HgCdTe光导器件干法刻蚀技术的研究

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HgCdTe光导器件干法刻蚀技术的研究

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HgCdTe光导器件干法刻蚀技术的研究

论文目录
致谢	第1-6页
摘要	第6-7页
Abstract	第7-10页
1 引言	第10-36页
1.1 HgCdTe材料简介	第10-18页
1.1.1 HgCdTe材料的物理性质和生长方法	第10-13页
1.1.2 HgCdTe材料性能测试方法	第13-18页
1.2 HgCdTe光导器件简介	第18-27页
1.2.1 HgCdTe光导器件的工作原理	第18-20页
1.2.2 HgCdTe光导器件制备工艺和性能参数	第20-22页
1.2.3 国内外研究现状	第22-27页
1.3 干法刻蚀技术	第27-34页
1.3.1 微台面隔离技术与干法刻蚀技术的优势	第27-28页
1.3.2 干法刻蚀技术的原理与分类	第28-29页
1.3.3 干法刻蚀在HgCdTe光导器件制备过程中的应用	第29-31页
1.3.4 HgCdTe干法刻蚀技术和实验设备	第31-34页
1.4 论文内容及写作安排	第34-36页
2 干法刻蚀热效应对材料电学性质的影响	第36-47页
2.1 ICP干法刻蚀机的刻蚀均匀性	第36-38页
2.2 流片结果异常的原因排查	第38-40页
2.3 实验结果及分析	第40-46页
2.3.1 载流子浓度的变化及分析	第42-44页
2.3.2 载流子迁移率的变化及分析	第44-46页
2.3.3 总结	第46页
2.4 本章小结	第46-47页
3 干法刻蚀去除环氧胶方法的摸索	第47-56页
3.1 环氧胶的作用与性质	第47-49页
3.2 不同刻蚀气体对环氧胶的去除效果	第49-52页
3.3 器件制备过程中环氧胶的去除	第52-55页
3.4 本章小结	第55-56页
4 干法刻蚀温度对HgCdTe器件性能的影响	第56-71页
4.1 刻蚀温度影响材料及器件性能的理论基础	第56-59页
4.2 低温刻蚀掩模的制备	第59-66页
4.3 刻蚀温度对器件性能的影响	第66-70页
4.4 本章小结	第70-71页
5 总结与展望	第71-73页
参考文献	第73-76页
作者简介及在学期间发表的学术论文	第76页

本篇论文共76页，点击这进入下载页面。

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