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电子设备电磁屏蔽特性分析与设计方法研究
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电子设备电磁屏蔽特性分析与设计方法研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-16页
第一章 绪论第16-27页
　　1.1 课题的提出和研究目的第16-17页
　　1.2 电磁屏蔽研究的主要内容第17-18页
　　1.3 国内外研究现状第18-23页
　　1.4 论文的研究内容及创新点第23-26页
　　　　1.4.1 研究内容第23-25页
　　　　1.4.2 创新点第25-26页
　　1.5 论文的结构安排第26-27页
第二章 理论基础第27-44页
　　2.1 电磁场基本理论概述第27-31页
　　　　2.1.1 Maxwell方程第27-28页
　　　　2.1.2 本构关系第28-29页
　　　　2.1.3 媒质表面边界条件第29页
　　　　2.1.4 时谐电磁场第29页
　　　　2.1.5 静电场与静磁场第29页
　　　　2.1.6 矢量波动方程第29-30页
　　　　2.1.7 辐射边界条件第30页
　　　　2.1.8 高频传输线第30-31页
　　　　　　2.1.8.1 传输线方程第30-31页
　　　　　　2.1.8.2 带负载无耗传输线第31页
　　2.2 时域传输线矩阵法第31-39页
　　　　2.2.1 基本原理第31-34页
　　　　2.2.2 波的TLM表示第34-35页
　　　　2.2.3 对称凝缩节点第35-38页
　　　　2.2.4 TLM的求解步骤第38-39页
　　2.3 电磁屏蔽原理第39-44页
　　　　2.3.1 屏蔽效果的定量评价第39-40页
　　　　2.3.2 电磁屏蔽的干扰源第40页
　　　　2.3.3 全屏蔽屏蔽效能的计算第40-44页
　　　　　　2.3.3.1 吸收损耗A第41-42页
　　　　　　2.3.3.2 反射损耗R第42-43页
　　　　　　2.3.3.3 多次反射损耗B第43页
　　　　　　2.3.3.4 非理想屏蔽结构第43-44页
第三章 屏蔽效能计算的解析法研究第44-59页
　　3.1 带孔缝矩形屏蔽腔第44-54页
　　　　3.1.1 Robinson模型第44-46页
　　　　3.1.2 Farhana模型第46-48页
　　　　3.1.3 Dan模型第48-49页
　　　　3.1.4 波导隔膜模型第49-54页
　　　　　　3.1.4.1 波导隔膜理论第50-51页
　　　　　　3.1.4.2 孔处于面板中央第51-53页
　　　　　　3.1.4.3 孔处于偏置位置第53-54页
　　　　　　3.1.4.4 高次模式第54页
　　3.2 带孔阵矩形屏蔽腔第54-57页
　　　　3.2.1 Dehkhoda模型第54-55页
　　　　3.2.2 Chen模型第55-56页
　　　　3.2.3 模型验证第56-57页
　　3.3 本章小结第57-59页
第四章 带孔缝屏蔽腔屏蔽设计方法及实验研究第59-82页
　　4.1 带孔缝屏蔽腔辐射的理论分析第59-63页
　　4.2 带孔缝屏蔽腔的谐振第63-64页
　　　　4.2.1 腔体谐振第63-64页
　　　　4.2.2 孔缝谐振第64页
　　　　4.2.3 腔体—孔缝耦合谐振第64页
　　　　4.2.4 腔体—源耦合谐振第64页
　　4.3 带孔缝屏蔽腔屏蔽性能分析第64-72页
　　　　4.3.1 缝隙屏蔽结构第65页
　　　　4.3.2 计算设置第65-67页
　　　　　　4.3.2.1 TLM时间步第65-66页
　　　　　　4.3.2.2 TLM网格信息第66页
　　　　　　4.3.2.3 传输功率与三米远电场第66-67页
　　　　4.3.3 计算结果与分析第67-72页
　　　　　　4.3.3.1 计算结果验证第67-68页
　　　　　　4.3.3.2 缝隙长度对谐振的影响第68-69页
　　　　　　4.3.3.3 缝隙位置对谐振的影响第69页
　　　　　　4.3.3.4 缝隙宽度对谐振的影响第69-70页
　　　　　　4.3.3.5 干扰源特性对谐振的影响第70-71页
　　　　　　4.3.3.6 损耗材料对谐振的影响第71-72页
　　　　　　4.3.3.7 腔体尺寸对谐振的影响第72页
　　4.4 主动屏蔽与被动屏蔽第72-73页
　　4.5 内部源激励下机箱屏蔽分析及测试第73-80页
　　　　4.5.1 几何建模与网格剖分第73-74页
