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ZnO纳米线的界面掺杂调控及BP/InSe异质结的偏振光电响应

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ZnO纳米线的界面掺杂调控及BP/InSe异质结的偏振光电响应
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第1章 绪论第11-41页
  1.1 引言第11-12页
  1.2 低维材料介绍第12-19页
    1.2.1 一维ZnO纳米线第12-14页
    1.2.2 二维层状材料第14-19页
  1.3 低维体系的输运性质第19-26页
    1.3.1 弱局域化效应第19-21页
    1.3.2 反弱局域化效应第21-22页
    1.3.3 普适电导涨落第22-23页
    1.3.4 AB和AAS量子振荡第23-25页
    1.3.5 Shubnikov-de Haas振荡第25-26页
  1.4 二维异质结构的光电特性第26-32页
    1.4.1 二维异质结构的光学特性第26-28页
    1.4.2 二维异质结构的电学特性第28-30页
    1.4.3 二维异质结构的光电特性第30-32页
  1.5 本论文的研究内容第32-35页
参考文献第35-41页
第2章 界面Al掺杂ZnO纳米线中电子的相位相干输运行为及调控第41-67页
  2.1 引言第41-43页
  2.2 样品制备及表征第43-47页
    2.2.1 界面铝掺杂和界面本征掺杂的氧化锌纳米线的制备第43页
    2.2.2 纳米线的表征及测量仪器第43-44页
    2.2.3 纳米线的形貌第44-45页
    2.2.4 纳米线的结构和成分表征第45-46页
    2.2.5 纳米线器件形貌及参数第46-47页
  2.3 纳米线输运性质的测量和分析第47-60页
    2.3.1 界面本征掺杂和界面铝掺杂ZnO纳米线变温输运第47-52页
    2.3.2 样品磁输运的测量与分析第52-60页
      2.3.2.1 弱局域化效应(WL)第52-54页
      2.3.2.2 普适电导涨落(UCF)第54-58页
      2.3.2.3 Al'tshuler-Aronov-Spivak ( AAS)量子振荡第58-60页
  2.4 样品中电子的退相干机制第60-62页
  2.5 本章小结第62-63页
参考文献第63-67页
第3章 黑磷-硒化铟异质结的光电特性第67-97页
  3.1 引言第67-71页
  3.2 InSe的制备及扫描光电流谱第71-77页
    3.2.1 InSe晶体和器件的制备第71页
    3.2.2 样品的表征第71-73页
    3.2.3 InSe的扫描光电流谱第73-77页
  3.3 黑磷/InSe垂直p-n结的高偏振敏感和快速的光响应第77-90页
    3.3.1 样品和器件的制备及表征第77-79页
    3.3.2 异质结的整流特性第79-80页
    3.3.3 异质结的偏振依赖光响应第80-84页
    3.3.4 异质结的宽谱、快速和高效的光响应特性第84-87页
    3.3.5 栅压可调控的异质结光电响应特性第87-89页
    3.3.6 异质结的光伏特性第89-90页
  3.4 BP/InSe异质p-n结中的隧穿机制第90-92页
  3.5 本章小结第92-93页
参考文献第93-97页
第4章 (Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3薄片的制备及Bi_2Te_3的输运特性第97-131页
  4.1 引言第97-102页
  4.2 Bi_2Te_3和(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3二维薄片的可控制备及表征第102-111页
    4.2.1 氟晶云母上外延生长Bi_2Te_3二维薄片及表征第102-104页
    4.2.2 SiO_2为衬底外延生长Bi_2Te_3二维薄片及表征第104-109页
    4.2.3 二维层状材料为衬底外延生长Bi_2Te_3二维薄片第109-111页
  4.3 Sb掺杂的(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3二维薄片的制备及表征第111-119页
    4.3.1 (Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3二维薄片的制备及表征第111-116页
    4.3.2 (Bi_xSb_(1-x))_2Te_3/Sb_2Te_3异质结的制备及表征第116-119页
  4.4 半导体性Bi_2Te_3薄片的相位相干输运特性第119-124页
    4.4.1 样品和器件的制备第119页
    4.4.2 Bi_2Te_3薄片的相位相干输运特性第119-124页
  4.5 本章小结第124-125页
参考文献第125-131页
第5章 展望第131-133页
致谢第133-135页
攻读博士期间发表论文情况第135页

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