紫外探测器的理论仿真设计及制备研究

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紫外探测器的理论仿真设计及制备研究

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紫外探测器的理论仿真设计及制备研究

论文目录
致谢	第1-5页
摘要	第5-7页
ABSTRACT	第7-12页
1 引言	第12-25页
1.1 Ⅲ-N半导体材料	第12-17页
1.1.1 Ⅲ-N材料的外延生长技术	第12-14页
1.1.2 Ⅲ-N材料的晶格常数和能带结构	第14-15页
1.1.3 Ⅲ-N材料的极化特性	第15-16页
1.1.4 Ⅲ-N材料的光学性质	第16-17页
1.2 Ⅲ-N光电探测器的发展	第17-23页
1.2.1 Ⅲ-N光电探测器分类	第17-18页
1.2.2 Ⅲ-N光电探测器发展状况	第18-23页
1.3 本论文的研究内容与安排	第23-25页
2 探测器参数及仿真平台	第25-36页
2.1 探测器性能参数	第25-28页
2.1.1 响应率	第25-26页
2.1.2 噪声	第26页
2.1.3 探测率	第26-27页
2.1.4 响应时间	第27页
2.1.5 量子效率	第27-28页
2.2 Silvaco TCAD软件	第28-30页
2.2.1 主要组件及仿真流程	第28-29页
2.2.2 半导体器件基本方程	第29-30页
2.3 物理模型	第30-35页
2.3.1 载流子浓度和能带结构模型	第30-31页
2.3.2 迁移率模型	第31-33页
2.3.3 复合模型	第33-35页
2.4 本章小结	第35-36页
3 InGaN紫外探测器的设计及特性研究	第36-47页
3.1 探测器基本结构及参数	第36-37页
3.2 结果与分析	第37-41页
3.2.1 载流子SRH复合寿命对响应曲线的影响	第38页
3.2.2 n层厚度对光谱响应的影响	第38-39页
3.2.3 i-InGaN厚度对响应率曲线的影响	第39-40页
3.2.4 p-GaN厚度对响应曲线的影响	第40页
3.2.5 极化效应对响应曲线的影响	第40-41页
3.3 InGaN紫外探测器暗电流仿真及分析	第41-46页
3.3.1 器件结构和物理模型	第41-43页
3.3.2 结果与讨论	第43-46页
3.4 本章小结	第46-47页
4 InGaN紫外探测器的工艺制备及测试分析	第47-61页
4.1 InGaN材料特性研究	第47-48页
4.2 器件制备过程	第48-49页
4.3 器件的性能测试与分析	第49-52页
4.3.1 器件的I-V特性	第49-50页
4.3.2 器件的响应光谱特性	第50-52页
4.4 InGaN紫外探测器的暗电流分析	第52-55页
4.4.1 p电极宽度对暗电流的影响	第53页
4.4.2 台面宽度对暗电流的影响	第53-54页
4.4.3 加厚电极对暗电流的影响	第54-55页
4.5 n电极退火条件对p电极欧姆接触的影响	第55-59页
4.5.1 传输线模型	第55-56页
4.5.2 样品制备及测试分析	第56-59页
4.6 本章小结	第59-61页
5 AlGaN紫外探测器的数值仿真及分析	第61-68页
5.1 AlGaN/GaN异质结紫外探测器的模拟	第61-63页
5.1.1 器件结构与物理模型	第61-62页
5.1.2 结果与分析	第62-63页
5.2 SAM型AlGaN雪崩光电二极管的模拟	第63-66页
5.3 本章小结	第66-68页
6 总结与展望	第68-70页
6.1 论文总结	第68-69页
6.2 研究展望	第69-70页
参考文献	第70-75页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果	第75页

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