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二维材料光电性质改性的第一性原理研究

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二维材料光电性质改性的第一性原理研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 引言第11-20页
  1.1 二维材料简介第11-14页
    1.1.1 石墨烯简介第11-12页
    1.1.2 过渡性金属硫化物简介第12-13页
    1.1.3 黒磷简介第13-14页
  1.2 金属-半导体界面简介第14-19页
    1.2.1 肖特基势垒简介第15-17页
    1.2.2 金属-二维材料界面研究进展第17-19页
  1.3 本论文研究内容简介第19-20页
第二章 理论计算方法第20-29页
  2.1 第一性原理简介第20-22页
    2.1.1 绝热近似第20-21页
    2.1.2 单电子近似第21-22页
  2.2 密度泛函理论第22-29页
    2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第22-23页
    2.2.2 Kohn-Sham方程第23-24页
    2.2.3 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)第24-26页
    2.2.4 势函数和基函数选取第26-27页
    2.2.5 第一性原理计算软件简介第27-29页
第三章 二维材料及金属-二维材料的电子特性第29-43页
  3.1 引言第29页
  3.2 模型和计算方法第29-33页
  3.3 计算结果与讨论第33-41页
    3.3.1 单层二维材料的能带结构第33-35页
    3.3.2 金属-单层二维材料界面肖特基势垒第35-41页
  3.4 本章小结第41-43页
第四章 卤族元素掺杂对Au-MoS2界面性质的调控第43-53页
  4.1 引言第43页
  4.2 模型和计算方法第43-45页
  4.3 计算结果与讨论第45-52页
    4.3.1 缺陷形成能第45-46页
    4.3.2 能带结构第46-48页
    4.3.3 肖特基势垒高度第48-50页
    4.3.4 差分电荷密度和布居分析第50-52页
  4.4 本章小结第52-53页
第五章 Se掺杂对Au-BP界面性质的调控第53-61页
  5.1 引言第53页
  5.2 计算方法与模型第53-55页
  5.3 计算结果与讨论第55-60页
    5.3.1 缺陷形成能第55-56页
    5.3.2 能带结构和态密度第56-58页
    5.3.3 肖特基势垒高度第58页
    5.3.4 电荷密度分布第58-59页
    5.3.5 差分电荷密度和布局数分布第59-60页
  5.4 本章小结第60-61页
第六章 总结与展望第61-64页
  6.1 论文总结第61-62页
  6.2 论文展望第62-64页
参考文献第64-71页
作者简历及在攻读硕士期间发表的论文第71-72页
致谢第72-73页

本篇论文共73页,点击这进入下载页面
 
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