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纳米氮化硅的光学性能及其线、薄膜力学行为的模拟研究

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纳米氮化硅的光学性能及其线、薄膜力学行为的模拟研究
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-14页
1 绪论第14-21页
  1.1 引言第14页
  1.2 纳米氮化硅合成方法研究现状第14-17页
  1.3 氮化硅第一性原理研究现状第17页
  1.4 氮化硅分子动力学研究现状第17-19页
  1.5 本文的研究目的与主要内容第19-21页
    1.5.1 本文的研究目的第19-20页
    1.5.2 本文的主要研究内容第20-21页
2 第一性原理基础理论与方法第21-27页
  2.1 引言第21页
  2.2 密度泛函理论第21-23页
    2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第22页
    2.2.2 Kohn-Sham定理第22-23页
  2.3 局域密度近似和广义梯度近似第23页
  2.4 赝势第23-24页
  2.5 物理量介绍第24-25页
    2.5.1 能带结构第24页
    2.5.2 态密度第24页
    2.5.3 光学性质第24-25页
  2.6 Materials Studio软件包第25页
  2.7 本章小结第25-27页
3 氮化硅掺杂体系的电子结构和光学性能第27-43页
  3.1 引言第27页
  3.2 计算模型及方法第27-29页
    3.2.1 建立模型第27-28页
    3.2.2 计算方法第28-29页
  3.3 结果与讨论第29-34页
    3.3.1 晶体结构第29-30页
    3.3.2 电子结构第30-32页
    3.3.3 电荷分布第32-34页
  3.4 光学性能第34-41页
    3.4.1 介电常数第35-36页
    3.4.2 吸收系数第36-38页
    3.4.3 反射谱第38-40页
    3.4.4 能量损失函数第40-41页
  3.5 本章小结第41-43页
4 氮化硅吸附体系的电子结构和光学性能第43-61页
  4.1 引言第43页
  4.2 计算方法第43-45页
  4.3 结果与讨论第45-51页
    4.3.1 吸附结构第45-47页
    4.3.2 电子结构和态密度第47页
    4.3.3 电荷分布第47-51页
  4.4 光学性能第51-59页
    4.4.1 介电常数第51-53页
    4.4.2 复折射率第53页
    4.4.3 吸收系数第53-56页
    4.4.4 反射谱第56-57页
    4.4.5 光电导率第57页
    4.4.6 能量损失函数第57-59页
  4.5 本章小结第59-61页
5 分子动力学模拟方法概述第61-72页
  5.1 引言第61-62页
  5.2 分子动力学基本原理第62-70页
    5.2.1 牛顿运动方程组第62页
    5.2.2 数值求解方法第62-64页
    5.2.3 边界条件第64-65页
    5.2.4 时间步长的选取第65页
    5.2.5 原子间的势函数第65-67页
    5.2.6 系综原理第67-69页
    5.2.7 模拟性能简介第69-70页
  5.3 Lammps软件计算过程简介第70-71页
  5.4 本章小结第71-72页
6 氮化硅纳米线不同应力状态下的力学行为第72-87页
  6.1 引言第72页
  6.2 势函数的选择和势表的建立第72-74页
  6.3 纳米线模型第74-75页
  6.4 势函数第75页
  6.5 力学行为第75-85页
    6.5.1 拉伸行为第75-76页
    6.5.2 压缩行为第76-83页
    6.5.3 抗弯行为第83-85页
  6.6 本章小结第85-87页
7 氮化硅纳米薄膜的拉伸力学行为第87-102页
  7.1 引言第87页
  7.2 建立模型第87页
  7.3 拉伸行为第87-92页
  7.4 应变速率对拉伸行为的影响第92-96页
  7.5 温度对拉伸行为的影响第96-101页
  7.6 本章小结第101-102页
8 结论与展望第102-104页
  8.1 结论第102-103页
  8.2 展望第103-104页
参考文献第104-110页
致谢第110-111页
攻读学位期间取得的研究成果第111-113页

本篇论文共113页,点击这进入下载页面
 
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