论文目录 | |
摘要 | 第1-7页 |
abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-36页 |
1.1 研究背景 | 第12-17页 |
1.1.1 薄膜传感器的国内外研究现状 | 第15-16页 |
1.1.2 薄膜传感器研制技术难点 | 第16-17页 |
1.2 Al_2O_3薄膜研究现状 | 第17-25页 |
1.2.1 Al_2O_3的国内外研究现状 | 第22-23页 |
1.2.2 Al_2O_3薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
1.3 薄膜应力研究现状 | 第25-29页 |
1.3.1 薄膜应力的起源与分类 | 第26页 |
1.3.2 控制薄膜应力的有效方法 | 第26-29页 |
1.4 倾斜沉积薄膜的微观结构及特性变化规律 | 第29-34页 |
1.5 论文选题依据及研究内容 | 第34-36页 |
第二章 实验方法 | 第36-47页 |
2.1 Al_2O_3薄膜倾斜沉积制备方法 | 第36-39页 |
2.2 薄膜制备工艺 | 第39-40页 |
2.3 结构测试方法 | 第40-43页 |
2.3.1 X射线衍射分析(X-ray diffraction, XRD) | 第40-42页 |
2.3.2 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM) | 第42-43页 |
2.4 性能测试方法 | 第43-46页 |
2.4.1 电学性能测试 | 第43-44页 |
2.4.2 透射率测试 | 第44页 |
2.4.3 应力的测试 | 第44-45页 |
2.4.4 热学性能测试 | 第45-46页 |
2.5 本章小结 | 第46-47页 |
第三章 电子束蒸发氧化铝薄膜的微观结构 | 第47-69页 |
3.1 工艺参数对Al_2O_3薄膜形貌的影响 | 第47-50页 |
3.1.1 倾斜角度对Al_2O_3薄膜形貌的影响 | 第47-48页 |
3.1.2 基片温度对Al_2O_3薄膜形貌的影响 | 第48-50页 |
3.2 工艺参数对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响 | 第50-53页 |
3.2.1 基片温度对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响 | 第50-51页 |
3.2.2 沉积速率对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响 | 第51-52页 |
3.2.3 倾斜沉积Al_2O_3薄膜表面粗化机理 | 第52-53页 |
3.3 倾斜沉积Al_2O_3薄膜的结晶形态 | 第53-54页 |
3.4 Al_2O_3薄膜的折射率 | 第54-62页 |
3.5 Al_2O_3薄膜的孔隙率 | 第62-68页 |
3.5.1 有效介质近似(Effective Medium Approximation) | 第62-65页 |
3.5.2 OAD技术沉积Al_2O_3薄膜的有效孔隙率 | 第65-68页 |
3.6 本章小结 | 第68-69页 |
第四章 电子束蒸发氧化铝薄膜的性能 | 第69-86页 |
4.1 Al_2O_3薄膜残余应力研究 | 第69-74页 |
4.1.1 薄膜残余应力计算方法 | 第69-71页 |
4.1.2 Al_2O_3薄膜残余应力 | 第71-74页 |
4.2 Al_2O_3薄膜热导率研究 | 第74-81页 |
4.2.1 3ω 法的测试原理 | 第74-76页 |
4.2.2 Al_2O_3薄膜的热导率 | 第76-81页 |
4.3 Al_2O_3薄膜电导率研究 | 第81-84页 |
4.3.1 电导率的计算方法 | 第81-82页 |
4.3.2 Al_2O_3薄膜的电导率 | 第82-84页 |
4.4 本章小结 | 第84-86页 |
第五章 绝缘层薄膜建构的探索 | 第86-109页 |
5.1 MgO缓冲层与Al_2O_3绝缘层的组合 | 第86-96页 |
5.1.1 倾斜沉积MgO薄膜的微观结构与应力 | 第88-92页 |
5.1.2 MgO缓冲层与Al_2O_3绝缘层组合薄膜的性能 | 第92-96页 |
5.2 MgO填充层与Al_2O_3绝缘层的组合 | 第96-102页 |
5.2.1 倾斜沉积Al_2O_3薄膜对MgO薄膜结构的影响 | 第96-97页 |
5.2.2 MgO填充层与Al_2O_3绝缘层组合薄膜的性能 | 第97-102页 |
5.3 Al_2O_3填充层与Al_2O_3绝缘层的组合 | 第102-108页 |
5.4 本章小结 | 第108-109页 |
第六章 结论 | 第109-111页 |
致谢 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-128页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第128-129页 |
附录 | 第129-131页 |