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密度泛函理论对掺杂及异质结构复合宽隙半导体光催化活性的研究

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密度泛函理论对掺杂及异质结构复合宽隙半导体光催化活性的研究
论文目录
 
摘要第8-10页
ABSTRACT第10-13页
第1章 绪论第13-27页
  1.1 光催化的发展历程第13-14页
  1.2 半导体光催化的基本原理第14-17页
  1.3 光催化技术的应用第17-18页
    1.3.1 光催化水解制氢第17页
    1.3.2 染料敏化太阳能电池第17-18页
    1.3.3 环境污染治理第18页
    1.3.4 防雾和自清洁第18页
    1.3.5 抗菌消毒第18页
  1.4 光催化剂改性第18-25页
    1.4.1 半导体掺杂第19-23页
    1.4.2 半导体复合第23-24页
    1.4.3 贵金属沉积第24-25页
    1.4.4 染料光敏化第25页
  1.5 本文的研究内容第25-27页
第2章 基础理论和计算方法第27-36页
  2.1 波函数方法第27-28页
    2.1.1 Born-Oppenheimer近似第27页
    2.1.2 Hartree-Fock近似第27-28页
  2.2 密度泛函理论第28-30页
    2.2.1 Thomas-Fermi定理第28-29页
    2.2.2 Hohenberg-Kohn定理第29页
    2.2.3 Kohn-Sham方程第29-30页
  2.3 交换关联泛函第30-34页
    2.3.1 局域密度近似 (LDA)第30-31页
    2.3.2 广义梯度近似 (GGA)第31页
    2.3.3 杂化密度泛函第31-32页
    2.3.4 DFT + D第32-33页
    2.3.5 DFT + U第33-34页
  2.4 HSE杂化泛函的应用第34-35页
  2.5 计算软件介绍第35-36页
第3章 掺杂对几种典型宽隙半导体光催化活性的调控第36-82页
  3.1 Mo–N和Cr–N共掺杂KNbO_3的光催化活性第36-50页
    3.1.1 引言第36-37页
    3.1.2 计算方法第37-40页
    3.1.3 结果和讨论第40-50页
    3.1.4 结论第50页
  3.2 双空穴共掺杂KNbO_3的光催化活性第50-62页
    3.2.1 引言第50-51页
    3.2.2 计算方法第51-52页
    3.2.3 结果和讨论第52-60页
    3.2.4 结论第60-62页
  3.3 N–F共掺杂KNbO_3的光催化活性第62-70页
    3.3.1 引言第62-63页
    3.3.2 计算方法第63-64页
    3.3.3 结果和讨论第64-70页
    3.3.4 结论第70页
  3.4 Mo–N和Cr-N共掺杂NaNbO_3的光催化活性第70-82页
    3.4.1 引言第70-72页
    3.4.2 计算方法第72页
    3.4.3 结果和讨论第72-81页
    3.4.4 结论第81-82页
第4章 几种典型超晶格和异质结的光催化活性第82-110页
  4.1 BiOX/BiOY (X, Y = F, Cl, Br, I) 超晶格的光催化活性第82-92页
    4.1.1 引言第82-84页
    4.1.2 计算方法第84-86页
    4.1.3 结果和讨论第86-92页
    4.1.4 结论第92页
  4.2 SrTiO_3/NaTaO_3异质结的光催化活性第92-101页
    4.2.1 引言第92-93页
    4.2.2 计算方法第93-95页
    4.2.3 结果和讨论第95-100页
    4.2.4 结论第100-101页
  4.3 ZnO/MoX_2(X = S, Se) 异质结的光催化活性第101-110页
    4.3.1 引言第101页
    4.3.2 计算方法第101-102页
    4.3.3 结果和讨论第102-109页
    4.3.4 结论第109-110页
第5章 总结与展望第110-112页
  5.1 工作总结第110-111页
  5.2 工作展望第111-112页
参考文献第112-134页
致谢第134-136页
攻读博士学位位期间科研成果目录第136-137页

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