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SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制

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SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制
论文目录
 
致谢第1-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-11页
1 引言第11-29页
  · 论文选题依据第11-14页
    · 半导体技术第11-12页
    · 半导体材料第12-14页
  · 碳化硅的组成与性能第14-15页
  · 碳化硅晶体加工工艺第15页
  · 化学机械抛光技术第15-18页
  ·固结磨料抛光垫的介绍第18-24页
    · 抛光垫的组织结构第18-21页
    · 抛光垫的表面纹理图案第21-24页
  · 固结磨料抛光垫制备工艺的研究现状第24-27页
    · 微复制技术第24页
    · 丝网印刷技术第24-25页
    · UV光固化技术第25-26页
    · 热固化技术第26-27页
    · 低温冰冻技术第27页
  · 本论文主要研究内容第27-29页
·实验条件第29-35页
  · 制备抛光垫所用的设备第29-30页
  · 碳化硅CMP实验条件第30-31页
  · 检测仪器及设备第31-32页
  · SiC晶片的介绍第32-33页
  · 加工性能的评判指标第33-35页
3 SiC单晶片固结磨料抛光垫固化工艺及组成成分的研究第35-48页
  · SiC单晶片固结磨料抛光垫固化工艺的选择第35-40页
    · UV光固化第35-37页
    · 热固化第37-40页
  · SiC单晶片固结磨料抛光垫成份的选择第40-44页
    · 油性树脂第42页
    · 水性树脂第42-43页
    · 聚氨酯粉末第43-44页
  · 光固化参数的选择第44-47页
    · 光固化距离第45页
    · 光固化时间第45-46页
    · 固化厚度第46-47页
  · 本章小结第47-48页
4 SiC单晶片固结磨料抛光垫制备工艺的研究第48-57页
  · SiC单晶片固结磨料抛光垫制备的工艺流程第48-49页
  · SiC单晶片固结磨料抛光垫的模具第49-50页
  · 不同磨粒含量对制备固结磨料抛光垫的影响第50-51页
  · SiC单晶片固结磨料抛光垫制备过程的优化第51-53页
  · 分层固化第53-56页
  · 本章小结第56-57页
5 固结磨料化学机械SiC单晶片的抛光实验第57-68页
  · SiC单晶片固结磨料抛光垫结构的介绍第57页
  · 对比试验第57-62页
  · 不同固结磨料抛光垫的表面沟槽的对比试验第62-65页
  · 不同转速的对比试验第65-66页
  · 不同抛光垫凸台高度的对比试验第66页
  · 本章小结第66-68页
6 总结与展望第68-70页
  · 总结第68页
  · 展望第68-70页
参考文献第70-75页
作者简历第75-76页
第76页

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