论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-40页 |
1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
1.2 位错及位错芯研究进展 | 第12-21页 |
1.2.1 引论 | 第12-14页 |
1.2.2 位错的发展史 | 第14-16页 |
1.2.3 纳米晶体中位错的研究进展 | 第16-18页 |
1.2.4 位错芯结构与塑性 | 第18-19页 |
1.2.5 位错芯理论模型 | 第19-21页 |
1.3 微纳米尺度下位错模拟方法 | 第21-29页 |
1.3.1 离散位错动力学模拟 | 第22-24页 |
1.3.2 分子动力学模拟 | 第24-29页 |
1.4 纳米力学实验分析技术 | 第29-38页 |
1.4.1 云纹干涉法 | 第30页 |
1.4.2 数字散斑 | 第30-31页 |
1.4.3 网格法 | 第31-32页 |
1.4.4 电子束云纹法 | 第32-33页 |
1.4.5 极值点定位 | 第33页 |
1.4.6 纳米云纹法 | 第33页 |
1.4.7 几何相位分析 | 第33-37页 |
1.4.8 其它分析方法 | 第37-38页 |
1.5 课题提出及研究内容 | 第38-40页 |
第二章 实验方法 | 第40-53页 |
2.1 透射电子显微实验 | 第40-42页 |
2.1.1 透射电子显微实验试样的制备 | 第40-41页 |
2.1.1.1 TEM试样制作厚度的要求 | 第40页 |
2.1.1.2 TEM试样制作工艺的要求 | 第40-41页 |
2.1.1.3 TEM试样制作过程 | 第41页 |
2.1.2 透射电子显微实验过程 | 第41-42页 |
2.2 分子动力学模拟方法 | 第42-45页 |
2.2.1 初始条件 | 第43-44页 |
2.2.2 边界条件 | 第44-45页 |
2.2.3 原子势函数 | 第45页 |
2.2.4 时间步长的选择 | 第45页 |
2.3 几何相位分析方法 | 第45-53页 |
2.3.1 几何相位分析方法的原理 | 第47-49页 |
2.3.2 相位的计算方法 | 第49-50页 |
2.3.3 位移场的计算方法 | 第50-51页 |
2.3.4 应变场的计算方法 | 第51-52页 |
2.3.5 局部晶格常数的确定方法 | 第52-53页 |
第三章 一种新型固定位错芯结构的分子动力学模拟及实验观察 | 第53-64页 |
3.1 60°位错间的相互作用 | 第54-56页 |
3.1.1 模拟模型 | 第54-55页 |
3.1.2 模拟结果 | 第55-56页 |
3.2 45°位错间的相互作用 | 第56-59页 |
3.2.1 模拟模型 | 第56-57页 |
3.2.2 模拟结果 | 第57-59页 |
3.3 45°位错与60°位错的相互作用 | 第59-60页 |
3.3.1 模拟模型 | 第59-60页 |
3.3.2 模拟结果 | 第60页 |
3.4 固定位错的实验观察 | 第60-63页 |
3.5 本章小结 | 第63-64页 |
第四章 实验对比固定位错和可动位错并检验多种理论模型 | 第64-85页 |
4.1 透射电子显微实验 | 第61-66页 |
4.2 几何相位分析 | 第66-68页 |
4.3 位错芯应变场理论图像的绘制 | 第68-78页 |
4.3.1 线弹性理论的位错芯应变场 | 第68-72页 |
4.3.2 梯度弹性理论的位错芯应变场 | 第72-73页 |
4.3.3 弹塑性理论的位错芯应变场 | 第73-74页 |
4.3.4 Peierls-Nabarro模型的位错芯应变场 | 第74-77页 |
4.3.5 Huntington模型的位错芯应变场 | 第77-78页 |
4.4 实验与理论对比分析 | 第78-83页 |
4.5 本章小结 | 第83-85页 |
第五章 小角度晶界中的位错及位错间相互作用力的实验研究 | 第85-105页 |
5.1 实验检测小角度晶界中的位错 | 第86-92页 |
5.1.1 高分辨透射电子显微实验 | 第86-88页 |
5.1.2 几何相位分析小角度晶界 | 第88-92页 |
5.2 位错间相互作用力的实验研究 | 第92-101页 |
5.2.1 弹性理论中位错间相互作用力 | 第92-96页 |
5.2.2 几何相位分析位错间的相互作用 | 第96-101页 |
5.3 确定适用于小角度晶界位错的Foreman位错模型参数 | 第101-104页 |
5.4 本章小结 | 第104-105页 |
第六章 全文总结 | 第105-108页 |
6.1 总结 | 第105-106页 |
6.2 展望 | 第106-108页 |
致谢 | 第108-109页 |
参考文献 | 第109-125页 |
附录 | 第125页 |