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低维WTe2和TiSe2材料的电子结构研究

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低维WTe2和TiSe2材料的电子结构研究
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-18页
  1.1 研究背景与现状第9-14页
    1.1.1 过渡金属硫化物的优良性质第9-12页
    1.1.2 二碲化钨(WTe_2)与二硒化铌(TiSe_2)的特殊性质第12-14页
  1.2 二维过渡金属硫化物的能带调控第14-16页
    1.2.1 维度改变第14-15页
    1.2.2 应力调节第15页
    1.2.3 外加电场第15-16页
    1.2.4 掺杂第16页
    1.2.5 其他第16页
  1.3 本文研究内容与结构安排第16-18页
第二章 第一性原理计算原理方法第18-25页
  2.1 第一性原理计算第18-25页
    2.1.1 密度泛函理论第20页
    2.1.2 Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程第20-22页
    2.1.3 交换-关联泛函近似与赝势第22-23页
    2.1.4 VASP计算程序第23-25页
第三章 WTe_2纳米带电子结构预测与调制第25-36页
  3.1 WTe_2基本性质第25-26页
  3.2 边缘态第26-28页
  3.3 晶格结构和电子特性第28-34页
  3.4 结论第34-36页
第四章 电荷掺杂调制1T-TiSe_2电荷密度波转变和稳定性第36-44页
  4.1 1T-TiSe_2的基本性质第36-39页
  4.2 计算方法第39-40页
  4.3 结果与讨论第40-43页
  4.4 小结第43-44页
第五章 总结与展望第44-45页
致谢第45-46页
参考文献第46-51页
攻读期间发表的学术论文第51页

本篇论文共51页,点击这进入下载页面
 
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