砷化铟纳米线基电子器件的制备及输运性质研究

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砷化铟纳米线基电子器件的制备及输运性质研究

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砷化铟纳米线基电子器件的制备及输运性质研究

论文目录
致谢	第1-5页
摘要	第5-7页
Abstract	第7-12页
1 引言	第12-13页
2 绪论	第13-37页
2.1 纳米材料介绍	第13-14页
2.2 砷化铟(InAs)材料	第14-16页
2.3 InAs纳米材料的种类	第16-19页
2.3.1 InAs纳米线	第16-17页
2.3.2 InAs纳米十字	第17-18页
2.3.3 InAs纳米片	第18-19页
2.4 InAs纳米线的制备及掺杂	第19-25页
2.4.1 液相法	第19-20页
2.4.2 气相法	第20-22页
2.4.3 其他方法	第22-23页
2.4.4 InAs纳米材料的掺杂	第23-25页
2.5 InAs纳米线的性质	第25-29页
2.5.1 InAs纳米线的电学性质	第25-27页
2.5.2 InAs纳米线的光学性质	第27-28页
2.5.3 InAs纳米线的力学性质	第28-29页
2.6 InAs纳米线器件	第29-35页
2.6.1 低温输运器件	第29-31页
2.6.2 光电器件	第31-32页
2.6.3 热电器件	第32-34页
2.6.4 气敏器件	第34-35页
2.7 研究目的、内容及方法	第35-37页
2.7.1 研究目的和内容	第35页
2.7.2 研究方法	第35-37页
3 InAs纳米线器件制备和表征方法	第37-52页
3.1 InAs纳米线制备与表征	第37-44页
3.1.1 分子束外延	第37-41页
3.1.2 扫描电子显微镜	第41-42页
3.1.3 透射电子显微镜	第42-43页
3.1.4 拉曼光谱	第43-44页
3.1.5 X射线能量色散谱	第44页
3.2 器件制备与测试	第44-52页
3.2.1 微纳加工	第44-50页
3.2.2 器件测试	第50-52页
4 InAs纳米线自旋注入研究	第52-81页
4.1 研究背景	第52-58页
4.1.1 半导体纳米线自旋输运	第52-57页
4.1.2 InAs材料自旋输运进展	第57-58页
4.2 InAs纳米线生长与表征	第58-62页
4.3 InAs纳米线器件制备工艺	第62-64页
4.4 结果与讨论	第64-80页
4.4.1 铁磁电极矫顽力	第64-65页
4.4.2 局域测量结果讨论	第65-69页
4.4.3 非局域测量结果讨论	第69-73页
4.4.4 势垒层材料对器件性能影响	第73-80页
4.5 本章小结	第80-81页
5 InAs纳米线器件阻变效应研究	第81-92页
5.1 研究背景	第81-85页
5.1.1 阻变随机存储器	第81-84页
5.1.2 纳米线阻变器件研究进展	第84-85页
5.2 器件制备及测试方法	第85页
5.3 结果与讨论	第85-91页
5.3.1 InAs纳米线器件的阻变特性	第85-87页
5.3.2 InAs纳米线器件的阻变机制	第87-91页
5.4 本章小结	第91-92页
6 InAs纳米线顶栅自对准器件研究	第92-102页
6.1 研究背景	第92-93页
6.2 InAs纳米线顶栅自对准器件制备	第93-96页
6.3 结果与讨论	第96-101页
6.4 本章小结	第101-102页
7 总结	第102-106页
7.1 总结	第102-103页
7.2 展望	第103-106页
参考文献	第106-127页
作者简历及在学研究成果	第127-132页
学位论文数据集	第132页

本篇论文共132页，点击这进入下载页面。

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