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量子点发光二极管的性能优化研究
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量子点发光二极管的性能优化研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第1章 绪论第12-38页
　　1.1 引言第12-14页
　　1.2 量子点材料和电致发光器件概述第14-27页
　　　　1.2.1 量子点发光性质第16-17页
　　　　1.2.2 有机发光二极管简介第17-19页
　　　　1.2.3 量子点电致发光器件简介第19-21页
　　　　1.2.4 QLEDs的器件结构第21-27页
　　1.3 QLEDs的发光机理第27-32页
　　　　1.3.1 载流子注入第28-31页
　　　　1.3.2 载流子传输第31页
　　　　1.3.3 量子点中激子的形成和复合第31-32页
　　　　1.3.4 能量转移理论第32页
　　1.4 QLEDs的应用第32-34页
　　1.5 透明导电薄膜概述第34-36页
　　1.6 本论文的主要工作第36-38页
第2章 器件的制备方法和表征技术第38-48页
　　2.1 制备方法及设备第38-43页
　　　　2.1.1 溶液成膜技术第38-41页
　　　　2.1.2 物理气相沉积技术第41-43页
　　　　2.1.3 器件封装第43页
　　2.2 表征技术第43-47页
　　　　2.2.1 透射电子显微镜第43-44页
　　　　2.2.2 X射线衍射图谱分析第44页
　　　　2.2.3 分光光度计第44页
　　　　2.2.4 荧光发射光谱第44-45页
　　　　2.2.5 原子力显微镜第45页
　　　　2.2.6 X射线光电子能谱分析第45页
　　　　2.2.7 紫外光电子能谱分析第45-46页
　　　　2.2.8 四探针测试第46页
　　　　2.2.9 霍尔效应测试仪第46页
　　　　2.2.10 电致发光测试平台第46-47页
　　2.3 本章小结第47-48页
第3章 AZO透明导电薄膜的制备及其在QLEDs中的应用第48-62页
　　3.1 前言第48-49页
　　3.2 实验部分第49-50页
　　　　3.2.1 AZO导电薄膜的制备第49页
　　　　3.2.2 器件的制备第49-50页
　　3.3 AZO透明导电薄膜表征第50-55页
　　　　3.3.1 XRD图谱分析第50-51页
　　　　3.3.2 光学特性表征第51-52页
　　　　3.3.3 表面形貌表征第52-53页
　　　　3.3.4 电学特性表征第53-54页
　　　　3.3.5 AZO薄膜的表面态分析第54-55页
　　3.4 器件性能结果和讨论第55-60页
　　3.5 本章小结第60-62页
第4章 基于全溶液法的顶发射QLEDs的研制第62-78页
　　4.1 前言第62-63页
　　4.2 实验部分第63-64页
　　　　4.2.1 实验材料第63-64页
　　　　4.2.2 器件制备第64页
　　4.3 结果与讨论第64-77页
　　　　4.3.1 氧化钼水溶液法成膜于铝电极的研究第64-68页
　　　　4.3.2 顶发射器件光电性能结果及讨论第68-72页
　　　　4.3.3 微腔效应减弱的研究第72-76页
　　　　4.3.4 顶发射器件的应用第76-77页
　　4.4 本章小结第77-78页
第5章 红光和蓝光QLEDs以及新型钙钛矿LEDs的研制第78-92页
　　5.1 前言第78-79页
　　5.2 实验部分第79-80页
　　5.3 结果和讨论第80-90页
　　　　5.3.1 红光QLEDs的结果讨论第80-83页
　　　　5.3.2 蓝光QLEDs器件的结果讨论第83-86页
　　　　5.3.3 柔性QLEDs器件的研制第86-88页
　　　　5.3.4 钙钛矿绿光发光二极管的研制第88-90页
　　5.4 本章小结第90-92页
第6章 结论与展望第92-96页
　　6.1 结论第92-93页
　　6.2 展望第93-96页
参考文献第96-110页
致谢第110-112页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第112页

本篇论文共112页，点击这进入下载页面。
 
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