氧化性气体调控石墨烯的化学气相沉积生长研究

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氧化性气体调控石墨烯的化学气相沉积生长研究

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氧化性气体调控石墨烯的化学气相沉积生长研究

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-11页
第一章绪论	第11-42页
1. 课题研究的背景与意义	第11-12页
2. 单晶石墨烯的生长及晶界的形成	第12-14页
3. 大面积单晶石墨烯的制备方法	第14-22页
3.1 毫米级单晶石墨烯的生长	第14-16页
3.2 厘米级单晶石墨烯的生长	第16-19页
3.3 石墨烯的快速生长	第19-20页
3.4 单晶石墨烯晶畴的定向排列与无缝连接	第20-22页
4. 石墨烯的晶界	第22-29页
4.1 石墨烯晶界的微观结构与纳米尺度表征	第23-25页
4.2 石墨烯晶界的宏观尺度表征	第25-29页
5. 本论文主要内容和研究目标	第29-31页
5.1 主要内容	第29-31页
5.2 主要研究目标	第31页
6. 参考文献	第31-42页
第二章石墨烯的CVD制备与表征	第42-48页
1. 石墨烯的制备	第42-43页
1.1 石墨烯生长的CVD系统	第42页
1.2 石墨烯的转移	第42-43页
2. 石墨烯的表征	第43-48页
2.1 石墨烯的光学成像表征	第43-44页
2.2 石墨烯的扫描电子与透射电子显微学成像表征	第44页
2.3 石墨烯的拉曼光谱与原子力显微镜表征	第44页
2.4 石墨烯的电学性质表征	第44-48页
第三章石墨烯晶界的动力学形成规律	第48-79页
1. 引言	第48-49页
2. 实验结果与表征	第49-63页
2.1 单晶与多晶石墨烯片的CVD生长与刻蚀	第49-51页
2.2 单晶与多晶石墨烯片的刻蚀	第51-54页
2.3 石墨烯晶界的结构表征	第54-60页
2.4 石墨烯晶界快速成像	第60-63页
3. 石墨烯晶界的形成机制	第63-72页
4. 超长石墨烯晶界的制备与器件	第72-74页
5. 本章小结	第74-75页
6. 参考文献	第75-79页
第四章氧化性刻蚀辅助法生长厘米级单晶石墨烯	第79-101页
1. 引言	第79-80页
2. 实验方法与步骤	第80-81页
2.1 单晶石墨烯的生长	第80页
2.2 石墨烯场效应晶体管的制备	第80-81页
3. 实验结果与讨论	第81-93页
3.1 微量氧化性气体对生长的影响	第81-85页
3.2 O_2对石墨烯的氧化性刻蚀作用	第85-88页
3.3 氧化性刻蚀影响石墨烯生长的内在机制研究	第88-93页
4. 石墨烯的表征	第93-96页
4.1 石墨烯的光学显微镜成像与TEM表征	第93-94页
4.2 石墨烯的拉曼光谱与AFM表征	第94-95页
4.3 石墨烯的电学性质表征	第95-96页
5. 本章小结	第96-97页
6. 参考文献	第97-101页
第五章抑制氧化性杂质的促进成核效应快速生长单晶石墨烯	第101-125页
1. 引言	第101-102页
2. 实验方法与步骤	第102-104页
2.1 单晶石墨烯的生长	第102页
2.2 石墨烯场效应晶体管的制备	第102-103页
2.3 C原子吸附能的计算	第103-104页
3. 实验结果与讨论	第104-117页
3.1 微量H_2O蒸气含量的分析与CVD设备改进	第104-107页
3.2 微量氧化性杂质对石墨烯生长的影响	第107-109页
3.3 快速生长石墨烯的机理讨论	第109-117页
4. 石墨烯的表征	第117-119页
4.1 石墨烯的拉曼光谱表征	第117-118页
4.2 石墨烯的TEM表征	第118-119页
4.3 石墨烯的电学性质表征	第119页
5. 本章小结	第119-121页
6. 参考文献	第121-125页
总结与展望	第125-128页
1. 总结	第125-127页
2. 展望	第127-128页
致谢	第128-130页
攻读博士学位期间发表的论文	第130页

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