论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 引言 | 第11-35页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第11-12页 |
1.2 GaSb基中红外激光器有源区的发展过程概述 | 第12-19页 |
1.2.1 GaSb基双异质结激光器概述 | 第12-14页 |
1.2.2 GaSb基量子阱激光器概述 | 第14-18页 |
1.2.3 GaSb基激光器国内研究现状 | 第18-19页 |
1.3 改善半导体激光器侧向光束质量的方法研究进展 | 第19-32页 |
1.3.1 不稳定谐振腔激光器研究进展 | 第20-23页 |
1.3.2 弯曲波导激光器研究进展 | 第23-24页 |
1.3.3 倾斜波导激光器研究进展 | 第24-26页 |
1.3.4 主振荡功率放大器(MOPA)和锥型激光器研究进展 | 第26-27页 |
1.3.5 倾斜光栅分布反馈(α-DFB)激光器研究进展 | 第27-28页 |
1.3.6 平板耦合光波导半导体激光器(SCOWL)研究进展 | 第28-30页 |
1.3.7 表面微结构激光器研究进展 | 第30-31页 |
1.3.8 锁相激光器阵列研究进展 | 第31-32页 |
1.4 本论文的选题依据和研究内容 | 第32-35页 |
第2章 Ⅲ-Ⅴ族半导体基本特性与半导体激光器的设计制备 | 第35-71页 |
2.1 Ⅲ-V族半导体材料基本特性计算 | 第35-47页 |
2.1.1 能带及晶格常数计算 | 第35-39页 |
2.1.2 载流子迁移率和电导率计算 | 第39-42页 |
2.1.3 热学参数计算 | 第42-44页 |
2.1.4 折射率计算 | 第44-47页 |
2.2 半导体激光器基本特性 | 第47-62页 |
2.2.1 半导体中的载流子复合与粒子数反转 | 第47-48页 |
2.2.2 光学谐振腔及纵模间距 | 第48-49页 |
2.2.3 阈值条件 | 第49-52页 |
2.2.4 转换效率 | 第52-56页 |
2.2.5 输出功率 | 第56-58页 |
2.2.6 远场特性 | 第58-62页 |
2.3 半导体激光器制备工艺 | 第62-70页 |
2.3.1 外延生长技术 | 第62-64页 |
2.3.2 光刻技术 | 第64-66页 |
2.3.3 刻蚀技术 | 第66-68页 |
2.3.4 薄膜生长技术 | 第68-69页 |
2.3.5 GaSb基半导体激光器件工艺流程 | 第69-70页 |
2.4 本章小结 | 第70-71页 |
第3章 高效侧向导热量子级联激光器波导结构研究 | 第71-81页 |
3.1 背景简介 | 第71-72页 |
3.2 QCL热模型建立 | 第72-74页 |
3.3 阶梯型波导QCL的制备工艺及仿真分析 | 第74-80页 |
3.3.1 工艺步骤 | 第74-76页 |
3.3.2 热学特性 | 第76-79页 |
3.3.3 电学特性 | 第79-80页 |
3.4 本章小结 | 第80-81页 |
第4章 倾斜波导片上合束中红外激光器研究 | 第81-97页 |
4.1 背景介绍 | 第81页 |
4.2 倾斜波导片上合束激光器的设计与制备 | 第81-83页 |
4.2.1 结构设计 | 第81-82页 |
4.2.2 工艺制备 | 第82-83页 |
4.3 结果与讨论 | 第83-94页 |
4.3.1 功率-电流密度-电压及模式特性 | 第83-86页 |
4.3.2 远场特性 | 第86-89页 |
4.3.3 近场及光谱特性 | 第89-90页 |
4.3.4 光束质量及亮度 | 第90-94页 |
4.4 本章小结 | 第94-97页 |
第5章 高性能GaSb基微条形宽区波导激光器研究 | 第97-109页 |
5.1 背景介绍 | 第97页 |
5.2 微条形宽区波导激光器的设计与制备 | 第97-100页 |
5.3 结果与讨论 | 第100-107页 |
5.3.1 功率-电流-电压特性 | 第100-102页 |
5.3.2 温度特性 | 第102-103页 |
5.3.3 微条形宽区波导激光器的热学特性 | 第103-104页 |
5.3.4 光学特性 | 第104-107页 |
5.4 本章小结 | 第107-109页 |
第6章 结论与展望 | 第109-113页 |
6.1 本文结论 | 第109-110页 |
6.2 研究展望 | 第110-113页 |
参考文献 | 第113-123页 |
致谢 | 第123-125页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第125-126页 |