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ESD保护器件研究及其在电路协同设计中的应用
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ESD保护器件研究及其在电路协同设计中的应用
论文目录
摘要
第1-7页
abstract
第7-12页
第一章 绪论
第12-30页
1.1 研究工作的背景与意义
第12-14页
1.2 ESD保护基本原理
第14-17页
1.2.1 ESD测试方法
第14-16页
1.2.2 ESD保护窗口
第16-17页
1.3 ESD测试模式和判据
第17-26页
1.3.1 人体模型(HBM)
第17-19页
1.3.2 机器模型(MM)
第19-20页
1.3.3 充电器件模型(CDM)
第20-22页
1.3.4 系统级ESD保护测试
第22-23页
1.3.5 传输线脉冲测试(TLP)
第23-25页
1.3.6 失效判据
第25-26页
1.4 集成电路ESD保护的研究现状和挑战
第26-29页
1.4.1 国内外研究现状
第26-27页
1.4.2 ESD保护的发展和面临的挑战
第27-29页
1.5 本文的结构安排
第29-30页
第二章 ESD基本保护器件特性分析
第30-44页
2.1 保护器件的物理机制概述
第30-31页
2.2 芯片级ESD保护器件
第31-42页
2.2.1 电阻
第31-32页
2.2.2 二极管
第32-36页
2.2.3 双极晶体管
第36-38页
2.2.4 MOSFET
第38-40页
2.2.5 SCR
第40-42页
2.3 系统级ESD保护器件
第42-43页
2.4 本章小结
第43-44页
第三章 高维持电压SCR器件优化设计技术
第44-72页
3.1 SCR抗闩锁效应的机理分析
第44-46页
3.2 分割技术提高维持电压技术
第46-61页
3.2.1 完全分割技术在双向SCR中的应用研究
第47-52页
3.2.2 完全分割技术在单向SCR中的应用研究
第52-61页
3.3 旁路电流提高维持电压SCR设计技术
第61-67页
3.3.1 补偿层引入额外寄生晶体管实现旁路电流
第61-64页
3.3.2 并联电阻实现旁路电流
第64-67页
3.4 堆叠DDSCR特性研究
第67-70页
3.5 本章小结
第70-72页
第四章 模拟电路的全芯片ESD保护设计技术
第72-90页
4.1 全芯片ESD保护网络的设计
第72-76页
4.1.1 基于电源轨的ESD保护设计
第73-74页
4.1.2 本地ESD保护设计
第74-76页
4.2 基于双极工艺的运算放大器ESD保护设计
第76-82页
4.2.1 运算放大器电路结构分析
第77页
4.2.2 输入级ESD保护设计分析
第77-79页
4.2.3 输出级ESD自保护设计分析
第79-81页
4.2.4 电源轨ESD保护设计分析
第81-82页
4.3 基于CMOS工艺的视频放大器全芯片ESD保护优化设计
第82-89页
4.3.1 视频放大器电路结构及ESD保护方案
第82-84页
4.3.2 全芯片ESD保护方案失效分析
第84-85页
4.3.3 基于电源轨的全芯片ESD保护优化设计
第85-89页
4.4 本章小结
第89-90页
第五章 系统级封装ESD保护协同设计技术
第90-113页
5.1 系统集成发展趋势
第90-91页
5.2 系统级封装及ESD保护设计
第91-94页
5.2.1 LTCC和HTCC工艺
第91-92页
5.2.2 系统级封装ESD保护设计
第92-94页
5.3 混合信号系统集成ESD保护设计技术
第94-102页
5.3.1 混合信号SiP系统
第94-96页
5.3.2 ESD失效现象分析
第96-97页
5.3.3 ESD失效解决措施
第97-99页
5.3.4 ESD协同设计结果分析
第99-101页
5.3.5 芯片薄膜电阻网络的优化设计
第101-102页
5.4 RS422/485 接口电路ESD增强解决方案
第102-111页
5.4.1 RS422/485 接口介绍
第102页
5.4.2 RS422/485 接口电路特性分析
第102-103页
5.4.3 片上ESD保护策略及特性分析
第103-109页
5.4.4 增强保护器件选型及特性分析
第109-110页
5.4.5 增强型RS422/485 接口方案特性分析
第110-111页
5.5 本章小结
第111-113页
第六章 结论及展望
第113-116页
6.1 总结
第113-114页
6.2 工作展望
第114-116页
致谢
第116-117页
参考文献
第117-124页
攻读博士学位期间取得的成果
第124-125页
本篇论文共
125
页,
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