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不同材料界面剂量增强的理论研究
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不同材料界面剂量增强的理论研究
论文目录
中文摘要
第1-4 页
英文摘要
第4-7 页
1 引言
第7-10 页
1.1 概述
第7-8 页
1.2 剂量增强的蒙-卡计算
第8-9 页
1.3 本研究工作的界限和工作量
第9-10 页
2 γ射线与物质的相互作用机制
第10-19 页
2.1 光电效应
第10-14 页
2.1.1 光电子的能量
第11 页
2.1.2 光电截面
第11-13 页
2.1.3 光电子的角分布
第13-14 页
2.2 康普顿效应和电子对效应
第14-19 页
2.2.1 康普顿效应
第14-17 页
2.2.1.1 散射光子和反冲的能量与散射角的关系
第15-16 页
2.2.1.2 康普顿散射截面和角分布
第16-17 页
2.2.2 电子对效应
第17-19 页
3 剂量增强效应
第19-27 页
3.1 剂量增强效应的产生
第19 页
3.2 金/硅界面的剂量增强效应
第19-20 页
3.3 材料和CMOS的剂量增强
第20-22 页
3.4 器件中的剂量增强效应
第22-23 页
3.5 总剂量响应
第23 页
3.6 瞬时响应
第23-24 页
3.7 电容器上的剂量增强
第24-25 页
3.8 系统设计剂量增强系数
第25-27 页
4 计算方法
第27-42 页
4.1 蒙特卡罗方法的基本原理
第27-28 页
4.2 蒙特卡罗方法对剂量增强的计算
第28-31 页
4.2.1 光子的输运
第28-31 页
4.3 蒙特卡罗方法计算剂量增强在计算机上的实现
第31-42 页
4.3.1 钽-硅界面的具体计算
第32-34 页
4.3.2 钨-硅界面的具体计算
第34-35 页
4.3.3 钽-二氧化硅界面的具体计算
第35-37 页
4.3.4 钨-二氧化硅界面的具体计算
第37-38 页
4.3.5 金-硅界面的具体计算
第38-40 页
4.3.6 模拟CMOS器件灵敏区剂量增强的具体计算
第40-42 页
5 计算结果
第42-54 页
5.1 钽-硅界面的剂量增强系数
第42-44 页
5.2 钨-硅界面的剂量增强系数
第44-46 页
5.3 钽-二氧化硅界面的剂量增强系数
第46-48 页
5.4 钨-二氧化硅界面的剂量增强系数
第48-50 页
5.5 金-硅界面的剂量增强系数
第50-52 页
5.6 模拟CMOS器件灵敏区的剂量增强系数
第52-54 页
6 MCNP程序计算剂量增强效应的可靠性
第54-55 页
7 计算结论
第55-56 页
论文总结
第56-57 页
致谢
第57-58 页
参考资料
第58-61 页
附录(公开发表的论文)
第61-68页
本篇论文共
68
页,
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