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高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究

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高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究
论文目录
 
论文摘要第1-7 页
ABSTRACT第7-9 页
第一章 绪论第9-14 页
  · 高压集成电路与高压MOS器件简介第9-10 页
  · 高压MOSFET模型国内外研究现状第10-12 页
  · 课题的意义与目标第12-14 页
第二章 高压MOSFET工作原理第14-23 页
  · 高压MOSFET的发展第14-17 页
  · 高压DDDMOSFET工作原理第17-20 页
  · 高压DDDMOSFET工艺流片第20-23 页
第三章 SPICE仿真器与器件模型第23-36 页
  · 器件模型简介第23-26 页
  · SPICE模型的发展第26-32 页
  · 器件模型发展的挑战第32-36 页
第四章 高压MOSFET工作机制研究第36-47 页
  · BSIM3模拟HV MOSFET的偏差第36-40 页
  · HV MOSFET的特殊效应第40-44 页
  · HV DDDMOSFET特有工作机制研究第44-47 页
第五章 高压MOSFET I-V特性宏模型建立第47-61 页
  · 高压MOSFET I-V特性宏模型子电路第47-48 页
  · 宏模型子电路的工作原理分析第48-50 页
  · MESFET原理及SPICE模型第50-53 页
  · MESFET的拟合与参数表达式第53-61 页
第六章 宏模型的实现与验证第61-70 页
  · 高压DDDMOS研究数据采集与挑选第61-65 页
  · 宏模型参数提取与优化第65-67 页
  · 优化后的宏模型仿真结果第67-70 页
结论与展望第70-72 页
参考文献第72-77 页
硕士期间发表学术论文第77-78 页
致谢第78 页

本篇论文共78页,点击这进入下载页面
 
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