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纳米掺杂AgSnO2电触头材料及其单晶硅类流态结构的研究
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纳米掺杂AgSnO2电触头材料及其单晶硅类流态结构的研究
论文目录
 
摘要第1-5 页
ABSTRACT第5-12 页
第一部分第12-88 页
　　第一章 绪论I第12-29 页
　　　　· 引言第12-13 页
　　　　· 银基氧化物电接触材料种类第13-17 页
　　　　　　· AgCdO 电接触材料第13-14 页
　　　　　　· AgSnO_2电接触材料第14-16 页
　　　　　　· AgZnO 电接触材料第16 页
　　　　　　· 银稀土氧化物电接触材料第16-17 页
　　　　· AgSnO_2电接触材料的制备工艺第17-19 页
　　　　· 材料的导电性第19-20 页
　　　　　　· 材料电阻的产生根源第19-20 页
　　　　　　· 合金化与电阻率的关系第20 页
　　　　· SnO_2半导体的掺杂第20-23 页
　　　　　　· 半导体的电导第21-22 页
　　　　　　· SnO_2半导体的掺杂模型第22-23 页
　　　　· 纳米掺杂材料第23-26 页
　　　　　　· 纳米材料第23-24 页
　　　　　　· 纳米材料的制备方法第24 页
　　　　　　· 溶胶凝胶法制备纳米微粒第24-26 页
　　　　　　· 纳米掺杂材料的特性第26 页
　　　　· AgSnO_2电接触材料存在的问题第26-27 页
　　　　· 课题背景第27-29 页
　　第二章 纳米掺杂SnO_2粉末的研究第29-49 页
　　　　· 引言第29-30 页
　　　　· 实验原料与设备方法第30-32 页
　　　　　　· 实验原料第30-31 页
　　　　　　· 实验设备第31-32 页
　　　　· 实验结果和讨论第32-43 页
　　　　　　· 纳米掺杂SnO_2溶胶的制备第32-33 页
　　　　　　· 纳米掺杂SnO_2粉末的X-衍射分析第33-34 页
　　　　　　· 两种掺杂粉末的XRD 比较分析第34-36 页
　　　　　　· 纳米掺杂SnO_2粉末的SEM分析第36-37 页
　　　　　　· DTA-TG 差热分析第37-38 页
　　　　　　· 热处理温度对纳米掺杂SnO_2的影响第38-41 页
　　　　　　· 掺杂物种类的选择第41-42 页
　　　　　　· 掺杂量的计算第42-43 页
　　　　· 分析与讨论第43-48 页
　　　　　　· 纳米掺杂的结构和能带分析第43-46 页
　　　　　　· 热处理温度与晶体长大过程分析第46-47 页
　　　　　　· 晶粒尺寸对电阻的影响分析第47-48 页
　　　　· 本章小结第48-49 页
　　第三章 SnO_2纳米微粒的表面修饰第49-63 页
　　　　· 引言第49-50 页
　　　　· 实验材料及设备第50-51 页
　　　　　　· 实验材料第50 页
　　　　　　· 实验仪器设备第50-51 页
　　　　· 结果分析及讨论第51-60 页
　　　　　　· 分散剂的表面修饰第52-54 页
　　　　　　　　· 纳米SnO_2凝胶的TEM分析第52 页
　　　　　　　　· 纳米SnO_2干燥粉末的SEM第52-53 页
　　　　　　　　· 表面修饰的作用分析第53-54 页
　　　　　　· 表面化学镀修饰第54-60 页
　　　　　　　　· 化学镀修饰的原理及工艺第54-56 页
　　　　　　　　· 化学镀修饰XRD 分析第56-57 页
　　　　　　　　· 化学镀修饰的SEM 分析第57-58 页
　　　　　　　　· 化学镀修饰对触头性能的影响第58-60 页
　　　　· 分析与讨论第60-61 页
　　　　· 本章小结第61-63 页
　　第四章 AgSnO_2电接触材料性能分析第63-80 页
　　　　· 引言第63-64 页
　　　　· 实验材料及设备第64-65 页
　　　　　　· 实验材料第64 页
