论文目录 | |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 半导体光催化材料概述 | 第11-12页 |
| 1.3 光催化氧化TC的原理 | 第12-13页 |
| 1.4 钽酸盐光催化材料研究进展 | 第13-14页 |
| 1.5 可见光响应半导体光催化剂的设计思路 | 第14-15页 |
| 1.5.1 半导体复合 | 第14-15页 |
| 1.5.2 贵金属沉积 | 第15页 |
| 1.5.3 离子掺杂 | 第15页 |
| 1.6 本论文的选题依据和研究内容 | 第15-17页 |
| 1.6.1 本文选题依据 | 第15-16页 |
| 1.6.2 本文研究内容 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-23页 |
| 第二章 实验试剂与仪器 | 第23-26页 |
| 2.1 实验试剂 | 第23-24页 |
| 2.2 实验仪器 | 第24页 |
| 2.3 样品测试 | 第24-26页 |
| 2.3.1 X射线粉末衍射(XRD) | 第24-25页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 | 第25页 |
| 2.3.3 BET测试 | 第25页 |
| 2.3.4 光谱分析 | 第25页 |
| 2.3.5 电化学性能测试 | 第25页 |
| 2.3.6 光催化性能测试—可见光降解盐酸四环素 | 第25-26页 |
| 第三章 NaTaO_3/GO的制备及其光催化降解四环素性能研究 | 第26-45页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 实验过程 | 第27页 |
| 3.2.1 氧化石墨烯(GO)的合成 | 第27页 |
| 3.2.2 纯相NaTaO_3半导体光催化剂的制备 | 第27页 |
| 3.2.3 NaTaO_3/GO半导体光催化剂的制备 | 第27页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第27-38页 |
| 3.3.1 结构和形貌分析 | 第27-29页 |
| 3.3.2 样品的表面化学分析 | 第29-33页 |
| 3.3.3 紫外-可见漫反射光谱分析 | 第33-35页 |
| 3.3.4 样品的电化学性能分析 | 第35页 |
| 3.3.5 样品的光催化性能研究 | 第35-38页 |
| 3.3.6 样品的光催化机理研究 | 第38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 第四章 WO_3/NaTaO_3复合光催化剂的制备及对四环素的移除研究 | 第45-60页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 实验过程 | 第46页 |
| 4.2.1 纯相NaTaO_3半导体光催化剂的制备 | 第46页 |
| 4.2.2 复合WO_3/NaTaO_3半导体光催化剂的制备 | 第46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-55页 |
| 4.3.1 样品的结构,形貌和表面化学分析 | 第46-51页 |
| 4.3.2 紫外-可见漫反射光谱分析(UV-vis-DRS) | 第51-52页 |
| 4.3.3 样品的光催化性能研究 | 第52-53页 |
| 4.3.4 样品的光催化机理研究 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第五章 复合Bi_2O_3-Bi_3TaO_7光催化剂的制备及光催化性能研究 | 第60-85页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 实验过程 | 第61页 |
| 5.2.1 纯相Bi_3TaO_7半导体光催化剂的制备 | 第61页 |
| 5.2.2 前驱体Bi_2O_2CO_3的制备 | 第61页 |
| 5.2.3 复合Bi_2O_3-Bi_3TaO_7半导体光催化剂的制备 | 第61页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第61-77页 |
| 5.3.1 结构和形貌分析 | 第61-64页 |
| 5.3.2 紫外-可见漫反射光谱分析(UV-VIS-DRS) | 第64-65页 |
| 5.3.3 样品的表面化学分析 | 第65-68页 |
| 5.3.4 样品的比表面分析 | 第68-69页 |
| 5.3.5 样品的电化学性能分析 | 第69-71页 |
| 5.3.6 样品的光催化性能研究 | 第71-75页 |
| 5.3.7 样品的光催化机理研究 | 第75-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-85页 |
| 第六章 总结与展望 | 第85-87页 |
| 6.1 总结 | 第85-86页 |
| 6.2 展望 | 第86-87页 |
| 硕士期间科研成果 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
