过渡金属掺杂单层二硫化钼和黑磷的理论研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6页 | | Abstract | 第6-10页 | | 第一章 绪论 | 第10-25页 | | 1.1 MoS_2和黑磷的基本性质 | 第11-16页 | | 1.1.1 MoS_2的晶体结构 | 第11页 | | 1.1.2 MoS_2的电子结构 | 第11-13页 | | 1.1.3 MoS_2的光学性质 | 第13页 | | 1.1.4 MoS_2在传感器中的应用 | 第13-14页 | | 1.1.5 MoS_2合金 | 第14-15页 | | 1.1.6 黑磷的基本性质(BP) | 第15-16页 | | 1.2 其它二维材料介绍 | 第16-19页 | | 1.2.1 氮化硼(h-BN) | 第17页 | | 1.2.2 硅烯 | 第17-19页 | | 1.3 掺杂对二维材料性质的调制 | 第19-24页 | | 1.4 本文研究的内容 | 第24-25页 | | 第二章 理论基础 | 第25-33页 | | 2.1 基于第一性原理的从头算法 | 第25-28页 | | 2.2 密度泛函理论 | 第28-31页 | | 2.2.1 Thomas- Fermi模型 | 第28-29页 | | 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第29页 | | 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第29-31页 | | 2.3 交换-关联泛函 | 第31-33页 | | 2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第31页 | | 2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第31-32页 | | 2.3.3 加U校正方法 | 第32页 | | 2.3.4 杂化密度泛函 | 第32-33页 | | 第三章 Re掺杂单层MoS_2电子结构性质与磁性的第一性原理研究 | 第33-44页 | | 3.1 研究模型和计算方法 | 第33-34页 | | 3.2 结果与讨论 | 第34-35页 | | 3.3 电子结构特性 | 第35-40页 | | 3.3.1 纯单层MoS_2的电子结构特性 | 第36页 | | 3.3.2 Mo-sub和HC掺杂模式 | 第36-38页 | | 3.3.3 Mo-top和S-top掺杂模式 | 第38-39页 | | 3.3.4 电荷密度与电荷转移 | 第39-40页 | | 3.4 磁性 | 第40-43页 | | 小结 | 第43-44页 | | 第四章 3d过渡金属团簇(TM_4)掺杂单层MoS_2的电子结构性质研究 | 第44-57页 | | 4.1 结构和稳定性 | 第45-46页 | | 4.2 电子结构性质 | 第46-52页 | | 4.3 磁性 | 第52-56页 | | 小结 | 第56-57页 | | 第五章 CO分子吸附单层3d TM/MoS_2表面的理论研究 | 第57-73页 | | 5.1 研究模型和计算方法 | 第57-58页 | | 5.2 结果与讨论 | 第58-71页 | | 5.2.1 单个过渡金属原子吸附单层MoS_2 | 第58-59页 | | 5.2.2 单层3d过渡金属原子吸附在单层MoS_2 (TM/MoS_2)表面的性质 | 第59-63页 | | 5.2.3 CO分子吸附TM/MoS_2 | 第63-71页 | | 小结 | 第71-73页 | | 第六章 过渡金属掺杂单层黑磷的第一性原理研究 | 第73-90页 | | 6.1 结构和稳定性 | 第73-75页 | | 6.2 电子结构性质 | 第75-80页 | | 6.3 磁性分析 | 第80-89页 | | 小结 | 第89-90页 | | 总结与展望 | 第90-92页 | | 参考文献 | 第92-101页 | | 攻读博士学位期间的科研成果 | 第101-102页 | | 致谢 | 第102-103页 | | 作者简介 | 第103页 |
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