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PZT厚膜热释电材料及非制冷红外器件技术研究

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PZT厚膜热释电材料及非制冷红外器件技术研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 绪论第12-23页
  1.1 引言第12-13页
  1.2 热释电材料概述第13-21页
    1.2.1 热释电材料研究进展与现状第14-18页
    1.2.2 硅基PZT厚膜材料的研究现状第18-21页
  1.3 本文选题背景及意义第21-23页
第二章 实验方法第23-36页
  2.1 直流磁控溅射第23-24页
  2.2 粉体制备技术第24-26页
  2.3 纳米棒制备方法第26-27页
  2.4 材料微观结构测试方法第27-30页
    2.4.1 X射线衍射第27-28页
    2.4.2 扫描电子显微镜第28-29页
    2.4.3 透射电子显微镜第29页
    2.4.4 原子力显微镜第29-30页
  2.5 热释电材料电性能与红外探测器性能测试方法第30-36页
    2.5.1 热释电材料电性能测试第30-32页
    2.5.2 红外探测器的性能测试第32-36页
第三章 电泳沉积法制备PZT厚膜研究第36-62页
  3.1 引言第36页
  3.2 水热法制备PZT纳米粉第36-42页
    3.2.1 矿化剂浓度优化实验第37-38页
    3.2.2 水热温度优化第38-39页
    3.2.3 不同钛源优化实验第39-42页
  3.3 悬浮液的制备实验第42-49页
    3.3.1 悬浮液中PZT粉体的分散行为第42-44页
    3.3.2 PH值对悬浮液稳定性的影响第44-47页
    3.3.3 PVP含量对悬浮液稳定性的影响第47-49页
  3.4 电泳沉积理论与实验研究第49-61页
    3.4.1 电泳沉积动力学模型第49-51页
    3.4.2 恒压模式电泳沉积制备PZT厚膜研究第51-61页
  3.5 本章小结第61-62页
第四章 PZT厚膜材料制备方法研究第62-76页
  4.1 引言第62页
  4.2 PZT厚膜助烧剂研究第62-67页
    4.2.1 PGO助烧剂的制备第63页
    4.2.2 PGO含量与烧结温度对厚膜材料性能的影响第63-67页
  4.3 Si/Pb互扩散阻挡层研究第67-72页
    4.3.1 Ti Ox扩散阻挡层的制备第67-68页
    4.3.2 Ti Ox扩散阻挡层对材料性能的影响第68-72页
  4.4 冷等静压对厚膜材料的影响第72-74页
  4.5 本章小结第74-76页
第五章 PZT厚膜红外探测器设计及制备第76-92页
  5.1 引言第76页
  5.2 热传递分析第76-84页
    5.2.1 硅杯器件结构及其热传递分析第76-79页
    5.2.2 热隔离槽对热传递的影响第79-80页
    5.2.3 底部支撑层厚度对热传递的影响第80-82页
    5.2.4 微桥悬梁臂对热绝缘的影响第82-84页
  5.3 双硅杯PZT厚膜器件制备工艺第84-88页
    5.3.1 器件制作MEMS工艺流程第84-86页
    5.3.2 器件制备的关键工艺第86-88页
  5.4 PZT厚膜红外探测器性能测试第88-91页
  5.5 本章小结第91-92页
第六章 PZT单晶纳米棒及多孔厚膜材料研究第92-115页
  6.1 引言第92页
  6.2 水热法制备PZT纳米棒第92-96页
    6.2.1 PZT纳米棒制备工艺流程第92-93页
    6.2.2 表面活性剂合成纳米棒的微观机制第93-96页
  6.3 PZT纳米棒阵列研究第96-106页
    6.3.1 水热法生长PZT纳米棒阵列的衬底确定第96-98页
    6.3.2 表面成核密度研究第98-104页
    6.3.3 PZT纳米棒热释电系数测试第104-106页
  6.4 PZT纳米棒对厚膜材料与器件的影响研究第106-111页
    6.4.1 单晶纳米棒掺杂的PZT厚膜制备第106页
    6.4.2 纳米棒掺杂的PZT厚膜材料表征及孔洞结构形成机制研究第106-109页
    6.4.3 纳米棒掺杂的PZT厚膜材料性能测试第109-111页
  6.5 单晶纳米棒掺杂的PZT厚膜器件性能测试第111-114页
  6.6 本章小节第114-115页
第七章 结论第115-118页
  7.1 工作小结第115-116页
  7.2 主要创新点第116页
  7.3 对进一步研究的建议第116-118页
致谢第118-119页
参考文献第119-127页
攻读博士学位期间取得的成果第127-128页

本篇论文共128页,点击这进入下载页面
 
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