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基于侧向微结构的中红外半导体激光器性能调控研究

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基于侧向微结构的中红外半导体激光器性能调控研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第1章 引言第11-35页
  1.1 课题研究背景及意义第11-12页
  1.2 GaSb基中红外激光器有源区的发展过程概述第12-19页
    1.2.1 GaSb基双异质结激光器概述第12-14页
    1.2.2 GaSb基量子阱激光器概述第14-18页
    1.2.3 GaSb基激光器国内研究现状第18-19页
  1.3 改善半导体激光器侧向光束质量的方法研究进展第19-32页
    1.3.1 不稳定谐振腔激光器研究进展第20-23页
    1.3.2 弯曲波导激光器研究进展第23-24页
    1.3.3 倾斜波导激光器研究进展第24-26页
    1.3.4 主振荡功率放大器(MOPA)和锥型激光器研究进展第26-27页
    1.3.5 倾斜光栅分布反馈(α-DFB)激光器研究进展第27-28页
    1.3.6 平板耦合光波导半导体激光器(SCOWL)研究进展第28-30页
    1.3.7 表面微结构激光器研究进展第30-31页
    1.3.8 锁相激光器阵列研究进展第31-32页
  1.4 本论文的选题依据和研究内容第32-35页
第2章 Ⅲ-Ⅴ族半导体基本特性与半导体激光器的设计制备第35-71页
  2.1 Ⅲ-V族半导体材料基本特性计算第35-47页
    2.1.1 能带及晶格常数计算第35-39页
    2.1.2 载流子迁移率和电导率计算第39-42页
    2.1.3 热学参数计算第42-44页
    2.1.4 折射率计算第44-47页
  2.2 半导体激光器基本特性第47-62页
    2.2.1 半导体中的载流子复合与粒子数反转第47-48页
    2.2.2 光学谐振腔及纵模间距第48-49页
    2.2.3 阈值条件第49-52页
    2.2.4 转换效率第52-56页
    2.2.5 输出功率第56-58页
    2.2.6 远场特性第58-62页
  2.3 半导体激光器制备工艺第62-70页
    2.3.1 外延生长技术第62-64页
    2.3.2 光刻技术第64-66页
    2.3.3 刻蚀技术第66-68页
    2.3.4 薄膜生长技术第68-69页
    2.3.5 GaSb基半导体激光器件工艺流程第69-70页
  2.4 本章小结第70-71页
第3章 高效侧向导热量子级联激光器波导结构研究第71-81页
  3.1 背景简介第71-72页
  3.2 QCL热模型建立第72-74页
  3.3 阶梯型波导QCL的制备工艺及仿真分析第74-80页
    3.3.1 工艺步骤第74-76页
    3.3.2 热学特性第76-79页
    3.3.3 电学特性第79-80页
  3.4 本章小结第80-81页
第4章 倾斜波导片上合束中红外激光器研究第81-97页
  4.1 背景介绍第81页
  4.2 倾斜波导片上合束激光器的设计与制备第81-83页
    4.2.1 结构设计第81-82页
    4.2.2 工艺制备第82-83页
  4.3 结果与讨论第83-94页
    4.3.1 功率-电流密度-电压及模式特性第83-86页
    4.3.2 远场特性第86-89页
    4.3.3 近场及光谱特性第89-90页
    4.3.4 光束质量及亮度第90-94页
  4.4 本章小结第94-97页
第5章 高性能GaSb基微条形宽区波导激光器研究第97-109页
  5.1 背景介绍第97页
  5.2 微条形宽区波导激光器的设计与制备第97-100页
  5.3 结果与讨论第100-107页
    5.3.1 功率-电流-电压特性第100-102页
    5.3.2 温度特性第102-103页
    5.3.3 微条形宽区波导激光器的热学特性第103-104页
    5.3.4 光学特性第104-107页
  5.4 本章小结第107-109页
第6章 结论与展望第109-113页
  6.1 本文结论第109-110页
  6.2 研究展望第110-113页
参考文献第113-123页
致谢第123-125页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第125-126页

本篇论文共126页,点击这进入下载页面
 
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