铝硅合金微弧氧化工艺及硅的影响机制研究

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铝硅合金微弧氧化工艺及硅的影响机制研究

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铝硅合金微弧氧化工艺及硅的影响机制研究

论文目录
摘要	第1-7页
Abstract	第7-14页
第一章绪论	第14-30页
1.1 前言	第14-15页
1.2 铝硅合金表面改性技术	第15-16页
1.3 微弧氧化技术简介	第16-17页
1.4 铝合金微弧氧化研究进展	第17-28页
1.4.1 氧化机理	第17-19页
1.4.2 成膜过程及电能消耗	第19-21页
1.4.3 膜层组织结构	第21-22页
1.4.4 影响膜层生长及性能的因素	第22-24页
1.4.5 铝硅合金微弧氧化研究现状	第24-28页
1.5 论文选题依据及研究内容	第28-30页
1.5.1 选题依据	第28-29页
1.5.2 研究内容	第29-30页
第二章实验材料与方法	第30-39页
2.1 实验材料	第30页
2.1.1 基体材料	第30页
2.1.2 试验药品	第30页
2.2 实验装置	第30-33页
2.3 试样制备	第33-35页
2.3.1 基体合金熔炼	第33-34页
2.3.2 试样加工	第34页
2.3.3 膜层制备	第34-35页
2.4 分析与表征	第35-39页
2.4.1 基体金相	第35页
2.4.2 放电火花形貌	第35页
2.4.3 膜厚	第35页
2.4.4 表面粗糙度	第35页
2.4.5 物相结构	第35页
2.4.6 微观形貌	第35-36页
2.4.7 元素成分和价态	第36页
2.4.8 显微硬度	第36页
2.4.9 耐磨损性能	第36页
2.4.10 耐腐蚀性能	第36-37页
2.4.11 电能消耗	第37-39页
第三章硅含量对铝硅合金微弧氧化的影响	第39-68页
3.1 基体组织特征	第39页
3.2 基于低硅变形铝合金微弧氧化工艺的膜层特征	第39-42页
3.3 高硅铝合金恒流微弧氧化工艺优化	第42-46页
3.4 恒流优化工艺下硅含量对铝硅合金微弧氧化的影响	第46-53页
3.4.1 氧化电压	第47-48页
3.4.2 膜层厚度	第48页
3.4.3 膜层物相结构	第48-49页
3.4.4 膜层截面形貌及元素分布	第49-52页
3.4.5 成膜能耗	第52-53页
3.5 恒压氧化下硅含量对铝硅合金微弧氧化的影响	第53-58页
3.5.1 氧化电流密度	第53-54页
3.5.2 膜层厚度	第54-55页
3.5.3 膜层物相结构	第55页
3.5.4 膜层截面形貌及元素分布	第55-58页
3.5.6 成膜能耗	第58页
3.6 硅含量对铝硅合金微弧氧化的作用分析	第58-66页
3.6.1 恒流氧化下硅含量的影响	第58-61页
3.6.2 恒压氧化下硅含量的影响	第61-63页
3.6.3 恒流氧化和恒压氧化的异同点	第63-66页
3.7 本章小结	第66-68页
第四章基体硅相尺寸对铝硅合金微弧氧化的影响	第68-91页
4.1 共晶硅和初生硅相的氧化过程分析	第68-74页
4.2 共晶硅相细化对铝硅合金微弧氧化的影响	第74-84页
4.2.1 基体组织形貌	第74-75页
4.2.2 成膜过程及特征	第75-80页
4.2.3 膜层性能	第80-83页
4.2.4 成膜能耗	第83-84页
4.3 共晶硅相尺寸对铝硅合金微弧氧化的作用分析	第84-89页
4.3.1 成膜过程分析	第84-86页
4.3.2 放电模型分析	第86-89页
4.4 本章小结	第89-91页
第五章基体表层硅相消除对铝硅合金微弧氧化的影响	第91-116页
5.1 刻蚀工艺优化	第91-94页
5.1.1 刻蚀液组成	第91-93页
5.1.2 刻蚀时间	第93-94页
5.2 刻蚀对共晶铝硅合金微弧氧化的影响	第94-105页
5.2.1 基体表面形貌	第94-95页
5.2.2 电弧形貌	第95-97页
5.2.3 氧化电压	第97-98页
5.2.4 膜层特征	第98-102页
5.2.5 膜层性能	第102-104页
5.2.6 成膜能耗	第104-105页
5.3 刻蚀对其它铝硅合金微弧氧化的影响	第105-108页
5.3.1 基体表面形貌及成分	第106-107页
5.3.2 膜层生长速率	第107页
5.3.3 成膜能耗	第107-108页
5.4 表层硅相消除对铝硅合金微弧氧化的作用分析	第108-115页
5.4.1 表面成分	第108-111页
5.4.2 成膜过程分析	第111-113页
5.4.3 放电模型分析	第113-115页
5.5 本章小结	第115-116页
全文总结	第116-120页
参考文献	第120-134页
攻读博士学位期间取得的研究成果	第134-135页
致谢	第135-136页
附表	第136页

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