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高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究
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高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究
论文目录
论文摘要
第1-7 页
ABSTRACT
第7-9 页
第一章 绪论
第9-14 页
· 高压集成电路与高压MOS器件简介
第9-10 页
· 高压MOSFET模型国内外研究现状
第10-12 页
· 课题的意义与目标
第12-14 页
第二章 高压MOSFET工作原理
第14-23 页
· 高压MOSFET的发展
第14-17 页
· 高压DDDMOSFET工作原理
第17-20 页
· 高压DDDMOSFET工艺流片
第20-23 页
第三章 SPICE仿真器与器件模型
第23-36 页
· 器件模型简介
第23-26 页
· SPICE模型的发展
第26-32 页
· 器件模型发展的挑战
第32-36 页
第四章 高压MOSFET工作机制研究
第36-47 页
· BSIM3模拟HV MOSFET的偏差
第36-40 页
· HV MOSFET的特殊效应
第40-44 页
· HV DDDMOSFET特有工作机制研究
第44-47 页
第五章 高压MOSFET I-V特性宏模型建立
第47-61 页
· 高压MOSFET I-V特性宏模型子电路
第47-48 页
· 宏模型子电路的工作原理分析
第48-50 页
· MESFET原理及SPICE模型
第50-53 页
· MESFET的拟合与参数表达式
第53-61 页
第六章 宏模型的实现与验证
第61-70 页
· 高压DDDMOS研究数据采集与挑选
第61-65 页
· 宏模型参数提取与优化
第65-67 页
· 优化后的宏模型仿真结果
第67-70 页
结论与展望
第70-72 页
参考文献
第72-77 页
硕士期间发表学术论文
第77-78 页
致谢
第78 页
本篇论文共
78
页,
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