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几种分子印迹电化学传感器的研制及应用

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几种分子印迹电化学传感器的研制及应用
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-12页
目录第12-19页
第一章 绪论第19-52页
1 分子印迹技术第20-26页
  1.1 分子印迹技术的原理及特点第21页
  1.2 影响分子印迹聚合物印迹效果的几个因素第21-26页
    1.2.1 模板分子第22-23页
    1.2.2 功能单体第23-25页
    1.2.3 交联剂第25-26页
2 分子印迹电化学传感器第26-35页
  2.1 分子印迹传感器的工作原理第26-27页
  2.2 分子印迹电化学传感器的制备方法与性能参数第27-31页
    2.2.1 分子印迹电化学传感器的制备方法第27-30页
    2.2.2 影响分子印迹电化学传感器性能的因素第30-31页
  2.3 分子印迹电化学传感器的分类第31-35页
    2.3.1 电位型传感器第31-32页
    2.3.2 电流型传感器第32-33页
    2.3.3 电容型传感器第33-34页
    2.3.4 电导型传感器第34-35页
3 新技术与新材料在分子印迹电化学传感器中的应用第35-39页
  3.1 纳米材料第35-37页
  3.2 溶胶-凝胶(sol-gel)无机膜第37-38页
  3.3 自组装技术第38-39页
4 分子印迹电化学传感器现存问题与发展趋势第39-40页
5 论文研究目的和内容第40-43页
参考文献第43-52页
第二章 基于石墨烯修饰的青蒿素分子印迹传感器的研制与应用第52-71页
1 前言第52-54页
2 实验部分第54-56页
  2.1 主要仪器与试剂第54页
  2.2 样品溶液的制备第54-55页
  2.3 石墨烯的制备第55页
  2.4 石墨烯修饰电极(G/GCE)的制备第55页
  2.5 分子印迹及非印迹敏感膜修饰电极的制备第55-56页
  2.6 电化学检测条件及实验方法第56页
3 结果与讨论第56-66页
  3.1 MIM/G/GCE制备条件的优化第56-60页
    3.1.1 功能单体的选择第56-58页
    3.1.2 模板、功能单体和交联剂用量的优化第58-59页
    3.1.3 洗脱液和洗脱时间的优化第59-60页
  3.2 石墨烯及ART印迹膜的表征第60-61页
  3.3 ART-MIM/G/GCE的电化学性能第61-62页
  3.4 平衡时间的选择第62-63页
  3.5 MIM/G/GCE电极的线性范围与检出限第63-65页
  3.6 电极的选择性、重现性与稳定性第65-66页
  3.7 实际样品分析第66页
4 结论第66-67页
参考文献第67-71页
第三章 基于石墨烯/纳米金颗粒修饰的秋水仙碱分子印迹传感器的研制与应用第71-91页
1 前言第71-72页
2 实验部分第72-75页
  2.1 主要仪器与试剂第72-73页
  2.2 金纳米颗粒的制备第73页
  2.3 石墨烯/Au纳米颗粒修饰电极的制备第73页
  2.4 分子印迹及非印迹敏感膜修饰电极的制备第73-74页
  2.5 电化学检测条件及实验方法第74页
  2.6 样品溶液的制备第74-75页
3 结果与讨论第75-87页
  3.1 石墨烯/金纳米颗粒及COLC印迹膜的表征第75-76页
  3.2 COLC-MIM/G/AuNPs/GCE的电化学性能第76-77页
  3.3 COLC在修饰电极上的电化学行为第77-79页
  3.4 实验条件的优化第79-83页
    3.4.1 功能单体的选择第79-80页
    3.4.2 功能单体和交联剂用量的优化第80-81页
    3.4.3 洗脱液和洗脱时间的优化第81-82页
    3.4.4 支持电解液和平衡时间的选择第82-83页
  3.5 MIM/G/AuNPs/GCE的线性范围与检出限第83-85页
  3.6 电极的选择性、重现性与稳定性第85-86页
  3.7 实际样品分析第86-87页
4 结论第87页
参考文献第87-91页
第四章 鬼臼毒素分子印迹电化学传感器的研制及应用第91-109页
1 前言第91-92页
2 实验部分第92-94页
  2.1 仪器与试剂第92页
  2.2 分子印迹膜和非印迹膜修饰电极的制备第92-93页
  2.3 电化学检测条件及实验方法第93页
  2.4 样品溶液的制备第93-94页
3 结果与讨论第94-105页
  3.1 传感器制备条件的选择第94-99页
    3.1.1 电聚合功能单体的优化第94-95页
    3.1.2 电聚合圈数的优化第95-97页
    3.1.3 电聚合体系pH值的优化第97-98页
    3.1.4 单体用量的优化第98-99页
    3.1.5 洗脱时间的优化第99页
  3.2 MIM/GCE的电化学性能第99-101页
  3.3 MIM/GCE测定条件的优化第101-102页
  3.4 MIM/GCE的线性范围与检出限第102-103页
  3.5 电极的选择性、重现性与稳定性第103-104页
  3.6 实际样品分析第104-105页
4 结论第105-106页
参考文献第106-109页
第五章 胆固醇分子印迹电化学传感器的研制及应用第109-128页
1 前言第109-110页
2 实验部分第110-112页
  2.1 主要仪器与试剂第110-111页
  2.2 石墨烯修饰电极的制备第111页
  2.3 分子印迹膜和非印迹膜修饰电极的制备第111页
  2.4 电化学检测条件及实验方法第111-112页
3 结果与讨论第112-125页
  3.1 分子印迹聚合膜的伏安行为第112-113页
  3.2 分子印迹膜的形貌与结构表征第113-114页
