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三维系统级封装内垂直互连的高频电磁特性研究与设计
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三维系统级封装内垂直互连的高频电磁特性研究与设计
论文目录
致谢
第1-6页
摘要
第6-8页
Abstract
第8-20页
第1章 绪论
第20-35页
1.1 研究背景
第20-22页
1.2 研究目的
第22-24页
1.3 国内外研究现状
第24-32页
1.3.1 基于等效模型的TSV电磁特性研究
第26-28页
1.3.2 基于多模式分析的TSV电磁特性研究
第28页
1.3.3 基于解析法的TSV阵列电磁特性研究
第28-29页
1.3.4 基于准静态半导体等效模型的TSV电磁特性研究
第29-31页
1.3.5 基于全波算法的TSV优化方法研究
第31页
1.3.6 基于TSV测试方法的研究
第31-32页
1.4 研究内容
第32-34页
1.5 组织结构
第34-35页
第2章 封装基板垂直结构快速优化算法研究
第35-64页
2.1 封装基板垂直结构的电源完整性问题
第35-41页
2.2 电源地阻抗二维镜像算法
第41-50页
2.2.1 镜像算法互阻抗验证
第44-46页
2.2.2 镜像算法自阻抗验证
第46-47页
2.2.3 镜像算法实验验证
第47-48页
2.2.4 镜像算法优势分析
第48-50页
2.3 电源地阻抗镜像-模式混合算法
第50-61页
2.3.1 电源地阻抗镜像-模式混合算法原理
第50-53页
2.3.2 镜像-模式混合算法实验验证
第53-55页
2.3.3 镜像-模式混合算法的收敛性分析
第55-60页
2.3.4 镜像-模式混合算法的效率分析
第60-61页
2.4 基于混合算法的复杂基板回路信号/电源完整性分析
第61-62页
2.5 本章小结
第62-64页
第3章 封装转接板内的TSV精确电磁特性建模
第64-98页
3.1 封装内转接板TSV的电磁特性问题
第64-65页
3.2 转接板内TSV基本模型
第65-76页
3.2.1 地-信号结构TSV模型
第65-73页
3.2.2 多TSV及多模式TSV模型
第73-76页
3.3 半导体载流子分布的寄生参数模型
第76-78页
3.4 TSV的金属-氧化层-半导体结构模型
第78-87页
3.5 TSV的金属-半导体接触结构模型
第87-94页
3.5.1 TSV的金属-半导体直接接触分析
第87-88页
3.5.2 TSV的欧姆接触模型
第88-92页
3.5.3 TSV的肖特基接触模型
第92-94页
3.6 基于半导体效应寄生参数的TSV精确模型分析
第94-97页
3.7 本章小结
第97-98页
第4章 基于MS直接接触模型的TSV屏蔽结构设计
第98-121页
4.1 转接板内TSV寄生参数问题
第98页
4.2 地TSV采用MS直接接触的四端口屏蔽结构设计与研究
第98-110页
4.2.1 接触电阻的理论建模与阈值分析
第99-105页
4.2.2 屏蔽效能的时域分析
第105-110页
4.3 TSV阵列的新型屏蔽结构设计
第110-113页
4.4 水平互连的新型屏蔽结构设计
第113-120页
4.4.1 水平RDL屏蔽结构
第114页
4.4.2 耦合串扰和插入损耗模型
第114-116页
4.4.3 耦合串扰场分析
第116页
4.4.4 新屏蔽结构的实验验证
第116-120页
4.5 本章小结
第120-121页
第5章 TSV测试方法研究与设计
第121-136页
5.1 TSV测试难点
第121页
5.2 TSV互连去嵌入算法
第121-128页
5.3 基于去嵌入算法的新型冗余屏蔽结构设计
第128-135页
5.4 本章小结
第135-136页
第6章 结论与展望
第136-140页
6.1 结论
第136-138页
6.2 未来展望
第138-140页
参考文献
第140-148页
个人简介
第148-149页
本篇论文共
149
页,
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