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数字式碳化硅基航空高压直流固态功率控制器的研制

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数字式碳化硅基航空高压直流固态功率控制器的研制
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-12页
注释表第12-14页
第一章 绪论第14-20页
  1.1 研究背景第14-16页
  1.2 研究现状第16-18页
    1.2.1 SiC MOSFET寄生参数对开关特性的影响研究现状第16页
    1.2.2 SiC MOSFET的并联均流研究现状第16-17页
    1.2.3 SiC基高压直流固态功率控制器的研究现状第17-18页
  1.3 本文研究内容第18-20页
第二章 寄生参数对单管SiC MOSFET开关特性的影响第20-44页
  2.1 SiC MOSFET的非理想开关特性分析第20-25页
  2.2 寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响第25-31页
    2.2.1 栅极寄生电感LG的影响第25-27页
    2.2.2 漏极寄生电感LD的影响第27页
    2.2.3 源极寄生电感LS的影响第27-28页
    2.2.4 寄生电感对SiC MOSFET开关特性影响的量化分析第28-31页
  2.3 寄生电感综合匹配的布局方法及实验结果第31-33页
  2.4 寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响及实验第33-42页
    2.4.1 栅源极寄生电容C_(GS)的影响第34-36页
    2.4.2 栅漏极寄生电容C_(GD)的影响第36-37页
    2.4.3 漏源极寄生电容 C_(DS)的影响第37-39页
    2.4.4 寄生电容C_J的影响第39-41页
    2.4.5 寄生参数对SiC MOSFET开关特性影响总结第41-42页
  2.5 本章小结第42-44页
第三章 参数不匹配对SiC MOSFET并联均流的影响及实验第44-64页
  3.1 器件参数不匹配对SiC MOSFET并联均流特性的影响第44-48页
    3.1.1 导通电阻RDS(ON)的影响第46页
    3.1.2 阈值电压UTH的影响第46-48页
  3.2 电路参数不匹配对SiC MOSFET并联均流的影响第48-51页
    3.2.1 驱动电阻RG不一致对并联均流的影响第48-51页
  3.3 布局参数不匹配对SiC MOSFET并联均流特性的影响第51-56页
    3.3.1 共源极寄生电感LCM不匹配的影响第53-55页
    3.3.2 开尔文源极电感LKS和功率源极寄生电感LS不匹配的影响第55-56页
  3.4 双管并联动态均流的布局优化仿真与实验第56-59页
  3.5 双管并联的电-热分布预测第59-63页
    3.5.1 导通电阻RDS(ON)温度特性测试第59页
    3.5.2 阈值电压UTH温度特性测试第59-60页
    3.5.3 基于迭代算法的电-热分布预测第60-63页
  3.6 本章小结第63-64页
第四章 数字式碳化硅基航空高压直流固态功率控制器的设计第64-80页
  4.1 系统结构原理及设计要求第64-68页
    4.1.1 样机结构第64-65页
    4.1.2 设计要求第65-68页
  4.2 硬件电路的设计第68-72页
    4.2.1 主功率电路第68-69页
    4.2.2 缓冲驱动电路第69页
    4.2.3 负载电流检测电路第69页
    4.2.5 漏电流保护电路第69-71页
    4.2.6 机内自检测电路第71页
    4.2.7 辅助电源系统第71-72页
  4.3 软件电路的设计第72页
    4.3.1 主控电路第72页
    4.3.2 通信电路第72页
  4.4 样机实验结果第72-79页
    4.4.1 主要性能测试第73-74页
    4.4.2 负载兼容性测试第74-76页
    4.4.3 短路保护测试第76-77页
    4.4.4 反时限特性曲线测试第77-79页
    4.4.5 并联开关管温升测试第79页
  4.5 本章小结第79-80页
第五章 结束语第80-82页
  5.1 本文的主要工作第80页
  5.2 工作展望第80-82页
参考文献第82-86页
致谢第86-87页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第87页

本篇论文共87页,点击这进入下载页面
 
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