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65nm工艺高性能低功耗SRAM研究与实现

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65nm工艺高性能低功耗SRAM研究与实现
论文目录
 
摘要第1-10页
ABSTRACT第10-12页
第一章 绪论第12-16页
  1.1 课题的研究背景第12-13页
  1.2 SRAM研究现状与发展前景第13-14页
  1.3 课题研究的主要内容第14-15页
  1.4 本文的组织与结构第15-16页
第二章 高性能低功耗SRAM的设计实现方法第16-29页
  2.1 高性能低功耗的工艺设计现状第16-20页
    2.1.1 低K介质和互连材料Cu的应用第16-18页
    2.1.2 高K介质的应用第18页
    2.1.3 Fin-FET工艺第18-20页
  2.2 高性能低功耗SRAM技术设计现状第20-28页
    2.2.1 字线脉冲技术的应用第20-21页
    2.2.2 多阈值电压技术第21页
    2.2.3 偏斜电路技术第21-22页
    2.2.4 新型存储单元第22-28页
  2.3 本章小结第28-29页
第三章 TBP单端敏感放大电路第29-39页
  3.1 单端敏感放大电路第29-34页
    3.1.1 多米诺全摆幅敏感放大电路第29-30页
    3.1.2 伪差分敏感放大电路第30-31页
    3.1.3 耦合电容敏感放大电路第31-34页
  3.2 TBP结构的新型敏感放大电路第34-38页
    3.2.1 TBP敏感放大电路结构第34页
    3.2.2 TBP敏感放大电路工作原理第34-36页
    3.2.3 TBP敏感放大电路的性能对比第36-38页
  3.3 本章小结第38-39页
第四章 基于TBP单端敏感放大电路SRAM的设计与实现第39-60页
  4.1 SRAM总体结构的设计第39-40页
  4.2 SRAM关键模块的设计第40-56页
    4.2.1 时钟模块的设计第41-42页
    4.2.2 地址数据锁存模块的设计第42-43页
    4.2.3 译码模块的设计第43-52页
    4.2.4 写操作数据通路第52-53页
    4.2.5 读操作数据通路第53-55页
    4.2.6 输出锁存模块的设计第55-56页
  4.3 SRAM电路功能模拟仿真与性能对比第56-58页
  4.4 本章小结第58-60页
第五章 基于单端敏感放大电路SRAM的版图设计与实现第60-67页
  5.1 基于单端敏放的SRAM版图的整体布局规划第60-61页
  5.2 电源地规划第61-62页
  5.3 模块版图结构第62-63页
  5.4 版图级优化第63-65页
  5.5 基于单端敏感放大器的SRAM后仿功耗与性能对比第65-66页
  5.6 本章小结第66-67页
结束语第67-69页
  6.1 全文工作总结第67页
  6.2 工作展望第67-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-74页
作者在学期间取得的学术成果第74页

本篇论文共74页,点击这进入下载页面
 
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