论文目录 | |
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-8页 |
第1章 绪论 | 第8-28页 |
1.1 表面起皱概述 | 第8-14页 |
1.1.1 起皱机理 | 第8-10页 |
1.1.2 软硬膜基复合体系 | 第10-11页 |
1.1.3 表面薄膜硬层的制备 | 第11-12页 |
1.1.4 表面起皱方式 | 第12-14页 |
1.2 皱纹图案的调控 | 第14-18页 |
1.2.1 模板法 | 第14-15页 |
1.2.2 预应力法 | 第15-16页 |
1.2.3 皱纹体系中引入刺激响应性组分 | 第16-18页 |
1.3 偶氮聚合物 | 第18-22页 |
1.3.1 偶氮苯分子结构 | 第18-19页 |
1.3.2 偶氮苯分类 | 第19-20页 |
1.3.3 偶氮聚合物体系 | 第20-22页 |
1.4 超分子偶氮聚合物 | 第22-25页 |
1.4.1 超分子聚合物介绍 | 第22页 |
1.4.2 偶氮超分子聚合物 | 第22-25页 |
1.5 偶氮苯聚合物的应用 | 第25-27页 |
1.5.1 光致伸缩材料 | 第25-26页 |
1.5.2 光栅材料 | 第26-27页 |
1.6 研究思路与创新处 | 第27-28页 |
第2章 偶氮聚合物的光消皱响应性研究 | 第28-46页 |
2.1 实验部分 | 第28-31页 |
2.1.1 实验仪器 | 第28-29页 |
2.1.2 实验药品 | 第29页 |
2.1.3 PDMS弹性基底的制备 | 第29页 |
2.1.4 偶氮聚合物(P4VP(Azo)_x)膜的制备及PDMS/P4VP(Azo)_x膜基体系的构筑 | 第29-30页 |
2.1.5 表面皱纹诱导 | 第30页 |
2.1.6 皱纹的曝光处理 | 第30页 |
2.1.7 表征 | 第30-31页 |
2.2 结果与讨论 | 第31-44页 |
2.2.1 P4VP(OH-DMA)_x膜样品紫外吸收光谱 | 第31-32页 |
2.2.2 P4VP(OH-DMA)_x复合物中氢键的确定 | 第32页 |
2.2.3 PDMS/P4VP(OH-DMA)_x膜基体系皱纹图案的制备 | 第32-33页 |
2.2.4 PDMS/P4VP(OH-DMA)_x膜基体系皱纹图案的调控 | 第33-35页 |
2.2.5 PDMS/P4VP(OH-DMA)_x消皱 | 第35-39页 |
2.2.6 PDMS/P4VP(OH-DMA)_x体系皱纹消皱影响因素 | 第39-40页 |
2.2.7 PDMS/P4VP(NHA)_x复合物体系 | 第40-42页 |
2.2.8 PDMS/P4VP(DO_3)_x复合物体系 | 第42-44页 |
2.3 本章小结 | 第44-46页 |
第3章 偶氮超分子聚合物膜的表面高级图案化 | 第46-60页 |
3.1 P4VP(OH-DMA)X膜图案化制备 | 第46页 |
3.2 铜网选区曝光 | 第46-50页 |
3.2.1 原位铜网选区 | 第47-48页 |
3.2.2 不同铜网尺寸 | 第48-49页 |
3.2.3 不同OH-DMA含量 | 第49-50页 |
3.3 光掩模选区曝光 | 第50-54页 |
3.3.1 原位条形光掩模选区 | 第51-52页 |
3.3.2 不同OH-DMA含量的P4VP(OH-DMA)_x皱纹膜光掩模选区曝光 | 第52页 |
3.3.3 不同类型光掩模选区 | 第52-54页 |
3.4 预光照对光掩模选区曝光的影响 | 第54-57页 |
3.4.1 直接光掩模选区 | 第54-55页 |
3.4.2 预光照后再光掩模选区曝光 | 第55-57页 |
3.4.3 圆形光掩模光照后选区 | 第57页 |
3.5 本章小结 | 第57-60页 |
第4章 结论与展望 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-68页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第68-70页 |
致谢 | 第70-71页 |