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电子束蒸发倾斜沉积氧化铝薄膜结构与性质研究

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电子束蒸发倾斜沉积氧化铝薄膜结构与性质研究
论文目录
 
摘要第1-7页
abstract第7-12页
第一章 绪论第12-36页
  1.1 研究背景第12-17页
    1.1.1 薄膜传感器的国内外研究现状第15-16页
    1.1.2 薄膜传感器研制技术难点第16-17页
  1.2 Al_2O_3薄膜研究现状第17-25页
    1.2.1 Al_2O_3的国内外研究现状第22-23页
    1.2.2 Al_2O_3薄膜的制备方法第23-25页
  1.3 薄膜应力研究现状第25-29页
    1.3.1 薄膜应力的起源与分类第26页
    1.3.2 控制薄膜应力的有效方法第26-29页
  1.4 倾斜沉积薄膜的微观结构及特性变化规律第29-34页
  1.5 论文选题依据及研究内容第34-36页
第二章 实验方法第36-47页
  2.1 Al_2O_3薄膜倾斜沉积制备方法第36-39页
  2.2 薄膜制备工艺第39-40页
  2.3 结构测试方法第40-43页
    2.3.1 X射线衍射分析(X-ray diffraction, XRD)第40-42页
    2.3.2 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)第42-43页
  2.4 性能测试方法第43-46页
    2.4.1 电学性能测试第43-44页
    2.4.2 透射率测试第44页
    2.4.3 应力的测试第44-45页
    2.4.4 热学性能测试第45-46页
  2.5 本章小结第46-47页
第三章 电子束蒸发氧化铝薄膜的微观结构第47-69页
  3.1 工艺参数对Al_2O_3薄膜形貌的影响第47-50页
    3.1.1 倾斜角度对Al_2O_3薄膜形貌的影响第47-48页
    3.1.2 基片温度对Al_2O_3薄膜形貌的影响第48-50页
  3.2 工艺参数对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响第50-53页
    3.2.1 基片温度对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响第50-51页
    3.2.2 沉积速率对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响第51-52页
    3.2.3 倾斜沉积Al_2O_3薄膜表面粗化机理第52-53页
  3.3 倾斜沉积Al_2O_3薄膜的结晶形态第53-54页
  3.4 Al_2O_3薄膜的折射率第54-62页
  3.5 Al_2O_3薄膜的孔隙率第62-68页
    3.5.1 有效介质近似(Effective Medium Approximation)第62-65页
    3.5.2 OAD技术沉积Al_2O_3薄膜的有效孔隙率第65-68页
  3.6 本章小结第68-69页
第四章 电子束蒸发氧化铝薄膜的性能第69-86页
  4.1 Al_2O_3薄膜残余应力研究第69-74页
    4.1.1 薄膜残余应力计算方法第69-71页
    4.1.2 Al_2O_3薄膜残余应力第71-74页
  4.2 Al_2O_3薄膜热导率研究第74-81页
    4.2.1 3ω 法的测试原理第74-76页
    4.2.2 Al_2O_3薄膜的热导率第76-81页
  4.3 Al_2O_3薄膜电导率研究第81-84页
    4.3.1 电导率的计算方法第81-82页
    4.3.2 Al_2O_3薄膜的电导率第82-84页
  4.4 本章小结第84-86页
第五章 绝缘层薄膜建构的探索第86-109页
  5.1 MgO缓冲层与Al_2O_3绝缘层的组合第86-96页
    5.1.1 倾斜沉积MgO薄膜的微观结构与应力第88-92页
    5.1.2 MgO缓冲层与Al_2O_3绝缘层组合薄膜的性能第92-96页
  5.2 MgO填充层与Al_2O_3绝缘层的组合第96-102页
    5.2.1 倾斜沉积Al_2O_3薄膜对MgO薄膜结构的影响第96-97页
    5.2.2 MgO填充层与Al_2O_3绝缘层组合薄膜的性能第97-102页
  5.3 Al_2O_3填充层与Al_2O_3绝缘层的组合第102-108页
  5.4 本章小结第108-109页
第六章 结论第109-111页
致谢第111-112页
参考文献第112-128页
攻读博士学位期间取得的成果第128-129页
附录第129-131页

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