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二维过渡金属硫族化合物材料的原子尺度结构调控与表征

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二维过渡金属硫族化合物材料的原子尺度结构调控与表征
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 绪论第12-38页
  1.1 引言第12-13页
  1.2 二维过渡金属硫族化合物材料的缺陷结构表征第13-26页
    1.2.1 扫描透射电子显微镜成像原理第14-16页
    1.2.2 二维TMDs材料中的点缺陷第16-22页
    1.2.3 二维TMDs材料中的晶界和边缘第22-25页
    1.2.4 二维TMDs材料中的起伏和褶皱(ripple)第25-26页
  1.3 二维过渡金属硫族化合物材料中的结构调控第26-31页
    1.3.1 二维TMDs材料的合金化第26-28页
    1.3.2 二维TMDs材料的氧化刻蚀第28-31页
  1.4 二维过渡金属硫族化合物材料的性质与应用第31-36页
    1.4.1 二维TMDs材料的电子学性质第31-32页
    1.4.2 二维TMDs材料的光学性质第32-34页
    1.4.3 二维TMDs材料的应用第34-36页
      1.4.3.1 场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)第34-35页
      1.4.3.2 析氢催化第35-36页
  1.5 实验装置和设备第36-37页
  1.6 课题研究目的与意义第37-38页
第二章 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的Se原子占位分析第38-55页
  2.1 引言第38页
  2.2 二维过渡金属硫族化合物材料的制备和转移第38-43页
    2.2.1 二维TMDs材料的化学气相沉积法制备第38-41页
    2.2.2 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的化学气相沉积法制备和转移第41-43页
  2.3 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的结构表征第43-49页
    2.3.1 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的形貌分析第43-44页
    2.3.2 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的原子结构表征第44-46页
    2.3.3 晶界角度依赖的Se原子优先占位第46-49页
  2.4 单层MoS_2中Se原子掺杂的第一性原理计算第49-53页
    2.4.1 Se原子在单层MoS_2晶畴中的掺杂第49-51页
    2.4.2 Se原子在单层MoS_2晶界中的掺杂第51-53页
  2.5 本章小结第53-55页
第三章 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的电子显微分析第55-75页
  3.1 引言第55-56页
  3.2 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的制备和转移第56-57页
  3.3 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的结构表征第57-70页
    3.3.1 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的形貌分析和元素信息确认第57-60页
    3.3.2 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金中Te的占位类型第60-61页
    3.3.3 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金中温度依赖的Te浓度第61-64页
    3.3.4 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的合金化程度分析第64-67页
    3.3.5 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金中的结构畸变第67-70页
  3.4 单层MoS_2中Te原子掺杂的第一性原理计算第70-73页
  3.5 本章小结第73-75页
第四章 单层MoS_2材料的氧化刻蚀第75-88页
  4.1 引言第75-76页
  4.2 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的制备和氧化刻蚀第76-79页
    4.2.1 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的化学气相沉积法制备第76-78页
    4.2.2 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的氧化刻蚀第78-79页
  4.3 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的氧化刻蚀机理探究第79-85页
    4.3.1 单层MoS_2晶畴边缘的氧化刻蚀第79-82页
    4.3.2 单层MoS_2晶畴内部的氧化刻蚀第82-83页
    4.3.3 单层MoS_2晶界的氧化刻蚀第83-85页
  4.4 硅衬底的单层MoS_2/MoSe_2的氧化刻蚀第85-87页
  4.5 本章小结第87-88页
总结和展望第88-90页
参考文献第90-102页
致谢第102-104页
个人简历第104-106页
攻读学位期间发表的学术论文和专利第106-107页

本篇论文共107页,点击这进入下载页面
 
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