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固态自旋体系的高保真度的量子操控的理论研究
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固态自旋体系的高保真度的量子操控的理论研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
第1章 量子计算第13-23页
　　1.1 量子力学与量子计算第13页
　　1.2 量子比特第13-16页
　　　　1.2.1 单量子比特第13-15页
　　　　1.2.2 多量子比特第15页
　　　　1.2.3 单比特和多比特量子逻辑门第15-16页
　　1.3 量子算法第16-20页
　　　　1.3.1 量子计算机上的经典算法第16-17页
　　　　1.3.2 量子并行性和算法第17-18页
　　　　1.3.3 量子计算机的能力第18-19页
　　　　1.3.4 保真度第19-20页
　　1.4 量子计算机的基本判据第20-21页
　　1.5 本章小结第21-22页
　　1.6 参考文献第22-23页
第2章 固态量子自旋体系第23-40页
　　2.1 半导体量子点第23-24页
　　2.2 量子点系统第24-25页
　　2.3 相互作用模型第25-27页
　　2.4 电子隧穿与库伦阻塞第27-29页
　　2.5 噪声处理第29-30页
　　　　2.5.1 动态噪声处理第29-30页
　　　　2.5.2 准静态噪声处理第30页
　　2.6 稀土晶体体系第30-36页
　　　　2.6.1 能级结构第31-33页
　　　　2.6.2 多种脉冲操作分析第33-36页
　　2.7 本章小结第36-37页
　　2.8 参考文献第37-40页
第三章 通用量子逻辑门的几何方式实现第40-53页
　　3.1 周期性演化和几何相位第40-41页
　　3.2 基于两个正交态的普适逻辑门第41-42页
　　3.3 Landau-Zener-Stuckelberg干涉过程中的态演化第42-45页
　　3.4 相消干涉和周期性演化的条件第45-46页
　　3.5 演化过程中的动力学相位和几何相位第46-48页
　　3.6 层析技术和逻辑门操作的保真度第48-49页
　　3.7 理论模型和主方程的求解第49页
　　3.8 本章小结第49-50页
　　3.9 参考文献第50-53页
第四章 绝热途径下的普适逻辑门第53-66页
　　4.1 半导体量子点中的S-T态的方案第53-54页
　　4.2 单比特门第54-56页
　　4.3 单比特的可调控绝热操作第56-60页
　　4.4 拓展到两比特第60-63页
　　4.5 本章小结第63-64页
　　4.6 参考文献第64-66页
第五章 量子比特中的高速态转移第66-74页
　　5.1 高保真操作的背景第66-67页
　　　　5.1.1 量子点模型第66-67页
　　5.2 单比特的快速绝热操作方第67-70页
　　5.3 拓展到两个比特第70-72页
　　5.4 本章小结第72-73页
　　5.5 参考文献第73-74页
第六章 混合比特的逻辑门第74-87页
　　6.1 混合比特第74-76页
　　6.2 光子作用下的自旋态第76-79页
　　6.3 光子态的退相干保护第79-83页
　　6.4 本章小结第83-84页
　　6.5 参考文献第84-87页
第七章 量子存储器第87-100页
　　7.1 环境动力学与它的谱第87-90页
　　7.2 长相干时间的特征第90-91页
　　7.3 长相干时间内的标度行为第91-94页
　　7.4 多种情况下的通用标度率第94-95页
　　7.5 掺镨晶体的分析第95-97页
　　7.6 本章小结第97-98页
　　7.7 参考文献第98-100页
第八章 总结与展望第100-102页
　　8.1 论文总结第100-101页
　　8.2 不足与展望第101-102页
致谢第102-104页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第104页

本篇论文共104页，点击这进入下载页面。
 
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