论文目录 | |
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-13页 |
第1章 绪论 | 第13-32页 |
1.1 课题研究背景 | 第13-14页 |
1.2 可供选择的红外透明导电薄膜体系 | 第14-23页 |
1.2.1 金属薄膜 | 第14-15页 |
1.2.2 金属网栅 | 第15-17页 |
1.2.3 超结构薄膜 | 第17-19页 |
1.2.4 以氧化物为代表的n、p型透明导电薄膜 | 第19-21页 |
1.2.5 新型透明碳材料薄膜 | 第21-23页 |
1.3 红外透明导电氧化物的实现方法 | 第23-30页 |
1.3.1 以扩展透过范围为目的来实现红外透明导电功能 | 第23-28页 |
1.3.2 以提高红外透明薄膜导电性为目的来实现红外透明导电功能 | 第28-30页 |
1.4 本文主要研究内容 | 第30-32页 |
第2章 材料制备及实验方法 | 第32-41页 |
2.1 实验设计 | 第32页 |
2.2 薄膜的制备 | 第32-37页 |
2.2.1 氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜的制备材料及工艺过程 | 第32-35页 |
2.2.2 钌掺杂氧化钇薄膜的制备工艺 | 第35-37页 |
2.3 制备薄膜样品的表征 | 第37-41页 |
2.3.1 厚度表征 | 第37页 |
2.3.2 结构表征 | 第37-38页 |
2.3.3 成分及化学键合表征 | 第38-39页 |
2.3.4 电学性能表征 | 第39-40页 |
2.3.5 光学性能表征 | 第40页 |
2.3.6 力学性能表征 | 第40-41页 |
第3章 等离子体轰击辅助制备氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜的结构和光电性能 | 第41-72页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜的生长速率 | 第41-42页 |
3.3 氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜的微结构 | 第42-51页 |
3.3.1 表面形貌 | 第42-46页 |
3.3.2 晶体结构 | 第46-51页 |
3.4 氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜的成分及化学键合态 | 第51-59页 |
3.4.1 成分表征 | 第51-52页 |
3.4.2 元素化学键合态 | 第52-59页 |
3.5 氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜的光电性能 | 第59-64页 |
3.5.1 电学性能变化 | 第59-61页 |
3.5.2 光学性能变化 | 第61-64页 |
3.6 氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜显微硬度 | 第64-65页 |
3.7 氧化铟和锡掺杂氧化铟薄膜表面能态 | 第65-70页 |
3.8 本章小结 | 第70-72页 |
第4章 磁控共溅射制备N型钌掺杂氧化钇薄膜的结构和性能研究 | 第72-89页 |
4.1 引言 | 第72页 |
4.2 钌掺杂氧化钇薄膜沉积速率 | 第72-73页 |
4.2.1 功率大小对钌掺杂氧化钇薄膜沉积速率的影响 | 第72-73页 |
4.2.2 衬底温度对钌掺杂氧化钇薄膜沉积速率的影响 | 第73页 |
4.3 钌掺杂氧化钇薄膜的表面形貌 | 第73-76页 |
4.4 钌掺杂氧化钇薄膜的晶体结构 | 第76-77页 |
4.5 钌掺杂氧化钇薄膜成分及化学键合态 | 第77-85页 |
4.5.1 成分表征 | 第77-79页 |
4.5.2 元素化学键合态 | 第79-85页 |
4.6 电学和光学性能 | 第85-88页 |
4.6.1 电学性能 | 第85-86页 |
4.6.2 光学性能 | 第86-88页 |
4.7 本章小结 | 第88-89页 |
第5章 红外透明导电机理分析及应用 | 第89-108页 |
5.1 引言 | 第89页 |
5.2 红外透明导电机理分析 | 第89-91页 |
5.3 硫化锌窗.镀制中、远红外透明导电氧化物薄膜 | 第91-98页 |
5.3.1 镀制中红外透明导电氧化物 | 第91-92页 |
5.3.2 镀制远红外透明导电氧化物薄膜 | 第92-93页 |
5.3.3 提高膜层与硫化锌基底镀膜的结合性和光学性能 | 第93-98页 |
5.4 二氧化硅镜头防热辐射保护膜 | 第98-99页 |
5.4.1 实验步骤 | 第99页 |
5.4.2 实验结果 | 第99页 |
5.5 具有电磁屏蔽效果座舱盖的膜系 | 第99-106页 |
5.5.1 实验步骤 | 第100-102页 |
5.5.2 膜层综合性能检测 | 第102-106页 |
5.6 本章小结 | 第106-108页 |
结论 | 第108-109页 |
创新点 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-121页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第121-123页 |
致谢 | 第123-124页 |
个人简历 | 第124页 |