论文目录 | |
| 学位论文数据集 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-56页 |
| 1.1 碳纳米管的结构和性能 | 第20-21页 |
| 1.2 碳纳米管的纯化 | 第21-22页 |
| 1.3 碳纳米管的共价功能化 | 第22-28页 |
| 1.3.1 碳纳米管的氧化溶解 | 第22页 |
| 1.3.2 碳纳米管的缺陷化学 | 第22-23页 |
| 1.3.3 碳纳米管的自由基加成反应 | 第23页 |
| 1.3.4 碳纳米管的环加成反应 | 第23-24页 |
| 1.3.5 碳纳米管盐以及碳纳米管的亲核加成反应 | 第24-25页 |
| 1.3.6 碳纳米管的氟化反应 | 第25页 |
| 1.3.7 碳纳米管的力化学反应 | 第25-26页 |
| 1.3.8 碳纳米管表面接枝聚合物 | 第26-28页 |
| 1.4 碳纳米管的物理分散和功能化 | 第28-30页 |
| 1.4.1 碳纳米管在有剂溶剂中的自发溶解 | 第28页 |
| 1.4.2 表面活性剂分散碳纳米管 | 第28-29页 |
| 1.4.3 芳香族分子功能化 | 第29页 |
| 1.4.4 高聚物包覆碳纳米管 | 第29-30页 |
| 1.5 碳纳米管柔性透明导电膜的制备 | 第30-43页 |
| 1.5.1 碳纳米管柔性透明导电膜的性质 | 第30-31页 |
| 1.5.2 碳纳米管柔性透明导电膜的制备方法 | 第31-43页 |
| 1.6 本课题的提出与意义 | 第43-44页 |
| 1.7 文章整体框架 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-56页 |
| 第二章 过硫酸铵法可控氧化、截断碳纳米管 | 第56-78页 |
| 2.1 前言 | 第56-57页 |
| 2.2 实验部分 | 第57-58页 |
| 2.2.1 材料 | 第57页 |
| 2.2.2 碳纳米管的过硫酸铵氧化 | 第57页 |
| 2.2.3 表征仪器 | 第57-58页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第58-73页 |
| 2.3.1 红外光谱 | 第58-59页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 | 第59-60页 |
| 2.3.3 XPS表征结果(温度和APS浓度对纳米管氧化的影响) | 第60-64页 |
| 2.3.4 氧化碳纳米管的溶解性 | 第64-65页 |
| 2.3.5 氧化对碳纳米管长度的影响 | 第65-67页 |
| 2.3.6 单壁碳纳米管的氧化机理研究 | 第67-68页 |
| 2.3.7 多壁碳纳米管的氧化反应 | 第68-73页 |
| 2.4 小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第三章 层层自组装法在柔性基材表面制备碳纳米管复合导电薄膜 | 第78-114页 |
| 3.1 前言 | 第78页 |
| 3.2 实验部分 | 第78-80页 |
| 3.2.1 材料与试剂 | 第78-79页 |
| 3.2.2 水溶性碳纳米管的制备 | 第79页 |
| 3.2.3 柔性基材表面电荷的引入 | 第79页 |
| 3.2.4 碳纳米管薄膜的制备 | 第79-80页 |
| 3.2.5 分析表征手段及设备 | 第80页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第80-111页 |
| 3.3.1 不同种类高分子对SWNTs的LBL薄膜制备的影响 | 第80-87页 |
| 3.3.2 碳纳米管改性程度的影响 | 第87-95页 |
| 3.3.3 SWNT分散介质对自组装过程的影响 | 第95-100页 |
| 3.3.4 高分子浓度的影响 | 第100-105页 |
| 3.3.5 SWNT溶液浓度的影响 | 第105-111页 |
| 3.4 结论 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 第四章 辊涂法制备碳纳米管透明导电薄膜 | 第114-130页 |
| 4.1 前言 | 第114-115页 |
| 4.2 实验部分 | 第115-116页 |
| 4.2.1 材料 | 第115页 |
| 4.2.2 碳纳米管涂膜分散液的制备 | 第115-116页 |
| 4.2.3 碳纳米管透明导电膜的制备 | 第116页 |
| 4.2.4 仪器表征 | 第116页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第116-126页 |
| 4.3.1 SWNTs涂膜分散液的流变性能及其在成膜过程中的重要性 | 第117-119页 |
| 4.3.2 SWNTs涂膜分散液的稳定性 | 第119-120页 |
| 4.3.3 SWNTs透明导电膜的均匀性表征 | 第120页 |
| 4.3.4 SWNTs薄膜中残留表面活性剂的移除 | 第120-122页 |
| 4.3.5 SWNTs薄膜的导电性和掺杂研究 | 第122-123页 |
| 4.3.6 辊涂法在制备其他纳米材料薄膜领域的推广 | 第123-126页 |
| 4.4 小结 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-130页 |
| 第五章 过硫酸铵水溶液掺杂SWNTs透明导电膜研究 | 第130-142页 |
| 5.1 引言 | 第130-131页 |
| 5.2 实验部分 | 第131页 |
| 5.2.1 材料 | 第131页 |
| 5.2.2 碳纳米管透明导电膜的制备 | 第131页 |
| 5.2.3 碳纳米管薄膜的过硫酸铵掺杂 | 第131页 |
| 5.2.4 表征仪器 | 第131页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第131-138页 |
| 5.3.1 过硫酸铵法掺杂的优势 | 第131-133页 |
| 5.3.2 过硫酸铵水溶液掺杂SWNTs薄膜的UV-Vis-NIR分析 | 第133页 |
| 5.3.3 过硫酸铵水溶液掺杂SWNTs薄膜的XPS分析 | 第133-134页 |
| 5.3.4 掺杂时间,温度以及氢离子浓度对电导率的影响 | 第134-137页 |
| 5.3.5 SWNTs导电薄膜掺杂稳定性研究 | 第137-138页 |
| 5.4 本章小结 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-142页 |
| 第六章 主要结论 | 第142-144页 |
| 致谢 | 第144-146页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第146-148页 |
| 作者简介 | 第148-150页 |
| 导师简介 | 第150-151页 |
| 附件 | 第151-152页 |
