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不同材料界面剂量增强的理论研究

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不同材料界面剂量增强的理论研究
论文目录
 
中文摘要第1-4 页
英文摘要第4-7 页
1 引言第7-10 页
  1.1 概述第7-8 页
  1.2 剂量增强的蒙-卡计算第8-9 页
  1.3 本研究工作的界限和工作量第9-10 页
2 γ射线与物质的相互作用机制第10-19 页
  2.1 光电效应第10-14 页
    2.1.1 光电子的能量第11 页
    2.1.2 光电截面第11-13 页
    2.1.3 光电子的角分布第13-14 页
  2.2 康普顿效应和电子对效应第14-19 页
    2.2.1 康普顿效应第14-17 页
      2.2.1.1 散射光子和反冲的能量与散射角的关系第15-16 页
      2.2.1.2 康普顿散射截面和角分布第16-17 页
    2.2.2 电子对效应第17-19 页
3 剂量增强效应第19-27 页
  3.1 剂量增强效应的产生第19 页
  3.2 金/硅界面的剂量增强效应第19-20 页
  3.3 材料和CMOS的剂量增强第20-22 页
  3.4 器件中的剂量增强效应第22-23 页
  3.5 总剂量响应第23 页
  3.6 瞬时响应第23-24 页
  3.7 电容器上的剂量增强第24-25 页
  3.8 系统设计剂量增强系数第25-27 页
4 计算方法第27-42 页
  4.1 蒙特卡罗方法的基本原理第27-28 页
  4.2 蒙特卡罗方法对剂量增强的计算第28-31 页
    4.2.1 光子的输运第28-31 页
  4.3 蒙特卡罗方法计算剂量增强在计算机上的实现第31-42 页
    4.3.1 钽-硅界面的具体计算第32-34 页
    4.3.2 钨-硅界面的具体计算第34-35 页
    4.3.3 钽-二氧化硅界面的具体计算第35-37 页
    4.3.4 钨-二氧化硅界面的具体计算第37-38 页
    4.3.5 金-硅界面的具体计算第38-40 页
    4.3.6 模拟CMOS器件灵敏区剂量增强的具体计算第40-42 页
5 计算结果第42-54 页
  5.1 钽-硅界面的剂量增强系数第42-44 页
  5.2 钨-硅界面的剂量增强系数第44-46 页
  5.3 钽-二氧化硅界面的剂量增强系数第46-48 页
  5.4 钨-二氧化硅界面的剂量增强系数第48-50 页
  5.5 金-硅界面的剂量增强系数第50-52 页
  5.6 模拟CMOS器件灵敏区的剂量增强系数第52-54 页
6 MCNP程序计算剂量增强效应的可靠性第54-55 页
7 计算结论第55-56 页
论文总结第56-57 页
致谢第57-58 页
参考资料第58-61 页
附录(公开发表的论文)第61-68页

本篇论文共68页,点击这进入下载页面
 
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