块状半导体材料制备过程的理论和实验研究

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块状半导体材料制备过程的理论和实验研究

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块状半导体材料制备过程的理论和实验研究

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
1 绪论	第9-24页
1.1 半导体材料	第9-12页
1.2 PVT法制备块状SiC半导体材料	第12-14页
1.3 热电效应以及表征热电性能的参数	第14-19页
1.4 国内外研究现状	第19-21页
1.5 本文研究内容与目的	第21-24页
2 PVT方法生长大块体SiC的数值计算方法	第24-32页
2.1 模型假设与简化	第24页
2.2 控制方程与边界条件	第24-27页
2.3 本文采用的化学反应模型	第27-29页
2.4 数值模拟计算方法	第29-31页
2.5 本章小结	第31-32页
3 PVT法生长大块状SiC生长腔内的研究与优化	第32-45页
3.1 生长腔内的几何模型	第32-33页
3.2 温度梯度对于晶体生长速度的影响	第33-37页
3.3 压力对于晶体生长速度的影响	第37-40页
3.4 晶体生长温度对于生长速度的影响	第40-41页
3.5 生长腔内结构的优化设计	第41-44页
3.6 本章小结	第44-45页
4 S含量对Bi_2Te_3-xSx热电性能影响的实验研究	第45-53页
4.1 实验原料	第46页
4.2 实验方法与试验流程	第46-48页
4.3 实验结果分析	第48-52页
4.4 本章小结	第52-53页
5 总结与展望	第53-56页
5.1 全文总结	第53-54页
5.2 工作展望	第54-56页
致谢	第56-57页
参考文献	第57-62页

本篇论文共62页，点击这进入下载页面。

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