论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-43页 |
| 1.1 电子自旋特点和发展现状 | 第14-16页 |
| 1.1.1 电子自旋的概念 | 第14-15页 |
| 1.1.2 电子自旋的特点 | 第15页 |
| 1.1.3 电子自旋的应用 | 第15-16页 |
| 1.2 电子自旋在高温超导体中的研究现状 | 第16-23页 |
| 1.2.1 高温超导体的研究进展 | 第16-19页 |
| 1.2.1.1 高温超导简介 | 第16-17页 |
| 1.2.1.2 高温超导的应用 | 第17-18页 |
| 1.2.1.3 高温超导机制研究进展 | 第18-19页 |
| 1.2.2 电子自旋在高温超导体中的研究进展 | 第19页 |
| 1.2.3 Bi系高温超导体的结构特征 | 第19-21页 |
| 1.2.4 Bi高温超导体中元素替代的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.2.5 约瑟夫森结的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.3 “自旋冻结”—自旋玻璃合金的研究现状 | 第23-29页 |
| 1.3.1 自旋玻璃概述 | 第23-25页 |
| 1.3.1.1 自旋玻璃形成机理 | 第23-24页 |
| 1.3.1.2 阻挫和无序 | 第24-25页 |
| 1.3.2 自旋玻璃种类 | 第25-26页 |
| 1.3.2.1 传统的自旋玻璃 | 第25-26页 |
| 1.3.2.2 再入型自旋玻璃 | 第26页 |
| 1.3.2.3 NAMD型自旋玻璃 | 第26页 |
| 1.3.3 NAMD自旋玻璃材料研究进展 | 第26-29页 |
| 1.4 本文的研究意义和内容 | 第29-31页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第29-30页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-43页 |
| 第2章 实验原理与方法 | 第43-61页 |
| 2.1 引言 | 第43页 |
| 2.2 相关物理概念 | 第43-46页 |
| 2.2.1 强关联电子系统 | 第43页 |
| 2.2.2 Mott绝缘体 | 第43-44页 |
| 2.2.3 高温超导 | 第44-45页 |
| 2.2.4 巡游电子 | 第45页 |
| 2.2.5 自旋玻璃 | 第45-46页 |
| 2.2.6 交流磁化率 | 第46页 |
| 2.3 样品制备的方法原理 | 第46-49页 |
| 2.4 样品表征手段 | 第49-58页 |
| 2.4.1 X射线衍射图谱 | 第49-50页 |
| 2.4.2 X射线衍射精修 | 第50-51页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜 | 第51-52页 |
| 2.4.4 红外吸收光谱和拉曼散射光谱 | 第52-54页 |
| 2.4.5 四引线法 | 第54页 |
| 2.4.6 范德堡法 | 第54-55页 |
| 2.4.7 振动样品磁强计 | 第55-56页 |
| 2.4.8 超导量子干涉仪 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第3章 La微掺杂对Bi-2212高温超导体结构和电学性能的影响 | 第61-75页 |
| 3.1 引言 | 第61-62页 |
| 3.2 Bi_(2-x)La_xSr_2CaCu_2O_y粉体的制备和表征手段 | 第62-64页 |
| 3.2.1 实验药剂 | 第62-63页 |
| 3.2.2 样品制备过程 | 第63页 |
| 3.2.3 样品的表征手段 | 第63-64页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第64-70页 |
| 3.3.1 X射线衍射结果分析 | 第64-66页 |
| 3.3.2 红外吸收光谱分析 | 第66-67页 |
| 3.3.3 电阻随温度变化关系分析 | 第67-70页 |
| 3.4 本章结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 第4章 Mn微掺杂对(Bi,La)-2212氧化物结构和物理性能的影响 | 第75-95页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 Bi_(1.4)La_(0.6)Sr_2CaCu_(2-x)Mn_xO_y化合物的制备与表征手段 | 第76-77页 |
| 4.2.1 样品制备过程 | 第76-77页 |
| 4.2.2 样品表征手段 | 第77页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第77-91页 |
| 4.3.1 X射线衍射结果分析 | 第77-83页 |
| 4.3.2 红外吸收光谱分析 | 第83-84页 |
| 4.3.3 拉曼散射光谱分析 | 第84-86页 |
| 4.3.4 电阻随温度的变化关系分析 | 第86-90页 |
| 4.3.5 磁滞回线分析 | 第90-91页 |
| 4.4 本章结论 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第5章 压缩变形对Si基合金Pr_2CuSi_3化合物晶粒生长和物理性能的影响 | 第95-125页 |
| 5.1 引言 | 第95-96页 |
| 5.2 Pr_2CuSi_3多晶化合物的制备和表征手段 | 第96-97页 |
| 5.2.1 样品制备 | 第96页 |
| 5.2.2 样品表征手段 | 第96-97页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第97-120页 |
| 5.3.1 退火温度选择 | 第97-101页 |
| 5.3.1.1 X射线衍射结果分析 | 第97-98页 |
| 5.3.1.2 金相显微镜结果分析 | 第98页 |
| 5.3.1.3 能谱结果分析 | 第98-100页 |
| 5.3.1.4 最佳退火温度 | 第100-101页 |
| 5.3.2 退火时间影响 | 第101-104页 |
| 5.3.2.1 X射线衍射结果分析 | 第101-102页 |
| 5.3.2.2 金相显微镜结果分析 | 第102-104页 |
| 5.3.3 压缩变形 | 第104-109页 |
| 5.3.3.1 应力应变曲线分析 | 第104-105页 |
| 5.3.3.2 金相显微镜结果分析 | 第105-109页 |
| 5.3.4 最佳变形量36.7MPa下的Pr_2CuSi_3化合物 | 第109-114页 |
| 5.3.4.1 X射线衍射结果分析 | 第109页 |
| 5.3.4.2 金相显微镜结果分析 | 第109-114页 |
| 5.3.5 物理性能分析 | 第114-120页 |
| 5.3.5.1 电阻率的研究 | 第114-117页 |
| 5.3.5.2 霍尔效应的研究 | 第117-118页 |
| 5.3.5.3 交流磁化率的研究 | 第118-120页 |
| 5.4 本章结论 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-125页 |
| 第6章 结论 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 攻读博士学位期间已发表和在投的论文 | 第129-130页 |
| 作者简介 | 第130页 |
