论文目录 | |
| 中文摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-20页 |
| 第1章 绪论 | 第20-45页 |
| 1.1 论文研究的背景与意义 | 第20-29页 |
| 1.1.1 传统存储技术的局限 | 第20-22页 |
| 1.1.2 计算机的存储墙问题 | 第22-24页 |
| 1.1.3 忆阻器的出现 | 第24-29页 |
| 1.2 忆阻器的发展趋势 | 第29-41页 |
| 1.2.1 忆阻器材料的研究进展 | 第29-35页 |
| 1.2.2 有机聚合物基忆阻器国外研究现状 | 第35-38页 |
| 1.2.3 有机聚合物基忆阻器国内研究现状 | 第38-41页 |
| 1.3 目前的研究存在的问题 | 第41-42页 |
| 1.4 论文的选题依据与研究内容 | 第42-45页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第42-43页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第43-45页 |
| 第2章 忆阻器件的制备和阻变转换机制 | 第45-62页 |
| 2.1 忆阻器的结构与特征 | 第45-50页 |
| 2.1.1 忆阻器的结构 | 第46-47页 |
| 2.1.2 忆阻器的技术要求 | 第47-49页 |
| 2.1.3 RRAM的分类 | 第49-50页 |
| 2.2 忆阻器制备工艺 | 第50-52页 |
| 2.2.1 忆阻器存储层的制备工艺 | 第50页 |
| 2.2.2 忆阻器电极的制备工艺 | 第50-51页 |
| 2.2.3 实验仪器 | 第51-52页 |
| 2.3 忆阻器载流子传输理论 | 第52-56页 |
| 2.4 忆阻器阻变转换机制 | 第56-61页 |
| 2.4.1 电化学反应 | 第57-58页 |
| 2.4.2 热效应 | 第58-59页 |
| 2.4.3 电子效应 | 第59-61页 |
| 2.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第3章 聚乙烯咔唑基Flash存储稳定性和可重复性研究 | 第62-76页 |
| 3.1 引言 | 第62-63页 |
| 3.2 样品制备实验 | 第63-64页 |
| 3.3 实验结果 | 第64-75页 |
| 3.3.1 忆阻特性分析 | 第65-68页 |
| 3.3.2 稳定性与可重复性分析 | 第68-70页 |
| 3.3.3 复合薄膜厚度对忆阻特性的影响 | 第70-71页 |
| 3.3.4 阻变机理与模型研究 | 第71-75页 |
| 3.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第4章 聚氨酯基Flash存储特性研究 | 第76-87页 |
| 4.1 引言 | 第76-77页 |
| 4.2 元件的制备与薄膜表征 | 第77-78页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第78-85页 |
| 4.3.1 ITO/PU/Al与ITO/PU+PBD/Al元件的忆阻特性比较 | 第78-80页 |
| 4.3.2 ITO/PU+PBD/Al元件的保持特性和耐久特性分析 | 第80-81页 |
| 4.3.3 ITO/PU+PBD/Al元件的读写擦循环测试 | 第81页 |
| 4.3.4 阻变转换机理与导电模型分析 | 第81-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 第5章 聚乙烯苯酚基非挥发型存储特性转换研究 | 第87-103页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 样品制备实验 | 第88-89页 |
| 5.3 实验结果 | 第89-102页 |
| 5.3.1 ITO/PVP/Al元件的忆阻特性 | 第89-90页 |
| 5.3.2 基于含 5 %恶二唑复合薄膜的忆阻特性 | 第90-93页 |
| 5.3.3 基于含 9 %恶二唑复合薄膜的忆阻特性 | 第93-94页 |
| 5.3.4 基于含 14 %恶二唑复合薄膜的电学特性 | 第94-96页 |
| 5.3.5 恶二唑在复合材料中含量对元件特性的影响 | 第96-97页 |
| 5.3.6 载流子传输机制与导电模型分析 | 第97-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 第6章 聚乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐基WORM特性研究 | 第103-119页 |
| 6.1 引言 | 第103-104页 |
| 6.2 实验样品制备 | 第104-109页 |
| 6.2.1 材料及表征 | 第104-105页 |
| 6.2.2 复合薄膜的制备与表征 | 第105-108页 |
| 6.2.3 PEDOT:PSS+CNTs复合材料的表征 | 第108-109页 |
| 6.3 实验结果 | 第109-117页 |
| 6.3.1 基于样本A的复合薄膜忆阻特性分析 | 第109-111页 |
| 6.3.2 基于样本B和C的复合薄膜忆阻特性 | 第111-114页 |
| 6.3.3 基于样本D的复合薄膜电学特性分析 | 第114页 |
| 6.3.4 碳纳米管在复合薄膜中的含量对元件特性的影响 | 第114-115页 |
| 6.3.5 阻变转换机制与导电模型分析 | 第115-117页 |
| 6.4 本章小结 | 第117-119页 |
| 第7章 甲基丙烯酸环氧树脂基多电平Flash存储特性研究 | 第119-138页 |
| 7.1 引言 | 第119-120页 |
| 7.2 样品制备实验 | 第120-123页 |
| 7.2.1 材料 | 第120-121页 |
| 7.2.2 样品的制备与表征 | 第121-123页 |
| 7.3 实验结果 | 第123-136页 |
| 7.3.1 基于复合薄膜的忆阻特性 | 第123-125页 |
| 7.3.2 阈值电压与三态电阻的统计分析 | 第125-126页 |
| 7.3.3 瞬态响应与输入-输出响应 | 第126-128页 |
| 7.3.4 导电模型分析 | 第128-129页 |
| 7.3.5 电阻对温度的依赖关系 | 第129-130页 |
| 7.3.6 阻变转换机制分析 | 第130-131页 |
| 7.3.7 限制电流对低阻态的影响 | 第131-135页 |
| 7.3.8 碳纳米管在复合材料中的含量对元件性能的影响 | 第135-136页 |
| 7.4 本章小结 | 第136-138页 |
| 结论 | 第138-141页 |
| 参考文献 | 第141-165页 |
| 致谢 | 第165-166页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第166-167页 |
