论文目录 | |
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-43页 |
| 1.1 新型柔性薄膜电极 | 第11-13页 |
| 1.1.1 柔性薄膜电极的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.1.2 柔性薄膜电极的发展趋势 | 第12-13页 |
| 1.2 石墨烯/高分子柔性薄膜电极 | 第13-19页 |
| 1.2.1 石墨烯/高分子柔性薄膜电极简介 | 第13-14页 |
| 1.2.2 石墨烯/高分子柔性薄膜电极的制备 | 第14-17页 |
| 1.2.3 石墨烯/高分子柔性薄膜电极的应用 | 第17-19页 |
| 1.3 聚酰亚胺 | 第19-24页 |
| 1.3.1 聚酰亚胺的性能 | 第19-20页 |
| 1.3.2 聚酰亚胺的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.3 聚酰亚胺柔性薄膜的制备 | 第21-23页 |
| 1.3.4 石墨烯功能化的聚酰亚胺柔性薄膜 | 第23-24页 |
| 1.4 纳米半导体修饰电极 | 第24-30页 |
| 1.4.1 纳米半导体 | 第24-25页 |
| 1.4.2 纳米半导体修饰电极在电化学中的应用 | 第25-28页 |
| 1.4.3 纳米半导体的制备 | 第28-30页 |
| 1.5 本论文的选题意义与目的 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-43页 |
| 第二章 Mo修饰的rGO/PI薄膜电极的制备及多巴胺的灵敏性检测 | 第43-57页 |
| 2.1 引言 | 第43-44页 |
| 2.2 实验部分 | 第44页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第44页 |
| 2.2.2 Mo参杂的rGO/PI基底的制备 | 第44页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第44-52页 |
| 2.3.1 Mo-rGO/PI的电化学行为研究 | 第44-45页 |
| 2.3.2 Mo-rGO/PI薄膜结构与形貌的表征 | 第45-46页 |
| 2.3.3 pH对DA的影响 | 第46-47页 |
| 2.3.4 扫速与DA的机理研究 | 第47-49页 |
| 2.3.5 DA的检测 | 第49-50页 |
| 2.3.6 抗干扰能力、稳定性和重复性的研究 | 第50-51页 |
| 2.3.7 实际样品的检测 | 第51-52页 |
| 2.4 总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 第三章 乙酰胆碱酯酶修饰的Au-MoS_2-rGO/PI柔性薄膜传感器的构建及其对对氧磷的测定 | 第57-69页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 3.2.1 试剂与仪器 | 第58页 |
| 3.2.2 柔性薄膜电极rGO/PI的制备 | 第58页 |
| 3.2.3 AuNPs-MoS_2-rGO/PI柔性薄膜修饰电极的制备 | 第58页 |
| 3.2.4 乙酰胆碱酯酶的固定 | 第58-59页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第59-65页 |
| 3.3.1 rGO/PI柔性薄膜的表征 | 第59-62页 |
| 3.3.2 AChE/Au-MoS_2-rGO/PI柔性电极的电化学研究 | 第62-64页 |
| 3.3.3 对氧磷的检测 | 第64-65页 |
| 3.3.4 稳定性与重复性的研究 | 第65页 |
| 3.4 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 MoSe_2在柔性导电薄膜rGO/PI表面的生长及其电催化和光电催化析氢性能的研究 | 第69-83页 |
| 4.1 前言 | 第69-70页 |
| 4.2 实验部分 | 第70页 |
| 4.2.1 材料及仪器 | 第70页 |
| 4.2.2 MoSe_2-rGO/PI复合薄膜的制备 | 第70页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第70-78页 |
| 4.3.1 Mo与Se的电化学行为研究 | 第70-71页 |
| 4.3.2 MoSe_2- rGO/PI复合薄膜结构与形貌的表征 | 第71-73页 |
| 4.3.3 光电性质 | 第73-74页 |
| 4.3.4 催化析氢性能 | 第74-78页 |
| 4.4 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第五章 基于rGO/PI基底表面稀磁半导体ZnMn Se_2的制备及其光电性质的研究 | 第83-95页 |
| 5.1 引言 | 第83-84页 |
| 5.2 实验部分 | 第84-85页 |
| 5.2.1 仪器与试剂 | 第84页 |
| 5.2.2 ZnMnSe_2- rGO/PI修饰电极的制备 | 第84-85页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第85-91页 |
| 5.3.1 电化学行为 | 第85-87页 |
| 5.3.2 ZnMnSe_2-rGO/PI结构与形貌的表征 | 第87-89页 |
| 5.3.3 光电性质研究 | 第89-91页 |
| 5.4 总结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第六章 ZnSe在新型基底CNTs/PVA电极表面的原位生长及其光电性质的研究 | 第95-108页 |
| 6.1 引言 | 第95-96页 |
| 6.2 实验部分 | 第96-98页 |
| 6.2.1 仪器和试剂 | 第96页 |
| 6.2.2 CNTs/PVA薄膜的制备 | 第96页 |
| 6.2.3 ZnSe- CNTs/PVA薄膜电极的制备 | 第96-98页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第98-104页 |
| 6.3.1 CNTs/PVA的性质 | 第98-100页 |
| 6.3.2 CNTs/PVA的电化学表征 | 第100-101页 |
| 6.3.3 ZnSe-CNTs/PVA复合薄膜的结构表征 | 第101-103页 |
| 6.3.4 光电性质 | 第103-104页 |
| 6.4 总结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第七章 总结与展望 | 第108-111页 |
| 7.1 总结 | 第108-109页 |
| 7.2 展望 | 第109-111页 |
| 在学期间的研究成果 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112页 |
