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低维WTe
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和TiSe
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材料的电子结构研究
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2
和TiSe
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材料的电子结构研究
论文目录
摘要
第1-5页
ABSTRACT
第5-9页
第一章 绪论
第9-18页
1.1 研究背景与现状
第9-14页
1.1.1 过渡金属硫化物的优良性质
第9-12页
1.1.2 二碲化钨(WTe_2)与二硒化铌(TiSe_2)的特殊性质
第12-14页
1.2 二维过渡金属硫化物的能带调控
第14-16页
1.2.1 维度改变
第14-15页
1.2.2 应力调节
第15页
1.2.3 外加电场
第15-16页
1.2.4 掺杂
第16页
1.2.5 其他
第16页
1.3 本文研究内容与结构安排
第16-18页
第二章 第一性原理计算原理方法
第18-25页
2.1 第一性原理计算
第18-25页
2.1.1 密度泛函理论
第20页
2.1.2 Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程
第20-22页
2.1.3 交换-关联泛函近似与赝势
第22-23页
2.1.4 VASP计算程序
第23-25页
第三章 WTe_2纳米带电子结构预测与调制
第25-36页
3.1 WTe_2基本性质
第25-26页
3.2 边缘态
第26-28页
3.3 晶格结构和电子特性
第28-34页
3.4 结论
第34-36页
第四章 电荷掺杂调制1T-TiSe_2电荷密度波转变和稳定性
第36-44页
4.1 1T-TiSe_2的基本性质
第36-39页
4.2 计算方法
第39-40页
4.3 结果与讨论
第40-43页
4.4 小结
第43-44页
第五章 总结与展望
第44-45页
致谢
第45-46页
参考文献
第46-51页
攻读期间发表的学术论文
第51页
本篇论文共
51
页,
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