　　　　4.5.2 仿真计算第74-77页
　　　　　　4.5.2.1 求解设置第74-75页
　　　　　　4.5.2.2 屏蔽特性仿真分析第75-77页
　　　　4.5.3 实验分析第77-80页
　　4.6 本章小结第80-82页
第五章 带孔阵屏蔽腔屏蔽设计方法及实验研究第82-103页
　　5.1 带孔阵屏蔽腔屏蔽性能分析第82-95页
　　　　5.1.1 对比验证第82-84页
　　　　5.1.2 孔阵模型第84-86页
　　　　5.1.3 干扰波性质第86-91页
　　　　　　5.1.3.1 干扰波极化方向第87-88页
　　　　　　5.1.3.2 干扰波入射方向第88-91页
　　　　5.1.4 孔参数第91-94页
　　　　　　5.1.4.1 孔间距第91-93页
　　　　　　5.1.4.2 孔形状第93-94页
　　　　5.1.5 讨论第94-95页
　　5.2 平面波激励下机箱屏蔽分析及测试第95-102页
　　　　5.2.1 几何建模与网格剖分第96页
　　　　5.2.2 仿真计算第96-99页
　　　　　　5.2.2.1 求解设置第96-97页
　　　　　　5.2.2.2 屏蔽特性仿真分析第97-99页
　　　　5.2.3 实验分析第99-102页
　　5.3 本章小结第102-103页
第六章 基于FETD的屏蔽建模与分析方法研究第103-122页
　　6.1 时域有限元法第103-111页
　　　　6.1.1 基本原理第103-105页
　　　　6.1.2 三维矢量基函数第105-109页
　　　　6.1.3 吸收边界条件第109-110页
　　　　6.1.4 波导边界条件第110页
　　　　6.1.5 集总电阻模型第110-111页
　　6.2 FETD建模理论第111-113页
　　　　6.2.1 FETD流程第111-112页
　　　　6.2.2 建模的一般步骤第112页
　　　　6.2.3 建模的一般原则第112-113页
　　　　　　6.2.3.1 保证计算精度第112-113页
　　　　　　6.2.3.2 控制模型规模第113页
　　6.3 数值结果第113-121页
　　　　6.3.1 屏蔽结构第113-114页
　　　　6.3.2 屏蔽分析的FETD第114-115页
　　　　6.3.3 计算配置第115-117页
　　　　　　6.3.3.1 FETD参数配置第115-116页
　　　　　　6.3.3.2 FETD网格配置第116-117页
　　　　6.3.4 计算结果与分析第117-121页
　　　　　　6.3.4.1 结果验证第117-119页
　　　　　　6.3.4.2 带孔阵屏蔽腔的辐射特性第119-121页
　　　　　　6.3.4.3 频率的影响第121页
　　6.4 本章小结第121-122页
第七章 基于FETD和PRONY法的强谐振结构屏蔽分析方法研究第122-133页
　　7.1 扩展Prony外推算法第123-125页
　　7.2 结果分析与验证第125-130页
　　　　7.2.1 外推必要性的说明第125-126页
　　　　7.2.2 外推过程第126-128页
　　　　7.2.3 验证第128-130页
　　7.3 外推效率第130-131页
　　7.4 讨论第131-132页
　　7.5 本章小结第132-133页
第八章 基于GPU加速FETD的屏蔽分析方法研究第133-149页
　　8.1 GPU与CUDA架构第134-136页
　　8.2 ILU预条件第136页
　　8.3 GPU加速组装集成第136-142页
　　　　8.3.1 传统CPU算法的瓶颈第137-138页
　　　　8.3.2 线程对应于单元第138页
　　　　8.3.3 线程对应于棱边第138-140页
　　　　8.3.4 线程对应于未知量——多GPU第140-142页
　　8.4 GPU加速求解器第142-143页
　　8.5 GPU加速比第143-147页
　　　　8.5.1 计算环境第144页
　　　　8.5.2 带孔缝屏蔽腔计算的加速比第144-145页
　　　　8.5.3 带孔阵屏蔽腔计算的加速比第145-147页
　　　　8.5.4 不同ILU参数组合的效果第147页
　　8.6 本章小结第147-149页
第九章 全文总结与展望第149-152页
　　9.1 全文总结第149-151页
　　9.2 后续展望第151-152页
致谢第152-153页
参考文献第153-164页
攻读博士学位期间取得的成果第164-166页

本篇论文共166页，点击这进入下载页面。
 
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