　　　　　　· 实验设备第64-65 页
　　　　· 材料的制备工艺第65-66 页
　　　　· 分析与讨论第66-69 页
　　　　　　· 纳米AgSnO_2表面成分分析第66-67 页
　　　　　　· 纳米掺杂AgSnO_2的显微组织分析第67-68 页
　　　　　　· 纳米银氧化锡触头材料的性能分析第68-69 页
　　　　· 纳米AgSnO_2触头材料热处理工艺研究第69-79 页
　　　　　　· 最佳退火温度的选择第70-71 页
　　　　　　· 退火时间的选择第71 页
　　　　　　· 热处理工艺对AgSnO_2材料性能的影响第71-72 页
　　　　　　· 纳米AgSnO_2断口形貌和成分分析第72-76 页
　　　　　　· 分析与讨论第76-79 页
　　　　　　　　· 纳米AgSnO_2材料的超塑性分析第76-77 页
　　　　　　　　· 纳米AgSnO_2材料的弥散强化分析第77 页
　　　　　　　　· 纳米AgSnO_2材料的塑性变形分析第77-78 页
　　　　　　　　· 纳米AgSnO_2材料的退火特性分析第78-79 页
　　　　· 本章小结第79-80 页
　　第五章 第一部分总结第80-82 页
　　参考文献第82-88 页
第二部分第88-132 页
　　第六章 绪论第88-104 页
　　　　· 引言第88 页
　　　　· 类流态的特征第88-89 页
　　　　· 类流态研究现状第89-90 页
　　　　· 材料的结构第90-91 页
　　　　　　· 晶体结构第90 页
　　　　　　· 空间点阵第90-91 页
　　　　· 单晶硅的基本性质第91-98 页
　　　　　　· 物理化学性质第91 页
　　　　　　· 硅的晶体结构第91-93 页
　　　　　　· 硅的表面结构第93-94 页
　　　　　　· 硅的化学键第94-95 页
　　　　　　· 硅晶体的能带结构第95-96 页
　　　　　　· 硅晶体的缺陷第96-97 页
　　　　　　· 单晶硅的应用第97-98 页
　　　　· 非平衡与耗散结构第98-100 页
　　　　　　· 平衡态、非平衡态与恒定状态第98 页
　　　　　　· 局部平衡假设第98-99 页
　　　　　　· 耗散结构第99-100 页
　　　　· 单晶体的晶格动力学模型第100-102 页
　　　　· 课题的研究意义和前景第102-103 页
　　　　· 本文拟开展的工作第103-104 页
　　第七章 单晶硅类流态组织的观察第104-115 页
　　　　· 引言第104 页
　　　　· 实验材料和仪器设备第104-105 页
　　　　　　· 实验材料第104-105 页
　　　　　　· 实验仪器设备第105 页
　　　　· 分析与讨论第105-114 页
　　　　　　· 单晶硅类流态胞区的振荡过程第105-106 页
　　　　　　· 类流态胞区的萌生第106-107 页
　　　　　　· 类流态胞的衰变和消失第107-109 页
　　　　　　· 胞区对温度场的反应第109-111 页
　　　　　　· 类流态胞区的非平衡运动第111-114 页
　　　　· 本章小节第114-115 页
　　第八章 单晶硅类流态组织的结构与能量计算第115-126 页
　　　　· 引言第115-116 页
　　　　· 实验材料与设备第116 页
　　　　　　· 试样的制备第116 页
　　　　　　· 实验仪器设备第116 页
　　　　· 单晶X-射线衍射结构分析第116-125 页
　　　　　　· 衍射数据的搜集和晶体结构数据第116-119 页
　　　　　　· 立方硅1 和四方硅2 的结构分析第119-121 页
　　　　　　· 立方硅1 的能量计算第121-123 页
　　　　　　· 四方硅2 的全能量计算第123-125 页
　　　　· 本章小节第125-126 页
　　第九章 第二部分总结第126-128 页
　　今后工作设想第128-129 页
　　参考文献第129-132 页
博期间发表的论文第132-134 页
致谢第134 页

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