论文目录 | |
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-12页 |
注释表 | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第14-20页 |
1.1 研究背景 | 第14-16页 |
1.2 研究现状 | 第16-18页 |
1.2.1 SiC MOSFET寄生参数对开关特性的影响研究现状 | 第16页 |
1.2.2 SiC MOSFET的并联均流研究现状 | 第16-17页 |
1.2.3 SiC基高压直流固态功率控制器的研究现状 | 第17-18页 |
1.3 本文研究内容 | 第18-20页 |
第二章 寄生参数对单管SiC MOSFET开关特性的影响 | 第20-44页 |
2.1 SiC MOSFET的非理想开关特性分析 | 第20-25页 |
2.2 寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响 | 第25-31页 |
2.2.1 栅极寄生电感LG的影响 | 第25-27页 |
2.2.2 漏极寄生电感LD的影响 | 第27页 |
2.2.3 源极寄生电感LS的影响 | 第27-28页 |
2.2.4 寄生电感对SiC MOSFET开关特性影响的量化分析 | 第28-31页 |
2.3 寄生电感综合匹配的布局方法及实验结果 | 第31-33页 |
2.4 寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响及实验 | 第33-42页 |
2.4.1 栅源极寄生电容C_(GS)的影响 | 第34-36页 |
2.4.2 栅漏极寄生电容C_(GD)的影响 | 第36-37页 |
2.4.3 漏源极寄生电容 C_(DS)的影响 | 第37-39页 |
2.4.4 寄生电容C_J的影响 | 第39-41页 |
2.4.5 寄生参数对SiC MOSFET开关特性影响总结 | 第41-42页 |
2.5 本章小结 | 第42-44页 |
第三章 参数不匹配对SiC MOSFET并联均流的影响及实验 | 第44-64页 |
3.1 器件参数不匹配对SiC MOSFET并联均流特性的影响 | 第44-48页 |
3.1.1 导通电阻RDS(ON)的影响 | 第46页 |
3.1.2 阈值电压UTH的影响 | 第46-48页 |
3.2 电路参数不匹配对SiC MOSFET并联均流的影响 | 第48-51页 |
3.2.1 驱动电阻RG不一致对并联均流的影响 | 第48-51页 |
3.3 布局参数不匹配对SiC MOSFET并联均流特性的影响 | 第51-56页 |
3.3.1 共源极寄生电感LCM不匹配的影响 | 第53-55页 |
3.3.2 开尔文源极电感LKS和功率源极寄生电感LS不匹配的影响 | 第55-56页 |
3.4 双管并联动态均流的布局优化仿真与实验 | 第56-59页 |
3.5 双管并联的电-热分布预测 | 第59-63页 |
3.5.1 导通电阻RDS(ON)温度特性测试 | 第59页 |
3.5.2 阈值电压UTH温度特性测试 | 第59-60页 |
3.5.3 基于迭代算法的电-热分布预测 | 第60-63页 |
3.6 本章小结 | 第63-64页 |
第四章 数字式碳化硅基航空高压直流固态功率控制器的设计 | 第64-80页 |
4.1 系统结构原理及设计要求 | 第64-68页 |
4.1.1 样机结构 | 第64-65页 |
4.1.2 设计要求 | 第65-68页 |
4.2 硬件电路的设计 | 第68-72页 |
4.2.1 主功率电路 | 第68-69页 |
4.2.2 缓冲驱动电路 | 第69页 |
4.2.3 负载电流检测电路 | 第69页 |
4.2.5 漏电流保护电路 | 第69-71页 |
4.2.6 机内自检测电路 | 第71页 |
4.2.7 辅助电源系统 | 第71-72页 |
4.3 软件电路的设计 | 第72页 |
4.3.1 主控电路 | 第72页 |
4.3.2 通信电路 | 第72页 |
4.4 样机实验结果 | 第72-79页 |
4.4.1 主要性能测试 | 第73-74页 |
4.4.2 负载兼容性测试 | 第74-76页 |
4.4.3 短路保护测试 | 第76-77页 |
4.4.4 反时限特性曲线测试 | 第77-79页 |
4.4.5 并联开关管温升测试 | 第79页 |
4.5 本章小结 | 第79-80页 |
第五章 结束语 | 第80-82页 |
5.1 本文的主要工作 | 第80页 |
5.2 工作展望 | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-86页 |
致谢 | 第86-87页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第87页 |