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高压MOSFET的BSIM3 I-V模型研究与改进

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高压MOSFET的BSIM3 I-V模型研究与改进
论文目录
 
ABSTRACT第1-7页
摘要第7-8页
目录第8-10页
第一章 绪言第10-13页
  · 高压集成电路与高压MOSFET第10-11页
  · 高压MOSFET模型在国内外的发展现况第11-12页
  · 课题的意义和目的第12-13页
第二章 高压MOSFET的基本结构与原理第13-20页
  · MOSFET的基本结构与工作原理第13-14页
  · 与常规CMOS工艺相兼容的高压MOSFET原理第14-20页
    · 常见几种与常规CMOS工艺相兼容的高压MOSFET结构第14-16页
    · Double Diffused Drain高压MOSFET基本结构与版图第16-18页
    · Double Diffused Drain高压MOSFET的工艺与制造第18-20页
第三章 SPICE仿真软件与BSIM3模型第20-28页
  · EDA仿真软件SPICE与BSIM3模型的基本概念第20-21页
  · SPICE软件的结构第21-23页
  · SPICE BSIM3 MOSFET模型讨论第23-28页
    · MOSFET的SPICE BSIM3模型I-V特性第23-25页
    · 源漏寄生电阻对MOSFET I-V特性的影响第25-28页
第四章 高压MOSFET的BSIM3模型建立与参数提取第28-45页
  · 器件建模与参数提取第28-34页
    · 建模与参数提取工作的概念第28-30页
    · 模型参数提取与优化的具体工作流程第30-34页
  · ICCAP建模软件第34-39页
  · BSIM3v3仿真器第39-40页
  · BSIM3模型对高压MOSFET建模的不足第40-45页
第五章 高压MOSFET SPICE BSIM3 I-V模型的优化第45-52页
  · 对高压MOSFET BSIM3v3模型的分析讨论第45-49页
    · 源漏寄生电阻的栅压调制效应第45-46页
    · 有效Vds参数δ的栅压调制效应第46-47页
    · 对BSIM3高压模型优化方法的讨论第47-49页
  · 高压MOSFET BSIM3v3 I-V模型的优化方案第49-52页
    · 源漏寄生电阻的二次栅电压调制因子第50-51页
    · δ的栅电压调制因子第51-52页
第六章 模型优化的实现与实验结果验证第52-66页
  · BSIM3v3模型库结构分析第52页
  · BSIM3v3模型库文件的源代码优化方法第52-53页
  · 对HV MOSFET进行片上测量第53-57页
  · 使用新模型进行参数提取的仿真结果第57-66页
结论第66-67页
回顾与展望第67-68页
参考文献第68-72页
攻读硕士学位期间发表论文第72-73页
致谢第73-74页
附录第74-76页
  附录A 上海集成电路研发中心0.35MM 2P3M 14V HV MOSFET优化后的BSIM3v3 MODEL CARD(由ICCAP2002生成)第74-75页
  附录B B31D.C部分优化代码摘录第75-76 页

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