论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
符号对照表 | 第12-13页 |
缩略语对照表 | 第13-16页 |
第一章 绪论 | 第16-22页 |
1.1 研究背景与意义 | 第16-17页 |
1.2 GaN基CAVET器件国内外研究现状 | 第17-21页 |
1.3 本文的主要任务及安排 | 第21-22页 |
第二章 CAVET器件的工作原理 | 第22-42页 |
2.1 传统GaN基CAVET器件的结构与仿真模型 | 第22-30页 |
2.1.1 二维电子气、三维电子气及三维空穴气的形成机理 | 第23-29页 |
2.1.2 Al GaN材料生长相关报道 | 第29页 |
2.1.3 仿真模型选择 | 第29-30页 |
2.2 传统GaN基CAVET器件的工作原理与特性 | 第30-35页 |
2.2.1 器件的工作原理 | 第31-32页 |
2.2.2 器件的直流特性 | 第32-33页 |
2.2.3 器件的击穿特性 | 第33-35页 |
2.3 典型的GaN基CAVET器件 | 第35-40页 |
2.3.1 具有Si O2电流阻挡层的GaN基CAVET器件 | 第35-36页 |
2.3.2 具有极化掺杂电流阻挡层的GaN基CAVET器件 | 第36页 |
2.3.3 具有P型埋层结构的GaN基CAVET器件 | 第36-37页 |
2.3.4 超结作为缓冲层的GaN基CAVET器件 | 第37-40页 |
2.4 本章小结 | 第40-42页 |
第三章 渐变Al组分垂直型功率器件研究 | 第42-64页 |
3.1 具有渐变Al组分且等分厚度缓冲层的槽栅型功率器件 | 第42-54页 |
3.1.1 器件结构 | 第42-46页 |
3.1.2 器件的直流特性及击穿特性 | 第46-49页 |
3.1.3 器件结构优化设计及分析 | 第49-54页 |
3.2 具有渐变Al组分且非等分厚度缓冲层的槽栅型功率器件 | 第54-61页 |
3.2.1 器件结构 | 第54-56页 |
3.2.2 器件的直流特性及击穿特性 | 第56-58页 |
3.2.3 器件结构优化设计及分析 | 第58-61页 |
3.3 渐变Al组分垂直型功率器件的性能比较 | 第61-62页 |
3.4 本章小结 | 第62-64页 |
第四章 新型可双向阻断垂直型功率器件研究 | 第64-84页 |
4.1 基于渐变Al GaN悬浮层的可双向阻断超结垂直型功率器件 | 第64-73页 |
4.1.1 GF-B-SJ CAVET的器件结构 | 第64-65页 |
4.1.2 直流特性研究 | 第61-66页 |
4.1.3 双向阻断特性研究 | 第66-68页 |
4.1.4 结构优化设计 | 第68-73页 |
4.2 基于介质调制技术的可双向阻断超结垂直型功率器件 | 第73-83页 |
4.2.1 DM-B-SJ CAVET的器件结构以及原理 | 第73-75页 |
4.2.2 直流特性研究 | 第75页 |
4.2.3 双向阻断特性研究 | 第75-77页 |
4.2.4 结构优化设计 | 第77-81页 |
4.2.5 DM-B-SJ CAVET的简要工艺流程 | 第81-83页 |
4.3 本章小结 | 第83-84页 |
第五章 总结与展望 | 第84-86页 |
5.1 总结 | 第84-85页 |
5.2 存在的问题以及后续工作 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-92页 |
致谢 | 第92-94页 |
作者简介 | 第94-95页 |