  3.3 ChO-MIM/G/GCE的电化学性能第114-116页
  3.4 印迹电极制备及应用条件第116-121页
    3.4.1 电沉积过程中扫描速度的优化第116页
    3.4.2 电沉积过程中扫描圈数的优化第116-117页
    3.4.3 单体用量的优化第117-118页
    3.4.4 洗脱时间的优化第118-119页
    3.4.5 测定体系缓冲溶液pH值的优化第119-120页
    3.4.6 测定过程中平衡时间的优化第120-121页
  3.5 MIM/G/GCE的线性范围与检出限第121-123页
  3.6 电极的选择性、重现性与稳定性第123-124页
  3.7 实际样品分析第124-125页
4 结论第125页
参考文献第125-128页
第六章 原位聚合法制备离子印迹电化学传感器用于环境样中铂的测定第128-149页
1 前言第128-129页
2 实验部分第129-132页
  2.1 主要仪器与试剂第129-130页
  2.2 样品溶液的制备第130-131页
  2.3 离子印迹及非印迹电极的制备第131页
  2.4 电化学检测条件及实验方法第131-132页
3 结果与讨论第132-144页
  3.1 Pt(Ⅳ)-IIM/GCE制备条件的优化第132-135页
    3.1.1 功能单体种类的优化第132-133页
    3.1.2 功能单体用量的优化第133页
    3.1.3 交联剂用量的优化第133-134页
    3.1.4 洗脱液和洗脱时间的优化第134-135页
  3.2 Pt(Ⅳ)离子印迹聚合膜及Pt(Ⅳ)-IIM/GCE的表征第135-139页
    3.2.1 Pt(Ⅳ)离子印迹聚合膜形貌与结构表征第135-138页
    3.2.2 IIM/GCE的电化学表征第138-139页
  3.3 Pt(Ⅳ)-IIM/GCE测量条件的优化第139-141页
  3.4 IIM/GCE的分析特性第141-143页
    3.4.1 i-t曲线、工作曲线与检出限第141-142页
    3.4.2 电极的选择性、重现性与稳定性第142-143页
  3.5 实际样品分析第143-144页
4 结论第144页
参考文献第144-149页
第七章 基于石墨烯修饰的钯离子印迹聚合膜电化学传感器的研制及应用第149-169页
1 前言第149-150页
2 实验部分第150-152页
  2.1 主要仪器与试剂第150页
  2.2 样品溶液的制备第150-151页
  2.3 石墨烯修饰电极的制备(G/GCE)第151页
  2.4 离子印迹及非印迹聚合膜修饰电极的制备(Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE)第151页
  2.5 电化学检测条件及实验方法第151-152页
3 结果与讨论第152-165页
  3.1 石墨烯修饰电极的制备与表征第152-154页
    3.1.1 石墨烯修饰电极(G/GCE)的制备第152-153页
    3.1.2 石墨烯修饰玻碳电极的表征第153-154页
  3.2 IIM/G/GCE制备条件的优化第154-158页
    3.2.1 功能单体种类的优化第154-156页
    3.2.2 功能单体用量的优化第156-157页
    3.2.3 交联剂用量的优化第157-158页
    3.2.4 洗脱液和洗脱时间的优化第158页
  3.3 Pd(Ⅱ)离子印迹聚合膜及Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE的表征第158-160页
    3.3.1 Pd(Ⅱ)离子印迹聚合膜形貌与结构表征第158-159页
    3.3.2 Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE的电化学表征第159-160页
  3.4 Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE测量条件的优化第160-162页
  3.5 IIM/G/GCE的分析特性第162-164页
    3.5.1 计时曲线(i-t)、工作曲线与检出限第162-163页
    3.5.2 电极的选择性、重现性与稳定性第163-164页
  3.6 实际样品分析第164-165页
4 结论第165-166页
参考文献第166-169页
第八章 铑离子印迹聚合物修饰碳糊电极的制备及应用第169-186页
1 引言第169-170页
2 实验部分第170-172页
  2.1 仪器和试剂第170页
  2.2 离子印迹及非印迹聚合物的制备第170-171页
  2.3 离子印迹及非印迹聚合物修饰碳糊电极的制备第171页
  2.4 电化学检测条件及实验方法第171页
  2.5 样品溶液的制备第171-172页
3 结果与讨论第172-182页
  3.1 铑离子印迹聚合物制备条件的优化第172-174页
    3.1.1 聚合单体种类及用量的选择第172-173页
    3.1.2 交联剂用量的优化第173-174页
  3.2 IIP用量的优化第174-175页
  3.3 Rh(Ⅲ)离子印迹聚合物及IIP-CPE的表征第175-178页
    3.3.1 Rh(Ⅲ)离子印迹聚合物的表征第175-176页
    3.3.2 IIP-CPE的电化学表征第176-178页
  3.4 IIP-CPE应用条件的优化第178-179页
  3.5 IIP-CPE的分析特性第179-181页
    3.5.1 计时曲线、工作曲线与检出限第179-180页
    3.5.2 电极的选择性、重现性与稳定性第180-181页
  3.6 实际样品分析第181-182页
4 结论第182页
参考文献第182-186页
论文发表情况第186-187页
致谢第187页

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