外研究现状	第34-36页
1.5 本文的主要内容和组织结构	第36-39页
2 ESD防护器件及原理	第39-64页
2.1 ESD防护器件概述	第39-40页
2.2 ESD防护器件相关的典型物理机制	第40-48页
2.2.1 触发机制	第40-45页
2.2.2 热击穿失效机制	第45-47页
2.2.3 电导调制效应	第47-48页
2.3 基本的ESD防护器件研究	第48-62页
2.3.1 二极管	第48-51页
2.3.2 栅接地NMOS器件	第51-53页
2.3.3 可控硅器件	第53-55页
2.3.4 N阱(Nwell)电阻	第55-62页
2.4 本章小节	第62-64页
3 组件级ESD防护器件设计	第64-100页
3.1 概述	第64页
3.2 基于CMOS工艺的GGISCR器件设计	第64-78页
3.2.1 现有技术概述	第64-65页
3.2.2 GGISCR器件的基本原理与特性	第65-70页
3.2.3 TCAD仿真与物理机理阐述	第70-74页
3.2.4 GGISCR器件特性的进一步研究与总结	第74-78页
3.3 基于BCD工艺的新型器件设计	第78-98页
3.3.1 新型堆叠高压电源钳位单元设计	第79-85页
3.3.2 新型FP-LDMOS-SCR器件设计	第85-94页
3.3.3 80V BCD工艺中的LDMOS-SCR器件设计	第94-98页
3.4 本章小节	第98-100页
4 系统级ESD防护器件设计	第100-120页
4.1 概述	第100-104页
4.1.1 片外系统级ESD防护设计概述	第100-102页
4.1.2 片上系统级ESD防护设计概述	第102-104页
4.2 基于GGISCR结构的高鲁棒性器件设计	第104-114页
4.2.1 版图设计与器件特性	第104-109页
4.2.2 系统级ESD防护性能评估	第109-114页
4.3 高速穿通型瞬态电压抑制器设计	第114-118页
4.4 本章小节	第118-120页
5 总结与展望	第120-123页
5.1 总结	第120-121页
5.2 展望	第121-123页
参考文献	第123-133页
作者简历及在学期间所取得的科研成果	第133-135页
作者简历	第133页
参加的科研项目	第133页
发表的文章	第133-134页
相关专利	第134-135页

本篇论文共135页，点击这进入下载页面。

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