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PZT厚膜热释电材料及非制冷红外器件技术研究
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PZT厚膜热释电材料及非制冷红外器件技术研究
论文目录
摘要
第1-7页
ABSTRACT
第7-12页
第一章 绪论
第12-23页
1.1 引言
第12-13页
1.2 热释电材料概述
第13-21页
1.2.1 热释电材料研究进展与现状
第14-18页
1.2.2 硅基PZT厚膜材料的研究现状
第18-21页
1.3 本文选题背景及意义
第21-23页
第二章 实验方法
第23-36页
2.1 直流磁控溅射
第23-24页
2.2 粉体制备技术
第24-26页
2.3 纳米棒制备方法
第26-27页
2.4 材料微观结构测试方法
第27-30页
2.4.1 X射线衍射
第27-28页
2.4.2 扫描电子显微镜
第28-29页
2.4.3 透射电子显微镜
第29页
2.4.4 原子力显微镜
第29-30页
2.5 热释电材料电性能与红外探测器性能测试方法
第30-36页
2.5.1 热释电材料电性能测试
第30-32页
2.5.2 红外探测器的性能测试
第32-36页
第三章 电泳沉积法制备PZT厚膜研究
第36-62页
3.1 引言
第36页
3.2 水热法制备PZT纳米粉
第36-42页
3.2.1 矿化剂浓度优化实验
第37-38页
3.2.2 水热温度优化
第38-39页
3.2.3 不同钛源优化实验
第39-42页
3.3 悬浮液的制备实验
第42-49页
3.3.1 悬浮液中PZT粉体的分散行为
第42-44页
3.3.2 PH值对悬浮液稳定性的影响
第44-47页
3.3.3 PVP含量对悬浮液稳定性的影响
第47-49页
3.4 电泳沉积理论与实验研究
第49-61页
3.4.1 电泳沉积动力学模型
第49-51页
3.4.2 恒压模式电泳沉积制备PZT厚膜研究
第51-61页
3.5 本章小结
第61-62页
第四章 PZT厚膜材料制备方法研究
第62-76页
4.1 引言
第62页
4.2 PZT厚膜助烧剂研究
第62-67页
4.2.1 PGO助烧剂的制备
第63页
4.2.2 PGO含量与烧结温度对厚膜材料性能的影响
第63-67页
4.3 Si/Pb互扩散阻挡层研究
第67-72页
4.3.1 Ti Ox扩散阻挡层的制备
第67-68页
4.3.2 Ti Ox扩散阻挡层对材料性能的影响
第68-72页
4.4 冷等静压对厚膜材料的影响
第72-74页
4.5 本章小结
第74-76页
第五章 PZT厚膜红外探测器设计及制备
第76-92页
5.1 引言
第76页
5.2 热传递分析
第76-84页
5.2.1 硅杯器件结构及其热传递分析
第76-79页
5.2.2 热隔离槽对热传递的影响
第79-80页
5.2.3 底部支撑层厚度对热传递的影响
第80-82页
5.2.4 微桥悬梁臂对热绝缘的影响
第82-84页
5.3 双硅杯PZT厚膜器件制备工艺
第84-88页
5.3.1 器件制作MEMS工艺流程
第84-86页
5.3.2 器件制备的关键工艺
第86-88页
5.4 PZT厚膜红外探测器性能测试
第88-91页
5.5 本章小结
第91-92页
第六章 PZT单晶纳米棒及多孔厚膜材料研究
第92-115页
6.1 引言
第92页
6.2 水热法制备PZT纳米棒
第92-96页
6.2.1 PZT纳米棒制备工艺流程
第92-93页
6.2.2 表面活性剂合成纳米棒的微观机制
第93-96页
6.3 PZT纳米棒阵列研究
第96-106页
6.3.1 水热法生长PZT纳米棒阵列的衬底确定
第96-98页
6.3.2 表面成核密度研究
第98-104页
6.3.3 PZT纳米棒热释电系数测试
第104-106页
6.4 PZT纳米棒对厚膜材料与器件的影响研究
第106-111页
6.4.1 单晶纳米棒掺杂的PZT厚膜制备
第106页
6.4.2 纳米棒掺杂的PZT厚膜材料表征及孔洞结构形成机制研究
第106-109页
6.4.3 纳米棒掺杂的PZT厚膜材料性能测试
第109-111页
6.5 单晶纳米棒掺杂的PZT厚膜器件性能测试
第111-114页
6.6 本章小节
第114-115页
第七章 结论
第115-118页
7.1 工作小结
第115-116页
7.2 主要创新点
第116页
7.3 对进一步研究的建议
第116-118页
致谢
第118-119页
参考文献
第119-127页
攻读博士学位期间取得的成果
第127-128页
本篇论文共
128
页,
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