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三维系统级封装内垂直互连的高频电磁特性研究与设计

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三维系统级封装内垂直互连的高频电磁特性研究与设计
论文目录
 
致谢第1-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-20页
第1章 绪论第20-35页
  1.1 研究背景第20-22页
  1.2 研究目的第22-24页
  1.3 国内外研究现状第24-32页
    1.3.1 基于等效模型的TSV电磁特性研究第26-28页
    1.3.2 基于多模式分析的TSV电磁特性研究第28页
    1.3.3 基于解析法的TSV阵列电磁特性研究第28-29页
    1.3.4 基于准静态半导体等效模型的TSV电磁特性研究第29-31页
    1.3.5 基于全波算法的TSV优化方法研究第31页
    1.3.6 基于TSV测试方法的研究第31-32页
  1.4 研究内容第32-34页
  1.5 组织结构第34-35页
第2章 封装基板垂直结构快速优化算法研究第35-64页
  2.1 封装基板垂直结构的电源完整性问题第35-41页
  2.2 电源地阻抗二维镜像算法第41-50页
    2.2.1 镜像算法互阻抗验证第44-46页
    2.2.2 镜像算法自阻抗验证第46-47页
    2.2.3 镜像算法实验验证第47-48页
    2.2.4 镜像算法优势分析第48-50页
  2.3 电源地阻抗镜像-模式混合算法第50-61页
    2.3.1 电源地阻抗镜像-模式混合算法原理第50-53页
    2.3.2 镜像-模式混合算法实验验证第53-55页
    2.3.3 镜像-模式混合算法的收敛性分析第55-60页
    2.3.4 镜像-模式混合算法的效率分析第60-61页
  2.4 基于混合算法的复杂基板回路信号/电源完整性分析第61-62页
  2.5 本章小结第62-64页
第3章 封装转接板内的TSV精确电磁特性建模第64-98页
  3.1 封装内转接板TSV的电磁特性问题第64-65页
  3.2 转接板内TSV基本模型第65-76页
    3.2.1 地-信号结构TSV模型第65-73页
    3.2.2 多TSV及多模式TSV模型第73-76页
  3.3 半导体载流子分布的寄生参数模型第76-78页
  3.4 TSV的金属-氧化层-半导体结构模型第78-87页
  3.5 TSV的金属-半导体接触结构模型第87-94页
    3.5.1 TSV的金属-半导体直接接触分析第87-88页
    3.5.2 TSV的欧姆接触模型第88-92页
    3.5.3 TSV的肖特基接触模型第92-94页
  3.6 基于半导体效应寄生参数的TSV精确模型分析第94-97页
  3.7 本章小结第97-98页
第4章 基于MS直接接触模型的TSV屏蔽结构设计第98-121页
  4.1 转接板内TSV寄生参数问题第98页
  4.2 地TSV采用MS直接接触的四端口屏蔽结构设计与研究第98-110页
    4.2.1 接触电阻的理论建模与阈值分析第99-105页
    4.2.2 屏蔽效能的时域分析第105-110页
  4.3 TSV阵列的新型屏蔽结构设计第110-113页
  4.4 水平互连的新型屏蔽结构设计第113-120页
    4.4.1 水平RDL屏蔽结构第114页
    4.4.2 耦合串扰和插入损耗模型第114-116页
    4.4.3 耦合串扰场分析第116页
    4.4.4 新屏蔽结构的实验验证第116-120页
  4.5 本章小结第120-121页
第5章 TSV测试方法研究与设计第121-136页
  5.1 TSV测试难点第121页
  5.2 TSV互连去嵌入算法第121-128页
  5.3 基于去嵌入算法的新型冗余屏蔽结构设计第128-135页
  5.4 本章小结第135-136页
第6章 结论与展望第136-140页
  6.1 结论第136-138页
  6.2 未来展望第138-140页
参考文献第140-148页
个人简介第148-149页

本篇论文共149页,点击这进入下载页面
 
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